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TEC2009-11143

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CRECIMIENTO POR MOVPE DE SEMICONDUCTORES III-V SOBRE SILICIO PARA CELULAS SOLARE...

CRECIMIENTO POR MOVPE DE SEMICONDUCTORES III-V SOBRE SILICIO PARA CELULAS SOLARES DE TERCERA GENERACION EN ESTE PROYECTO SE PRETENDEN ESTUDIAR ESTRATEGIAS DE CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES III-V (LOS MATERIALES BASE PARA LAS CELULAS SOLARES MULTIUNION DE ALTA EFICIENCIA) SOBRE SUBSTRATOS DE SILICIO MEDIANTE LA TECNICA DE EPITAXIA EN... ver más

01/01/2009

UPM

131K€

Presupuesto del proyecto: 131K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3944

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2009-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UPM

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3944

Presupuesto del proyecto 131K€

Descripción del proyecto EN ESTE PROYECTO SE PRETENDEN ESTUDIAR ESTRATEGIAS DE CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES III-V (LOS MATERIALES BASE PARA LAS CELULAS SOLARES MULTIUNION DE ALTA EFICIENCIA) SOBRE SUBSTRATOS DE SILICIO MEDIANTE LA TECNICA DE EPITAXIA EN FASE VAPOR MEDIANTE PRECURSORES METALORGANICOS (MOVPE), EL OBJETIVO ES OBTENER MATERIALES III-V (GAP, GAASP, GAINP) CON SUFICIENTE CALIDAD FOTOVOLTAICA PARA SU EVENTUAL INTEGRACION EN CELULAS SOLARES MULTIUNION HIBRIDAS III-V SILICIO, EN ESTA LINEA, EL PRESENTE PROYECTO BUSCA ABARATAR LA TECNOLOGIA DE LAS CELULAS SOLARES MULTIUNION, AL DESARROLLAR PROCEDIMIENTOS PARA PODER FABRICARLAS SOBRE SUBSTRATOS DE BAJO COSTE SENTANDO LAS BASES PARA UNA REDUCCION RADICAL DE COSTES EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS DE ALTA EFICIENCIA, NO SE TRATA EN ESTE PROYECTO DE FABRICAR CELULAS RECORD SINO DE ABORDAR LOS PROBLEMAS BASICOS DE INGENIERIA DE MATERIALES ASOCIADOS AL CRECIMIENTO MOVPE DE ALGUNOS COMPUESTOS III-V EN FASE METAMORFICA (GAP, GAASP Y GAINP, FUNDAMENTALMENTE) SOBRE SILICIO, Y OBTENER UNA PRIMERA VALORACION DE SU POTENCIAL FOTOVOLTAICO, PARA ELLO, EL PROYECTO SE ESTRUCTURA ALREDEDOR DE CUATRO OBJETIVOS CONCRETOS: 1, DESARROLLAR MODELOS DE SIMULACION DE CELULAS MULTIUNION III-V /SI 2, DESARROLLAR SUBSTRATOS VIRTUALES DE GAINASP/SI 3, ESTUDIAR LA INTEGRACION DE MATERIALES III-V SOBRE EL SUBSTRATO VIRTUAL GAINASP/SI 4, FABRICAR Y CARACTERIZAR CELULAS SOLARES MULTIUNION DE GAASP/SILA VIABILIDAD DE ESTOS OBJETIVOS ESTA AVALADA POR LA EXPERIENCIA DEL EQUIPO INVESTIGADOR (PERTENECIENTE AL GRUPO DE SEMICONDUCTORES III-V DEL INSTITUTO DE ENERGIA SOLAR DE LA UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID), QUE HA LOGRADO RECORDS DE EFICIENCIA EN CELULAS SOLARES MULTIUNION Y PRESENTA UNA IMPORTANTE EXPERIENCIA EN CRECIMIENTO MOVPE, CELULA SOLAR\MULTIUNION\EPITAXIA\MOVPE\SEMICONDUCTORES III-V

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