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TEC2014-59736-R

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CELULAS SOLARES DE SILICIO CRISTALINO CON CONTACTOS POSTERIORES BASADAS EN EL PR...

CELULAS SOLARES DE SILICIO CRISTALINO CON CONTACTOS POSTERIORES BASADAS EN EL PROCESADO LASER DE CAPAS DIELECTRICAS EL MERCADO FOTOVOLTAICO PARA APLICACIONES TERRESTRES SIGUE DOMINADO POR DISPOSITIVOS BASADOS EN OBLEAS DE SILICIO Y LO SEGUIRA ESTANDO EN LOS PROXIMOS AÑOS, LAS TENDENCIAS ACTUALES PARA REBAJAR LOS COSTES DE ESTOS DISPOSITIVOS PAS... ver más

01/01/2014

UPC

111K€

Presupuesto del proyecto: 111K€

Líder del proyecto

Universidad Politécnica de Cataluña No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 9

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2014-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

Universidad Politécnica de Cataluña No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 9

Presupuesto del proyecto 111K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL MERCADO FOTOVOLTAICO PARA APLICACIONES TERRESTRES SIGUE DOMINADO POR DISPOSITIVOS BASADOS EN OBLEAS DE SILICIO Y LO SEGUIRA ESTANDO EN LOS PROXIMOS AÑOS, LAS TENDENCIAS ACTUALES PARA REBAJAR LOS COSTES DE ESTOS DISPOSITIVOS PASAN POR CELULAS SOLARES CUYOS CONTACTOS SE DEFINEN EN LA SUPERFICIE TRASERA (INTERDIGITATED BACK-CONTACTED, IBC) Y LA UTILIZACION DE OBLEAS DELGADAS QUE REQUIEREN DE PROCESOS A BAJA TEMPERATURA, LA COMBINACION DE AMBAS IDEAS CONVERGE EN LAS CELULAS CON CONTACTOS POSTERIORES Y CON TECNOLOGIA DE HETEROUNION DE SILICIO DESARROLLADAS ACTUALMENTE EN LOS GRUPOS DE I+D DE LAS GRANDES EMPRESAS DEL SECTOR,EN EL PRESENTE PROYECTO, QUEREMOS DESARROLLAR UNA NOVEDOSA ESTRUCTURA DE CELULA CON CONTACTOS POSTERIORES BASADA EN EL PROCESADO LASER DE CAPAS DIELECTRICAS A LA QUE HEMOS DENOMINADO DOPLA-IBC (DOPED BY LASER - INTERDIGITATED BACK-CONTACTED) LAS CAPAS DIELECTRICAS REALIZAN TRES TAREAS: FUENTE DE DOPANTE EN EL PROCESO LASER, PASIVACION ELECTRICA DE LA SUPERFICIE Y CONFINAMIENTO OPTICO, ESTOS DISPOSITIVOS TIENEN EN COMUN CON LOS DE HETEROUNION DE SILICIO LA ESTRUCTURA DE CONTACTOS POSTERIORES Y SU FABRICACION A BAJA TEMPERATURA, PERO PRESENTAN CLARAS VENTAJAS: CONTACTOS PUNTUALES QUE SEPARAN LA SUPERFICIE DE CONTACTO DE LA PASIVADA, FACILIDAD DE PATTERNING Y CONTACTOS CONVENCIONALES SIN OXIDOS TRANSPARENTES CONDUCTORES, ADEMAS, ESTA ESTRUCTURA SE PUEDE FABRICAR SOBRE SUBSTRATOS TIPO P Y TIPO N A PARTIR DE LAS MISMAS CAPAS DIELECTRICAS, TODAS ESTAS VENTAJAS MANTIENEN EL POTENCIAL DE ALTA EFICIENCIA SIMPLIFICANDO LA FABRICACION,EL GRUPO POSEE EXPERIENCIA PREVIA EN LA FABRICACION DE CELULAS IBC CON TECNOLOGIA CONVENCIONAL ALCANZANDO UNA EFICIENCIA DE CONVERSION DE 19,3 %, A LA VEZ QUE HA DESARROLLADO ZONAS DOPADAS N+ Y P+ A PARTIR DEL PROCESADO LASER DE CAPAS DIELECTRICAS, POR TANTO, EL PRESENTE PROYECTO SE HA DIVIDIDO EN LAS SIGUIENTES TAREAS Y OBJETIVOS:- FABRICACION DE CELULAS IBC CONVENCIONALES CON EFICIENCIAS POR ENCIMA DEL 22 %: QUEREMOS DESARROLLAR NUESTRA TECNOLOGIA CONVENCIONAL HASTA ALCANZAR EL ESTADO DEL ARTE A NIVEL MUNDIAL, ESTO NOS PERMITIRA AFRONTAR EL DESARROLLO DE LOS DISPOSITIVOS DOPLA-IBC DE FORMA SOLIDA Y DARA MUCHA VISIBILIDAD AL GRUPO,- FABRICACION DE CELULAS DOPLA-IBC CON EFICIENCIAS POR ENCIMA DEL 18 %: SE ESTUDIARAN DIFERENTES CAPAS DIELECTRICAS DESDE EL PUNTO DE VISTA DE LA PASIVACION SUPERFICIAL DEL SILICIO, PROPIEDADES OPTICAS Y CALIDAD DE LAS REGIONES DOPADAS A PARTIR DEL PROCESADO LASER, ADEMAS ESTUDIAREMOS LA MANERA MAS SENCILLA PARA REALIZAR EL PATTERNING DE LAS CAPAS TRASERAS, POSIBLEMENTE MEDIANTE DEPOSITO CON MASCARA, FINALMENTE, TODO ESTE CONOCIMIENTO SE UTILIZARA PARA DEMOSTRAR LA VIABILIDAD DE LOS DISPOSITIVOS DOPLA-IBC CON LOS QUE CREEMOS PODER ALCANZAR UN 18 % EN EL MARCO DEL PRESENTE PROYECTO,- EXPLORACION DE LA ESTRUCTURAS IBC EN OBLEAS DE SILICIO ULTRAFINAS (< 20 µM): QUEREMOS EMPEZAR A APLICAR ESTOS DISPOSITIVOS EN CELULAS DELGADAS A PARTIR DEL ADELGAZAMIENTO DE OBLEAS UNA VEZ FABRICADOS LOS CONTACTOS, ESTO NOS PERMITIRA CENTRARNOS EN EL REDISEÑO DE LOS DISPOSITIVOS PARA ADAPTARLOS A LOS SUBSTRATOS DELGADOS Y EVITAR LOS PROBLEMAS DE MANIPULACION DE ESTOS SUBSTRATOS, ADEMAS SE INVESTIGARAN TECNICAS DE DEFINICION DE ESTRUCTURAS FOTONICAS COMPATIBLES CON ESTOS SUBSTRATOS DONDE EL CONFINAMIENTO OPTICO ES DE GRAN IMPORTANCIA, CÉLULAS SOLARES\SILICIO CRISTALINO\CONTACTOS POSTERIORES\DOPADO LÁSER\PASIVACIÓN SUPERFICIAL

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