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Descripción del proyecto
EL TRABAJO DEL GRUPO IMB-CNM EN EL UPGRADE DEL EXPERIMENTO ATLAS SE CENTRA EN LA ZONA END-CAP (EC) DEL INNER DETECTOR. EL GRUPO HA ACUMULADO UNA GRAN EXPERIENCIA EN ESTOS SISTEMAS CON UNA FUERTE PARTICIPACION EN EL END-CAP DEL SEMICONDUCTOR TRACKER (SCT) ACTUAL. LA CONTRIBUCION DE LA IMB ES MUY TECNOLOGICA Y SE CENTRARA EN EL DESARROLLO Y EL TEST DE LOS DIFERENTES ELEMENTOS DEL SISTEMA. VAMOS A CONTRIBUIR EN EL DISEÑO DE LOS SENSORES DEL EC, QUE TIENE QUE TENER EN CUENTA EL ESTEREO ANGULO Y EL ANGULO AZIMUTAL EN CADA STRIP, LOS STRIPS INCOMPLETOS, EL ANGULO BONDADO, ETC. LAS HERRAMIENTAS DESARROLLADAS POR LA IMB PARA LA GENERACION AUTOMATICA DE DISEÑOS DE SENSORES SERAN CLAVE PARA ESTOS DESARROLLOS Y NOS PERMITIRAN HACER FRENTE A LAS DIFICULTADES DE DISEÑO DE LOS SENSORES DEL EC. NUEVAS SOLUCIONES TECNOLOGICAS TAMBIEN SE PONDRAN A PRUEBA PARA SER INCORPORADAS EN LOS SENSORES COMO LOS EMBEDDED FANINS, PADS ROTADOS, LA COBERTURA DEL AREA "HUERFANA", CAPAS INTER-METAL NOVEDOSAS, O FANINS AC. EL IMB TAMBIEN CONTRIBUIRA CON LA FABRICACION DE PROTOTIPOS DE SENSORES DE 6 PULGADAS PARA PROBAR EL FUNCIONAMIENTO Y LA VERIFICACION DE LA RESISTENCIA A LA RADIACION.CON EL FIN DE INVESTIGAR LOS PROBLEMAS ESPECIFICOS DEL EC, SE HA DEFINIDO EL LLAMADO "PETALET" COMO UN PROTOTIPO EN PEQUEÑO DEL EC. LOS SENSORES INCORPORARAN ALGUNAS DE LAS SOLUCIONES TECNICAS PROPUESTAS. SE REALIZARA UN PROGRAMA COMPLETO DE TEST CON EL FIN DE CONSTRUIR Y TESTEAR VARIOS PETALETS COMPLETOS. EL DISEÑO Y LA FABRICACION DE LOS SENSORES SE LLEVARA A CABO EN EL IMB, Y EL GRUPO TENDRA UNA IMPORTANTE PARTICIPACION EN EL PROGRAMA DE TEST JUNTO CON EL IFIC.IMB ES PARTE DE LA COLABORACION RD50 DEL CERN DESDE SU CREACION EN 2001. HEMOS CONTRIBUIDO EN LA MAYORIA DE LOS RESULTADOS DE INVESTIGACION DE LA COLABORACION EN NUEVOS SENSORES RESISTENTES A LA RADIACION PARA EXPERIMENTOS DE FISICA DE PARTICULAS Y JUGAMOS UN PAPEL IMPORTANTE EN LA FABRICACION DE SENSORES PARA LA COLABORACION. LOS PROYECTOS QUE NOS PROPONEMOS LLEVAR A CABO EN EL MARCO DEL RD50 SON: 1) SENSORES DE STRIP DE BAJA RESISTIVIDAD, CON EL OBJETIVO DE REDUCIR LA RESISTENCIA DEL STRIP PARA PROTEGER A LOS SENSORES EN CASO DE PERDIDA DEL HAZ, 2) SLIM EDGES, CON EL OBJETIVO DE REDUCIR EL ESPACIO NO SENSIBLE ENTRE EL VOLUMEN ACTIVO Y EL BORDE DE CORTE DE LOS SENSORES, Y 3) MULTIPLICACION DE CARGA, PARA ESTUDIAR LA POSIBILIDAD DE AUMENTAR EL EFECTO DE MULTIPLICACION DE CARGA PARA TENER MEJORES RESULTADOS DE COLECCION DE CARGA A BAJAS TENSIONES DE POLARIZACION EN SENSORES FUERTEMENTE IRRADIADOS.LA RADIACION PRESENTE EN EL ENTORNO DEL ATLAS ACTUAL SE INCREMENTARA EN UN FACTOR ENTRE 5 Y 10. POR LO TANTO TODOS LOS COMPONENTES QUE FORMAN PARTE DEL DETECTOR INTERNO TIENEN QUE ESTAR TESTEADOS Y VERIFICADOS FRENTE A ESOS NIVELES DE RADIACION. EN PARTICULAR, LOS ASICS DISEÑADOS PARA LA ELECTRONICA DE LECTURA Y LOS NECESARIOS PARA LA DISTRIBUCION DE LA ALIMENTACION, SON COMPONENTES ESPECIALMENTE SENSIBLES AL DAÑO POR RADIACION. ESTOS ASIC TIENEN QUE SER SOMETIDOS A UN PROGRAMA DE TEST COMPLETO CON EL FIN DE OPTIMIZARLOS EN FUNCION DE LA RADIACION IONIZANTE (TID), LA NO IONIZANTE(NIEL), Y LOS EVENTOS SINGULARES (SEE). ESTOS TESTS YA HAN COMENZADO CON LOS PRIMEROS PROTOTIPOS Y YA HAN APARECIDO VARIOS PROBLEMAS. TENEMOS LA INTENCION DE ESTUDIAR ESTOS EFECTOS, TANTO A TRAVES DE TESTS DE IRRADIACION EN DISPOSITIVOS REALES, COMO A TRAVES DE SIMULACIONES FISICAS DE LOS EFECTOS DE LA RADIACION EN LOS DISPOSITIVOS.
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