Descripción del proyecto
ESTE PROYECTO TIENE COMO OBJETIVO DESARROLLAR Y VALIDAR EN ENTORNOS DE RADIACION RELEVANTES DOSIMETROS AVANZADOS BASADOS EN DETECTORES DE ESTADO SOLIDO PARA RESPONDER A LOS DESAFIOS DE LAS NUEVAS MODALIDADES DE RADIOTERAPIA COMO LA HADRONTERAPIA Y LA FLASH RT. PARA ELLO, SE EXPLORARAN DOS APROXIMACIONES TECNOLOGICAS DIFERENTES: 1) MICRODOSIMETROS 3D OPTIMIZADOS EN SILICIO. ESTA ES LA TECNOLOGIA DE REFERENCIA YA QUE DISPOSITIVOS FABRICADOS EN IMB-CNM YA HAN DEMOSTRADO SU BUEN FUNCIONAMIENTO PARA MEDICIONES MICRODOSIMETRICAS EN HACES DE HADRONES. MEDIANTE TECNICAS DE INGENIERIA DE MATERIALES Y UN DISEÑO OPTIMIZADO POR SIMULACION, SE PRODUCIRAN NUEVOS MICRODOSIMETROS 3D DE SILICIO CON UNA RESISTENCIA A LA RADIACION AUMENTADA PARA UNA VIDA UTIL MAS LARGA APUNTANDO A SU FUTURA TRANSFERENCIA A LA CLINICA.2) NUEVOS MICRODOSIMETROS 3D EN CARBURO DE SILICIO. ESTA ES UNA TECNOLOGIA ROMPEDORA QUE NO SE HA HECHO ANTES, PERO QUE EL IMB-CNM ESTA PREPARADO PARA ABORDAR. LOS DETECTORES DE RADIACION DE SIC TIENEN LA VENTAJA SOBRE LOS DE SI DE UNA MEJOR TOLERANCIA AMBIENTAL (TEMPERATURA, LUZ VISIBLE) Y UNA MAYOR RESISTENCIA A LA RADIACION. ADEMAS, LA MENOR SEÑAL POR MGY DEPOSITADO EN SIC HACE QUE ESTE MATERIAL SEA UNA SOLUCION PROMETEDORA PARA LA DOSIMETRIA EN CAMPOS DE RADIACION PULSADA DE ULTRA-ALTA DOSIS (EJ. TERAPIAS FLASH) O EN LA MONITORIZACION DIRECTA DE HAZ, DONDE EL DEPOSITO INSTANTANEO DE DOSIS EN EL SEMICONDUCTOR ES GRANDE.LOS DETECTORES FABRICADOS SE CARACTERIZARAN MEDIANTE TECNICAS AVANZADAS DE CARACTERIZACION MICROELECTRONICA Y SE ESTUDIARA SU RESISTENCIA A LA RADIACION. FINALMENTE, SE EVALUARA SU FUNCIONAMIENTO COMO DOSIMETROS EN HACES DE RADIACION CLINICOS Y/O CUASI-CLINICOS. ETECTORES DE RADIACION\RADIOTERAPIA\MICRODOSIMETRIA\DOSIMETRIA\DETECTORES DE SEMICONDUCTOR