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EFESOS

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Evaluation of 22 nm Fully depleted Silicon on insulator technology for Space

The EFESOS project aims to develop and evaluate a cutting-edge ASIC technology for space applications. More specifically, departing from the characterization of the commercial technology, a radiation-hardened-by-design digital lib... ver más

30/11/2022

IMEC

3M€

Presupuesto del proyecto: 3M€

Líder del proyecto

INTERUNIVERSITAIR MICROELECTRONICA CENTRUM No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 4 Participantes

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2022-11-30

SPACE-10-TEC-2018-2020: Technologies for European non-depen...

I+D

Cerrada hace 6 años

0% 100%

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No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

4 Participantes

IMEC

1.64M€ | Lider

Microtest

475.47K€ | Participante

EXPACE ON BOARD SYSTEMS

862.52K€ | Participante

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Duración del proyecto: 35 meses Fecha Inicio: 2019-12-13
Fecha Fin: 2022-11-30

Líder del proyecto

INTERUNIVERSITAIR MICROELECTRONICA CENTRUM No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 3M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto The EFESOS project aims to develop and evaluate a cutting-edge ASIC technology for space applications. More specifically, departing from the characterization of the commercial technology, a radiation-hardened-by-design digital library and a set of complex analog IP cores (ADC, DAC, SERDES and PLL) will be implemented using the 22FDX process from Global Foundries, available at their production facility in Dresden (Germany). A complete electrical, environmental (radiation) and reliability validation of the technology will be performed, and the resulting fully-European design flow will be evaluated according to the ESCC standards with a representative sample chip. The 22FDX is a 22nm Fully-Depleted SOI technology providing up to 40% die scaling relative to the standard 28nm node, nearly 70% lower power than 28nm and similar power efficiency to FinFET technology. EFESOS responds to the increasing demand of the European space industry of more integrated ASICs at higher performance, and greatly contributes to the strategic goal of achieving non-dependence on critical technologies. The project will provide Europe with a technical capability beyond the current state-of-the-art, thus becoming a global reference in space microelectronics.

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