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PID2020-118724GA-I00

Financiado
DESVELANDO LA NATURALEZA DE LOS DEFECTOS Y EL PAPEL QUE DESEMPEÑAN EN LOS DISPOS...
DESVELANDO LA NATURALEZA DE LOS DEFECTOS Y EL PAPEL QUE DESEMPEÑAN EN LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES 2D EL ESTUDIO DETALLADO DE LOS DEFECTOS DEL RETICULO CRISTALINO, QUE PUEDEN SER PERJUDICIALES ACTUANDO COMO TRAMPAS PARA LOS PORTADORES DE CARGA LIBRES O PUEDEN SER BENEFICIOSOS CUANDO SE INTRODUCEN MEDIANTE DOPAJE CONTROLADO, ES UN... EL ESTUDIO DETALLADO DE LOS DEFECTOS DEL RETICULO CRISTALINO, QUE PUEDEN SER PERJUDICIALES ACTUANDO COMO TRAMPAS PARA LOS PORTADORES DE CARGA LIBRES O PUEDEN SER BENEFICIOSOS CUANDO SE INTRODUCEN MEDIANTE DOPAJE CONTROLADO, ES UN TEMA FUNDAMENTAL EN LA CIENCIA DE LOS SEMICONDUCTORES Y SE HA ESTUDIADO EN EL CONTEXTO DE LOS SEMICONDUCTORES A GRANEL DESDE HACE AL MENOS 100 AÑOS. DE HECHO, SE SABE QUE LOS DEFECTOS TIENEN UN EFECTO FUNDAMENTAL EN EL FUNCIONAMIENTO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y OPTOELECTRONICOS. DESEMPEÑAN UN PAPEL TANTO EN LAS INTERFACES ELECTRODO-SEMICONDUCTOR COMO EN EL CANAL SEMICONDUCTOR. EN EL CANAL, POR EJEMPLO, PUEDEN ACTUAR COMO CENTROS DE SCATTERING, QUE TIENDEN A DEGRADAR LA MOVILIDAD, O COMO TRAMPAS O CENTROS DE RECOMBINACION, QUE REDUCEN LA EFICIENCIA EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS O EMISORES DE LUZ. EN LA INTERFAZ ELECTRODO-SEMICONDUCTOR, LOS DEFECTOS E IMPERFECCIONES PUEDEN INDUCIR EL PINNING DEL NIVEL DE FERMI, LO QUE HACE QUE EL CONTACTO SE DESVIE DE LA REGLA DE SCHOTTKY-MOTT, LO QUE DIFICULTA LA CAPACIDAD DE TUNEAR EL CONTACTO PARA RECTIFICACION U INYECCION OHMICA CAMBIANDO EL METAL.NORMALMENTE, AL REDUCIR EL TAMAÑO DE UN MATERIAL DE BULK NORMAL COMO EL SILICIO, LA IMPORTANCIA DE LOS DANGLING BONDS PRESENTES NATURALMENTE EN LAS SUPERFICIES TIENDE A AUMENTAR, LO QUE LLEVA A UN AUMENTO DE LA DENSIDAD DE LAS TRAMPAS EN EL SISTEMA. IDEALMENTE, LOS MATERIALES 2D TIENEN SUPERFICIES LIBRES DE DANGLING BONDS, GRACIAS A LA INTERACCION DE VAN DER WAALS QUE UNE LAS DIFERENTES CAPAS. EN REALIDAD, LA PRESENCIA DE DEFECTOS EN MUCHOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES 2D SE HA INFORMADO EN VARIOS TRABAJOS EN LA LITERATURA Y PUEDEN AFECTAR TANTO AL CANAL COMO A LA INTERFAZ ELECTRODO-SEMICONDUCTOR. A PESAR DE SU IMPORTANCIA, UN MAPEO PRECISO DE TRAMPAS Y DEFECTOS PRESENTES EN LA MAYORIA DE LOS SEMICONDUCTORES 2D AUN SE ENCUENTRA EN SU ETAPA INICIAL. ESTE PROYECTO TIENE COMO OBJETIVO OBTENER UNA COMPRENSION FUNDAMENTAL DE LA NATURALEZA DE LOS DIVERSOS DEFECTOS PRESENTES EN LOS SEMICONDUCTORES 2D Y SU INFLUENCIA EN LA FISICA Y EN EL RENDIMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS 2D ELECTRONICOS Y OPTOELECTRONICOS. PLANEAMOS REALIZAR MEDICIONES ELECTRICAS Y OPTOELECTRONICAS, COMO TRAZOS DE COMPUERTAS, (FOTO) CORRIENTE-VOLTAJE, CAPACITANCIA (TRANSITORIA) VERSUS VOLTAJE Y DEPENDENCIA DE LA TEMPERATURA PARA ESTUDIAR EL EFECTO, LA NATURALEZA Y LA CONCENTRACION DE DEFECTOS EN EL CANAL DE SEMICONDUCTORES 2D. ADEMAS DE UN MAPEO DE LOS DEFECTOS, ESTE PROYECTO TIENE COMO OBJETIVO ENCONTRAR UNA FORMA DE CONTROLAR LA DENSIDAD DE DEFECTOS EN UN DISPOSITIVO 2D UTILIZANDO UNA PERILLA EXTERNA. DESPUES DE ESTUDIAR EL CANAL, NOS CENTRAREMOS EN EL OTRO ELEMENTO CLAVE DE LOS NANODISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: LA INTERFAZ ELECTRODO / SEMICONDUCTOR EN DISPOSITIVOS COMPLEJOS COMO LOS DIODOS SCHOTTKY Y LAS UNIONES P-N. CON ESTOS DISPOSITIVOS PODREMOS INVESTIGAR LA BARRERA ENTRE DIFERENTES SEMICONDUCTORES 2D Y METALES 3D O 2D Y COMPRENDER EL PAPEL DE LAS TRAMPAS EN LA ENERGIA DE ESTA INTERFAZ. AL CONTROLAR LA DENSIDAD DE LA TRAMPA, NUESTRO OBJETIVO ES DISEÑAR EL CONTACTO ENTRE SEMICONDUCTORES 2D Y METALES Y MEJORAR EN GRAN MEDIDA EL RENDIMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS BASADOS EN ELLOS. ATERIALES 2D\BARRERAS SCHOTTKY\DEFECTOS\TRAMPAS\OPTOELECTRONICA\SEMICONDUCTORES ver más
01/01/2020
CSIC
85K€
Perfil tecnológico estimado

Línea de financiación: concedida

El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2020-01-01
Presupuesto El presupuesto total del proyecto asciende a 85K€
Líder del proyecto
AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.
Perfil tecnológico TRL 2-3 552M