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TEC2010-15413

Financiado

DIODOS Y TRANSISTORES AVANZADOS PARA GENERACION, DETECCION Y PROCESADO DE SEÑALE...

DIODOS Y TRANSISTORES AVANZADOS PARA GENERACION, DETECCION Y PROCESADO DE SEÑALES MILIMETRICAS Y SUBMILIMETRICAS LA RADIACION DE THZ, CUYO RANGO DE FRECUENCIA SE ENCUENTRA ENTRE LAS MICROONDAS Y EL INFRARROJO EN EL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO, ABRE LA POSIBILIDAD DE UNA NUEVA TECNOLOGIA DE IMAGENES Y ESPECTROSCOPIA CON UN AMPLIO RANGO DE APLIC... ver más

01/01/2010

USAL

160K€

Presupuesto del proyecto: 160K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1147

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2010-01-01

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Participantes

USAL

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA

Total investigadores 1147

Presupuesto del proyecto 160K€

Descripción del proyecto LA RADIACION DE THZ, CUYO RANGO DE FRECUENCIA SE ENCUENTRA ENTRE LAS MICROONDAS Y EL INFRARROJO EN EL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO, ABRE LA POSIBILIDAD DE UNA NUEVA TECNOLOGIA DE IMAGENES Y ESPECTROSCOPIA CON UN AMPLIO RANGO DE APLICACIONES, DESDE DIAGNOSTICO MEDICO (SIN EL DAÑO PRODUCIDO POR RADIACIONES IONIZANTES COMO LOS RAYOS X) HASTA CONTROL INDUSTRIAL DE CALIDAD O ESCANERES DE SEGURIDAD, LAS SEÑALES DE THZ SE HAN DE OBTENER DESDE LOS LIMITES DE LA ELECTRONICA POR UN LADO Y DE LA OPTICA POR EL OTRO, LO QUE ORIGINA EFICIENCIAS REDUCIDAS Y CARENCIA DE FUENTES DE RADIACION OPERATIVAS, POR OTRA PARTE, LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS CAPACES DE DETECTAR O PROCESAR SEÑALES A FRECUENCIAS TAN ALTAS SON MUY ESCASOS,EL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO ES EL DESARROLLO DE DIODOS Y TRANSISTORES AVANZADOS CAPACES DE GENERAR, DETECTAR Y PROCESAR SEÑALES EN LOS RANGOS DE FRECUENCIAS MILIMETRICAS Y SUBMILIMETRICAS A TEMPERATURA AMBIENTE,COMO FUENTES DE SEÑAL, PROPONEMOS EXPLOTAR OSCILACIONES GUNN EN EL RANGO DE LOS SUB-THZ Y THZ QUE TIENEN LUGAR EN NOVEDOSOS NANODISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (TANTO DE GAP ESTRECHO COMO DE GAP ANCHO): DIODOS AUTOCONMUTANTES (SSDS, TANTO DE INGAAS COMO DE GAN), Y DIODOS CON RECESS DE INGAAS, COMO DETECTORES, APARTE DE DIODOS SCHOTTKY DE THZ CONVENCIONALES, PRETENDEMOS UTILIZAR FENOMENOS COLECTIVOS RESONANTES DE LOS ELECTRONES (COMO OSCILACIONES DE PLASMA) QUE TIENEN LUGAR TANTO EN DIODOS (SSDS DE INGAAS, INAS E INSB) COMO EN TRANSISTORES (HEMTS DE INGAAS) PARA LOGRAR UNA SENSIBILIDAD MEJORADA EN RANGOS ESPECIFICOS DE FRECUENCIA DE THZ, FINALMENTE, SE OPTIMIZARAN HEMTS FABRICADOS CON SEMICONDUCTORES DE GAP ESTRECHO (INAS E INSB) Y NANODISPOSITIVOS BALISTICOS, CON FRECUENCIAS DE CORTE EXTREMADAMENTE ELEVADAS, PARA PROCESAR SEÑALES DE BAJA POTENCIA A FRECUENCIAS PROXIMAS A LOS THZ; MIENTRAS QUE SE UTILIZARAN HEMTS DE GAP ANCHO (GAN) PARA APLICACIONES DE ALTA POTENCIA EN EL RANGO DE ONDAS MILIMETRICAS,SE EMPLEARAN SIMULACIONES MONTE CARLO PARA ANALIZAR LOS PROCESOS FISICOS QUE RIGEN EL FUNCIONAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS Y PARA EL DISEÑO DE ESTRUCTURAS OPTIMIZADAS, LOS DISPOSITIVOS SERAN FABRICADOS EN VARIOS LABORATORIOS CON LOS QUE COLABORA EL GRUPO EJECUTOR DEL PROYECTO, SE PRETENDE QUE EXISTA UNA REALIMENTACION CONTINUA ENTRE LA TECNOLOGIA DE FABRICACION Y LAS ACTIVIDADES DE MODELADO A LO LARGO DEL DESARROLLO DEL PROYECTO,LOS DISPOSITIVOS SERAN CARACTERIZADOS EN EL RANGO DE THZ TAMBIEN EN LOS LABORATORIOS CON QUE SE COLABORA, EN EL CASO DE MEDIDAS DE RF, SE PRETENDE COMPLETAR LA PUESTA A PUNTO DE UN LABORATORIO DE CARACTERIZACION EN SALAMANCA CON LA ADQUISICION DE EQUIPAMIENTO DE ALTA FRECUENCIA, DE MODO QUE PARTE DE LAS MEDIDAS EN HEMTS Y NANODISPOSITIVOS LAS REALIZARA DIRECTAMENTE EL EQUIPO A CARGO DEL PROYECTO,

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