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ENE2010-21384-C04-04

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AVANCES EN MATERIALES E INTERFACES PARA CELULAS SOLARES DE SILICIO EN LAMINA DEL...

AVANCES EN MATERIALES E INTERFACES PARA CELULAS SOLARES DE SILICIO EN LAMINA DELGADA EL CONSORCIO SOLICITANTE HA DESARROLLADO EN LOS ULTIMOS AÑOS LA UNICA TECNOLOGIA PROPIA QUE EXISTE EN ESPAÑA EN EL CAMPO DE LA CONVERSION FOTOVOLTAICA BASADA EN SILICIO EN LAMINA DELGADA, GRACIAS A UNA COLABORACION ESTABLECIDA HAC... ver más

01/01/2010

UPC

91K€

Presupuesto del proyecto: 91K€

Líder del proyecto

Universidad Politécnica de Cataluña No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 9

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2010-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UPC

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Líder del proyecto

Universidad Politécnica de Cataluña No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 9

Presupuesto del proyecto 91K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL CONSORCIO SOLICITANTE HA DESARROLLADO EN LOS ULTIMOS AÑOS LA UNICA TECNOLOGIA PROPIA QUE EXISTE EN ESPAÑA EN EL CAMPO DE LA CONVERSION FOTOVOLTAICA BASADA EN SILICIO EN LAMINA DELGADA, GRACIAS A UNA COLABORACION ESTABLECIDA HACE CASI UNA DECADA Y SOSTENIDA A LO LARGO DE SUCESIVAS CONVOCATORIAS DE PROYECTOS DE INVESTIGACION DEL PLAN NACIONAL DE I+D, ELLO HA PERMITIDO A LOS GRUPOS PARTICIPANTES ALCANZAR HASTA EL MOMENTO EFICIENCIAS DEL 8% EN CELULAS DE SILICIO AMORFO EN ESTRUCTURA PIN SOBRE VIDRIO Y POR ENCIMA DEL 15% EN CELULAS DE HETEROUNION DE SILICIO,SOBRE LA BASE DE ESTOS BUENOS RESULTADOS, ESTE PROYECTO PRETENDE ELEVAR EL NIVEL INVESTIGADOR DE LOS GRUPOS IMPLICADOS HASTA LOS MEJORES ESTANDARES INTERNACIONALES MEDIANTE EL DESARROLLO DE UNA ESTRATEGIA QUE, CONSISTE EN: (1) PROFUNDIZAR EN EL CONOCIMIENTO DE LOS MATERIALES E INTERFACES INVOLUCRADOS EN EL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS BASADOS EN LAS TECNOLOGIAS DE SILICIO DE LAMINA DELGADA; (2) UTILIZAR ESE CONOCIMIENTO, COMBINADO CON EL DESARROLLO DE TECNICAS DE PROCESO BASADAS EN LASER, PARA INTRODUCIR MODIFICACIONES CLAVE EN DICHOS MATERIALES E INTERFACES Y (3) APLICAR TODO ELLO AL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS AVANZADOS,EL PLAN DE ACCION ESTA DIVIDIDO EN 5 PAQUETES DE TRABAJO, LOS DOS PRIMEROS CUBREN LA ETAPA DE INVESTIGACION DE DISTINTOS MATERIALES, EL TERCERO LA CORRESPONDIENTE A LAS INTERFACES, EL CUARTO EL DESARROLLO DE LOS PROCESOS LASER Y EL QUINTO LA APLICACION DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS A LA PREPARACION DE DISPOSITIVOS TANTO DE LAMINA DELGADA COMO DE HETEROUNION,EL PAQUETE DE TRABAJO 1 ESTA DEDICADO AL DESARROLLO DE CONCEPTOS AVANZADOS EN LA PREPARACION DE SILICIO, CON TAREAS, DIRIGIDAS RESPECTIVAMENTE AL DEPOSITO A BAJA TEMPERATURA SOBRE SUBSTRATOS FLEXIBLES, LA UTILIZACION DE SILICIO MICROCRISTALINO COMO ABSORBENTE Y COMO EMISOR Y EL AUMENTO DEL COEFICIENTE DE ABSORCION DEL SILICIO MICROCRISTALINO MEDIANTE EXCITACION PLASMONICA,EL PAQUETE 2 ESTA CENTRADO EN NUEVOS CONCEPTOS EN CONTACTOS Y REFLECTORES POSTERIORES, CON TAREAS, DEDICADAS RESPECTIVAMENTE AL DESARROLLO DE OXIDOS CONDUCTORES TRANSPARENTES AVANZADOS, TECNICAS DE MICROESTRUCTURA Y CONCEPTOS AVANZADOS DE ATRAPAMIENTO DE LUZ,EL PAQUETE 3 ESTA ENFOCADO HACIA LA INVESTIGACION DE LAS INTERFACES Y DE LOS TRATAMIENTOS SUPERFICIALES EN SILICIO CRISTALINO, CON TAREAS ORIENTADAS RESPECTIVAMENTE A LA INVESTIGACION DE PROCESOS DE LIMPIEZA Y ACONDICIONAMIENTO DE SUPERFICIES, EL DESARROLLO DE NUEVOS PROCEDIMIENTOS DE TEXTURIZACION DE LAS MISMAS, EL DEPOSITO DE EMISORES ESPECIFICAMENTE PARA HETEROUNIONES Y LA INVESTIGACION DE TECNICAS DE PASIVACION A BAJA TEMPERATURA,EL PAQUETE 4 ABORDA EL ESTUDIO DE NUEVOS PROCESOS LASER INVOLUCRADOS EN LA TECNOLOGIA DE DISPOSITIVOS, SUS TAREAS ESTAN CENTRADAS RESPECTIVAMENTE EN PROCESOS DE ABLACION CON FUENTES DE PICOSEGUNDO, ABLACION DE LAMINAS SOBRE SUBSTRATOS FLEXIBLES, OPTIMIZACION DE PROCESOS DE LASER FIRING, PREPARACION DE EMISORES PUNTUALES POR DOPADO CON LASER Y CRISTALIZACION LASER DE SILICIO AMORFO,EL PAQUETE 5, POR ULTIMO ABORDA LA APLICACION DE TODOS LOS CONCEPTOS ANTERIORMENTE DESARROLLADOS A LA PREPARACION DE DISPOSITIVOS AVANZADOS DE DOS TIPOS (CORRESPONDIENTES RESPECTIVAMENTE A LAS TAREAS DEL PAQUETE): PIN O NIP DE SILICIO EN LAMINA DELGADA Y CELULAS DE HETEROUNION DE SILICIO,EL PROYECTO ES DE GRAN INTERES PARA UN FABRICANTE ESPAÑOL DE MODULOS FOTOVOLTAICOS DE SILICIO EN LAMINA DELGADA: TSOLAR GLOBAL S,A,, QUE ACTUA COMO ENTE PROMOTOR OBSERVADOR, FOTOVOLTAICA\LAMINA DELGADA\SILICIO\HETEROUNION\LASER

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