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FIS2017-91599-EXP

Financiado

DIODO EMISOR DE LUZ INFRARROJA

DURANTE DECADAS, EL PROGRESO EN EL CRECIMIENTO DE HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS HA IMPULSADO EL SURGIMIENTO DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS INNOVADORES DE INFRARROJOS Y TERAHERCIOS, EN TODOS LOS CASOS, LA TECNOLOGIA SE BASA E... ver más

01/01/2017

FUNDACIO INSTITUT...

42K€

Presupuesto del proyecto: 42K€

Líder del proyecto

FUNDACIO INSTITUT DE CIENCIES FOTONIQUES Otra investigación y desarrollo experimental en ciencias naturales y técnicas asociacion

TRL 4-5 | 50K€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01

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Participantes

FUNDACIO INSTITUT DE CIENCIE...

Lider

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Líder del proyecto

FUNDACIO INSTITUT DE CIENCIES FOTONIQUES

TRL 4-5 | 50K€

Presupuesto del proyecto 42K€

Descripción del proyecto DURANTE DECADAS, EL PROGRESO EN EL CRECIMIENTO DE HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS HA IMPULSADO EL SURGIMIENTO DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS INNOVADORES DE INFRARROJOS Y TERAHERCIOS, EN TODOS LOS CASOS, LA TECNOLOGIA SE BASA EN TRANSICIONES OPTICAS INFRARROJAS EN POZOS CUANTICOS SEMICONDUCTORES, LLAMADOS TRANSICIONES INTERSUBBAND, SIN EMBARGO, LAS LIMITACIONES ESTRUCTURALES INTRINSECAS Y LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO ADAPTADAS A LA RED HAN LIMITADO FUERTEMENTE SU FUNCIONALIDAD Y VERSATILIDAD, TODAS ESTAS LIMITACIONES PUEDEN ABORDARSE EXPLOTANDO UNA CLASE COMPLETAMENTE NUEVA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES: MATERIALES ESTRATIFICADOS BIDIMENSIONALES CON BANDA PROHIBIDA, LOS MATERIALES BIDIMENSIONALES DE DOS CAPAS (2D) TIENEN UN POTENCIAL INEXPLORADO, YA QUE SON POZOS CUANTICOS DESNUDOS Y SE PUEDEN COMBINAR EN HETEROESTRUCTURAS CON INTERFACES ATOMICAMENTE AFILADAS Y CONTROL ELECTRONICO Y OPTICO INDIVIDUAL, SIN EMBARGO, HASTA AHORA LAS TRANSICIONES INTERSUBBAND NO SE ENCONTRARON EN POZOS CUANTICOS DE MATERIAL 2D, ESTE PROYECTO SE ENFOCARA POR PRIMERA VEZ EN EL ESTUDIO DE TRANSICIONES INTERSUBBAND EN POZOS CUANTICOS DE MATERIAL 2D, Y LA REALIZACION DE UNA IMPLEMENTACION CONCRETA DE DISPOSITIVOS, COMBINANDO UN MATERIAL SEMICONDUCTOR EN 2D DE UNOS POCOS NANOMETROS DE ESPESOR CON GRAFENO, NUESTRO OBJETIVO ES REALIZAR UN EMISOR DE LUZ INFRARROJA, AQUI, LA INYECCION DE CARGA EN EL SEMICONDUCTOR ES PROPORCIONADA POR EL GRAFENO, QUE PUEDE ACTUAR COMO UN INYECTOR DE ELECTRONES Y ORIFICIOS, ESTE TRABAJO NO SOLO SUPERA LAS LIMITACIONES TECNICAS ACTUALES DE LOS SISTEMAS DE POZOS CUANTICOS CONVENCIONALES, SINO QUE ES UN PRIMER PASO EN UN VASTO CAMPO DONDE LAS TRANSICIONES INTERSUBBAND PUEDEN EXPLOTARSE CON MUCHA MAS LIBERTAD DE DISEÑO PARA HETEROESTRUCTURAS OPTOELECTRONICAS NUEVAS, ADECUADAS PARA FOTODETECTORES, LED Y LASERES, EMISOR DE LUZ\POZO CUÁNTICO\MATERIALES 2D\SEMICONDUCTORES 2D\GRAFENO

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