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MAT2017-89993-R

Financiado

HETEROESTRUCTURAS HIBRIDAS, MATERIALES Y DISPOSITIVOS BASADOS EN SISTEMAS MOLECU...

HETEROESTRUCTURAS HIBRIDAS, MATERIALES Y DISPOSITIVOS BASADOS EN SISTEMAS MOLECULARES MAGNETICOS QUE RESPONDEN A ESTIMULOS EXTERNOS Y MATERIALES 2D EL PROYECTO SE CENTRA EN EL DISEÑO Y ESTUDIO DE INTERFACES HIBRIDAS FORMADAS AL DEPOSITAR MATERIALES Y MOLECULAS MAGNETICAS QUE RESPONDEN A ESTIMULOS EXTERNOS, SOBRE UN ELECTRODO CONSISTENTE EN UN MATERIAL BISIMENSIONAL (2D) O UN... ver más

01/01/2017

363K€

Presupuesto del proyecto: 363K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT DE VALÈNCIA (ESTUDI GENERAL) No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01

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Participantes

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSITAT DE VALÈNCIA (ESTUDI GENERAL)

Sin perfil tecnológico

Presupuesto del proyecto 363K€

Descripción del proyecto EL PROYECTO SE CENTRA EN EL DISEÑO Y ESTUDIO DE INTERFACES HIBRIDAS FORMADAS AL DEPOSITAR MATERIALES Y MOLECULAS MAGNETICAS QUE RESPONDEN A ESTIMULOS EXTERNOS, SOBRE UN ELECTRODO CONSISTENTE EN UN MATERIAL BISIMENSIONAL (2D) O UN SUBSTRATO METALICO, GRACIAS A LA CAPACIDAD DE ESTOS SISTEMAS MOLECULARES MAGNETICOS DE RESPONDER A UN ESTIMULO FISICO (SISTEMAS INTERRUPTOR), ESPERAMOS DESARROLLAR UNA NUEVA GENERACION DE HETEROESTRUCTURAS INTELIGENTES TIPO SISTEMA MOLECULAR/2D, CAPACES DE MODULAR LAS PROPIEDADES DE LOS MATERIALES 2D Y DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS/ESPINTRONICOS,EN LO QUE CONCIERNE A LOS MATERIALES 2D, EL PROYECTO SE CENTRARA EN SISTEMAS 2D DE ESPESOR ATOMICO QUE EXHIBEN EN PARTICULAR SUPERCONDUCTIVIDAD Y MAGNETISMO, EN UNA PRIMERA ETAPA, DISEÑAREMOS Y AISLAREMOS ESTOS TIPOS DE MATERIALES 2D CON EL FIN DE INVESTIGAR LAS NUEVAS PROPIEDADES FISICAS QUE PUEDEN APARECER EN EL LIMITE 2D, EN UNA SEGUNDA ETAPA SE UNIRAN ESTOS MATERIALES 2D CON SISTEMAS MOLECULARES INTERRUPTOR CON EL OBJETIVO FINAL DE OBTENER UNA NUEVA GENERACION DE HETEROESTRUCTURAS HIBRIDAS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, EN LA ETAPA FINAL, SE EXPLORARAN ALGUNAS APLICACIONES DE ESTAS HETEROESTRUCTURAS EN EL CAMPO DEL ALMACENAMIENTO Y CONVERSION DE LA ENERGIA,RESPECTO A LOS DISPOSITIVOS MOLECULARES ELECTRONICOS/ESPINTRONICOS, EL PROYECTO SE CENTRARA EN LA FABRICACION DE UNA NUEVA CLASE DE DISPOSITIVOS INTELIGENTES BASADOS EN COMPUESTOS DE TRANSICION DE ESPIN COMO EL COMPONENTE MOLECULAR, NUESTRO PRINCIPAL OBJETIVO ES RESOLVER Y CONTROLAR LAS PROPIEDADES DE MAGNETO-RESISTENCIA DE UN DISPOSITIVO BASADO EN SISTEMAS DE TRANSICION DE ESPIN A TRAVES DEL CAMBIO DEL ESPIN CAUSADO POR UN ESTIMULO ELECTRICO, TERMICO U OPTICO, TANTO EN CAPAS MOLECULARES COMO EN LA NANOESCALA,COMO PUNTO DE PARTIDA, USAREMOS CUATRO CLASES DE MATERIALES LAMINARES: I) CALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION (TMCS), EN PARTICULAR, LOS QUE EXHIBEN PROPIEDADES CONDUCTORAS/SUPERCONDUCTORAS O MAGNETICAS; II) HALUROS DE METALES DE TRANSICION (TMHS); III) HIDROXIDOS DE DOBLE CAPA MAGNETICOS (LDHS) Y IV) POLIMEROS DE COORDINACION LAMINARES MAGNETICOS (LCPS), COMO SISTEMAS MOLECULARES, USAREMOS SISTEMAS DE TRANSICION DE ESPIN DE DIFERENTES TAMAÑOS Y DIMENSIONES, INCLUYENDO COMPLEJOS MOLECULARES INDIVIDUALES, NANOPARTICULAS Y REDES EXTENDIDAS, MATERIALES 2D\MOLÉCULAS CON TRANSICIÓN DE ESPÍN\ESPINTRÓNICA MOLECULAR\MATERIALES HÍBRIDOS PARA LA ENERGÍA\(SUPER)CONDUCTORES 2D\IMANES 2D\HETEROESTRUCTURAS INTELIGENTES

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