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PID2020-116508RB-I00

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CONTACTOS SELECTIVOS EMERGENTES PARA CELULAS SOLARES DE SI SIN DOPADO FABRICADOS...

CONTACTOS SELECTIVOS EMERGENTES PARA CELULAS SOLARES DE SI SIN DOPADO FABRICADOS MEDIANTE PULVERIZACION DE ALTA PRESION EN LA ACTUALIDAD, ESPAÑA ESTA ADOPTANDO POLITICAS ENERGETICAS ENFOCADAS A ALCANZAR LOS OBJETIVOS CLIMATICOS CONSENSUADOS EN LA CONFERENCIA SOBRE CAMBIO CLIMATICO DE LAS NACIONES UNIDAS (ACUERDO DE PARIS 2015). DEBIDO A ESTO, LA IN... ver más

01/01/2020

UCM

165K€

Presupuesto del proyecto: 165K€

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2020-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Participantes

UCM

Lider

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Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Presupuesto del proyecto 165K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EN LA ACTUALIDAD, ESPAÑA ESTA ADOPTANDO POLITICAS ENERGETICAS ENFOCADAS A ALCANZAR LOS OBJETIVOS CLIMATICOS CONSENSUADOS EN LA CONFERENCIA SOBRE CAMBIO CLIMATICO DE LAS NACIONES UNIDAS (ACUERDO DE PARIS 2015). DEBIDO A ESTO, LA INVESTIGACION EN PRODUCCION FOTOVOLTAICA ES UNO DE LOS CAMPOS MAS ACTIVOS EN LA ACTUALIDAD. PARA PODER CONTINUAR REDUCIENDO EL COSTE DEL KWH FOTOVOLTAICO SON NECESARIAS NUEVAS TECNOLOGIAS DE FABRICACION DE CELULAS, CON OBJETIVO REDUCIR COSTES Y AUMENTAR EFICIENCIAS. UNA DE ESTAS TECNOLOGIAS SON LAS CELULAS CON CONTACTOS SELECTIVOS (SC) ALTERNATIVOS SIN DOPADO CONOCIDAS COMO CELULAS DASH (DOPANT-FREE ASYMMETRIC SILICON HETEROCONTACT), QUE ESTAN BASADAS EN LAS CELULAS HIT (HETEROJUNCTION WITH INTRINSIC THIN LAYER), AMBAS FABRICADAS SOBRE OBLEAS DE SILICIO MONOCRISTALINO. UNA CELULA HIT EMPLEA CAPAS DE SILICIO AMORFO (A-SI) DOPADO E INTRINSECO PARA CONSEGUIR SC. EN LA CELULA DASH, ALGUNA DE LAS CAPAS DE A-SI SE SUSTITUYE POR MATERIALES QUE PRODUZCAN EL MISMO EFECTO DE SELECTIVIDAD, PERO QUE REDUZCAN LA ABSORCION DE LUZ PARASITA PRODUCIDA POR EL A-SI. DESDE EL PUNTO DE VISTA PRACTICO, PARA QUE FUNCIONEN COMO SC, ES CRITICO QUE ESTOS MATERIALES NO PRODUZCAN UN AUMENTO DE LA RESISTENCIA SERIE Y QUE PASIVEN LA SUPERFICE. EN ESTE PROYECTO SE PRESENTA UNA PROPUESTA DE FABRICACION, CARACTERIZACION E IMPLEMENTACION DE SC EN CELULAS DE SILICIO MEDIANTE UNA TECNICA NO CONVENCIONAL COMO ES LA PULVERIZACION DE ALTA PRESION (HPS). ESTA TECNICA HA DEMOSTRADO EN OTROS CAMPOS QUE PUEDE DEPOSITAR UNA GRAN VARIEDAD DE MATERIALES PRODUCIENDO UNA DENSIDAD DE DEFECTOS INTERFACIAL MINIMA. ADEMAS, PARA LA OPTIMIZACION ESTUDIAREMOS EL RECOCIDO POR FLASH LAMP ANNEALING (FLA) EN COORDINACION CON UNA EMPRESA INDUSTRIAL ALEMANA (ROVAK GMBH). ESTE PROCESO DE FABRICACION ESTA GANANDO INTERES EN LA COMUNIDAD FOTOVOLTAICA DEBIDO A SU ALTA EFICIENCIA ENERGETICA EN PROCESOS INDUSTRIALES. EL OBJETIVO ULTIMO DE ESTE PROYECTO ES FABRICAR UNA CELULA DE DEMOSTRACION EN LA QUE LOS CONTACTOS DE ELECTRONES (ESC) Y HUECOS (HSC) SE HAYAN FABRICADO MEDIANTE HPS Y FLA. ESTE OBJETIVO GENERAL SE ESTRUCTURA EN TRES SUB-OBJETIVOS:-OBJETIVO 1, TCO: DEPOSITO MEDIANTE HPS DE OXIDOS CONDUCTORES TRANSPARENTES, CON ALTA TRANSPARENCIA EN EL ESPECTRO SOLAR Y PARAMETROS ELECTRICOS ADECUADOS. SE ESTUDIARAN EL ITO Y EL AZO.-OBJETIVO 2, HSC: DEPOSITO MEDIANTE HPS Y OPTIMIZACION POR FLA DE UN HSC. COMENZAREMOS EL ESTUDIO POR EL MOOX Y POSTERIORMENTE ANALIZAREMOS OXIDOS METALICOS ALTERNATIVOS.OBJETIVO 3, ESC: DEPOSITO MEDIANTE HPS Y OPTIMIZACION POR FLA DE UN ESC. NOS CENTRAREMOS EN EL TIOX Y EVENTUALMENTE ANALIZAREMOS EL SISTEMA LIFX/TIOX.-OBJETIVO FINAL, SC-PVCELL: INTEGRACION DE LOS MATERIALES OPTIMIZADOS EN LOS OBJETIVOS ANTERIORES EN CELULAS SOLARES DE SI FUNCIONALES. SE FABRICARAN CELULAS BASADAS EN LA ARQUITECTURA HIT DONDE INTEGRAREMOS O EL HSC O EL ESC. POSTERIORMENTE, SE FABRICARAN CELULAS DASH DONDE AMBOS CONTACTOS SELECTIVOS HAYAN SIDO DEPOSITADOS POR HPS Y OPTIMIZADOS POR FLA. LA CONSECUCION DE ESTE PROYECTO PERMITIRA MOSTRAR LAS CAPACIDADES DEL HPS Y EL FLA EN LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES, SENTANDO LOS CIMIENTOS DE UNA INDUSTRIA ESCALABLE Y COMPETITIVA Y ABRIENDO LA POSIBILIDAD DE LA TRANSFERENCIA DE ESTA TECNOLOGIA A EMPRESAS FOTOVOLTAICAS. ESTO SUPONDRIA UN PASO HACIA LA REACTIVACION DEL TEJIDO INDUSTRIAL FOTOVOLTAICO NACIONAL Y EUROPEO, AYUDANDO A ALCANZAR LOS OBJETIVOS IMPUESTOS EN LOS PLANES ENERGETICOS Y CLIMATICOS NACIONALES. OTOVOLTAICA\RECOCIDO FLASH\PULVERIZACION\CELULAS SOLARES\CONTACTOS SELECTIVOS

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