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TEC2014-60694-P

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INGENIERIA DE DEFECTOS PARA EXPLORAR NUEVAS APLICACIONES EN SEMICONDUCTORES APOY...

INGENIERIA DE DEFECTOS PARA EXPLORAR NUEVAS APLICACIONES EN SEMICONDUCTORES APOYADA EN LA SIMULACION MULTIESCALA LA INGENIERIA DE DEFECTOS EN SEMICONDUCTORES IMPLICA EL CONTROL DE LAS CONDICIONES DE PROCESAMIENTO PARA CONSEGUIR COLOCAR DEFECTOS BENEFICIOSOS CON LA CONCENTRACION Y EN LUGAR DESEADOS, O MINIMIZAR LA PRESENCIA DE DEFECTOS INDESE... ver más

01/01/2014

UVA

63K€

Presupuesto del proyecto: 63K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1005

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2014-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

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Participantes

UVA

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1005

Presupuesto del proyecto 63K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA INGENIERIA DE DEFECTOS EN SEMICONDUCTORES IMPLICA EL CONTROL DE LAS CONDICIONES DE PROCESAMIENTO PARA CONSEGUIR COLOCAR DEFECTOS BENEFICIOSOS CON LA CONCENTRACION Y EN LUGAR DESEADOS, O MINIMIZAR LA PRESENCIA DE DEFECTOS INDESEABLES Y ASI CONSEGUIR EL FUNCIONAMIENTO SATISFACTORIO DE CIRCUITOS INTEGRADOS, CELULAS SOLARES, SENSORES, DETECTORES DE RADIACION Y EN GENERAL TODOS LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, ESTE PROYECTO SE CENTRA EN DEFECTOS GENERADOS POR IMPLANTACION IONICA EN SI Y GE Y QUE PRODUCEN NIVELES EN EL GAP RESPONSABLES DE CARACTERISTICAS ELECTRONICAS (SEÑALES FOTOLUMNISCENTES, CORRIENTES DE FUGAS, TRAMPAS DE HUECOS) Y MODIFICACIONES ESTRUCTURALES (HONEYCOMBS EN GE), LA FINALIDAD DE ESTE PROYECTO ES DOBLE, POR UNA PARTE PROPORCIONAR LAS BASES TEORICAS SOBRE LA QUE CIMENTAR LA PROGRAMACION CONTROLADA DE DEFECTOS EN SI Y GE EXPLORANDO SISTEMATICAMENTE EL PAPEL DE LA TENSION MECANICA (LOCAL O EXTERNA), POR OTRA PARTE, DESARROLLAR ESTRATEGIAS DE INGENIERIA DE DEFECTOS CON IMPACTO EN ASPECTOS RELACIONADOS CON LA EFICIENCIA DE CONSUMO EN CIRCUITO ELECTRONICO (LOS DEFECTOS INDUCEN CORRIENTES DE FUGA), LA EFICIENCIA EN LA CONVERSION FOTOVOLTAICA (LOS DEFECTOS ACTUAN COMO TRAMPAS DE PORTADORES), EL REFUERZO DE DETERMINADOS DEFECTOS ASIGNADOS A LINEAS FOTOLUMINISCENTES PARA EXTENDER APLICACIONES OPTOELECTRONICAS, O LA FORMACION DE CAPAS NANOESTRUCTURADAS TIPO HONEYCOMBS EN GE POR EVOLUCION DE LOS DEFECTOS GENERADOS POR IMPLANTACION, PARA ABORDAR ESTE PROYECTO PROPONEMOS UN ESQUEMA MULTI-ESCALA DE SIMULACION COMBINANDO TECNICAS AB INITIO, DINAMICA MOLECULAR Y MONTE CARLO CINETICO PARA OBTENER PROPIEDADES FUNDAMENTALES DE LOS DEFECTOS A LA VEZ QUE PODEMOS ACCEDER A ESCALAS ESPACIALES Y TEMPORALES DIRECTAMENTE COMPARABLES CON EXPERIMENTOS, EL PROYECTO REALIZA UNA PROPUESTA DE ANALISIS SISTEMATICO DEL EFECTO SOBRE LA EVOLUCION DE LOS DEFECTOS DE LA TENSION, NO SOLO COMO TENSION HIDROSTATICA EXTERNA, SINO LOS CAMPOS DE TENSION LOCALES QUE GENERAN LOS PROPIOS DEFECTOS Y QUE TAMBIEN PUEDEN MODIFICAR CARACTERISTICAS ESTRUCTURALES Y ENERGETICAS DE LOS DEFECTOS, ELLO PODRIA LLEVAR A REPLANTEAR LAS TEORIAS SOBRE EVOLUCION DE DEFECTOS, EXPLICAR OBSERVACIONES APARENTEMENTE CONTRADICTORIAS, DIFERENCIAR EL COMPORTAMIENTO DE NANOESTRUCTURAS (DONDE LA SUPERFICIE PUEDE LIBERAR FACILMENTE LA TENSION) FRENTE AL VOLUMEN, DESARROLLAR MODELOS QUE MEJOREN LA CAPACIDAD PREDICTIVA EN PROCESOS TECNOLOGICOS, Y DEFINIR VARIABLES DE CONTROL ADICIONALES PARA LA OPTIMIZACION DE PROCESOS Y DISPOSITIVOS EN APLICACIONES RELEVANTES, EN RELACION CON ESE EJE VERTEBRADOR, ASPECTOS CONCRETOS ABORDADOS EN ESTE PROYECTO INCLUYEN (I) ASIGNAR DEFECTOS CONCRETOS CON LINEAS DE FOTOLUMINISCENCIA, (II) DEFINIR LOS MECANISMOS DE FORMACION Y LA ESTRUCTURA ATOMICA DE DEFECTOS EXTENSOS DE INTERSTICIALES (III) CLARIFICAR EL PAPEL DEL GE Y C EN LA EVOLUCION DE DEFECTOS EN SI CRISTALINO Y EN LAS TRAMPAS DE HUECOS EN SI AMORFO (IV) DILUCIDAR EL PAPEL DE LAS VACANTES EN LA FORMACION DE NANOESTRUCTURAS EN GE AMORFO, AUNQUE NUESTRO ESTUDIO SE VA A CENTRAR EN SI Y GE, CON ENFASIS EN APLICACIONES CONCRETAS, LA METODOLOGIA Y LOS RESULTADOS OBTENIDOS PODRIAN SER EXTENSIBLES A OTROS MATERIALES O APLICACIONES,LAS TAREAS SE DISTRIBUYEN EN 3 AÑOS Y EN SU EJECUCION INTERVENDRAN UN ESTUDIANTE DE DOCTORADO Y 5 DOCTORES CON ACREDITADA EXPERIENCIA EN LAS DISTINTAS TECNICAS DE SIMULACION Y EN EL ESTUDIO DE MATERIALES Y PROCESOS DE TECNOLOGIA ELECTRONICA, INGENIERÍA DE DEFECTOS\MODELADO ATOMÍSTICO\NANOTECNOLOGÍA\OPTOELECTRÓNICA

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