Descripción del proyecto
ESTE PROYECTO TIENE COMO OBJETIVO FUNDAMENTAL EL DESARROLLO DE MODELOS CIRCUITALES Y NUEVAS TECNICAS PARA LA REDUCCION DE LAS INTERFERENCIAS ELECTROMAGNETICAS (EMI) EN SISTEMAS ELECTRONICOS, A NIVEL DE CIRCUITO INTEGRADO (CI), DURANTE LA EJECUCION DEL PROYECTO, SE CARACTERIZARAN Y MODELARAN LAS EMI AMPLIANDO EL RANGO FRECUENCIAL DE LOS MODELOS ACTUALES, DE FORMA COMPLEMENTARIA, DICHOS MODELOS INCLUIRAN LA DEGRADACION DE LOS CI ORIGINADA POR LOS DIFERENTES MECANISMOS DE DEGRADACION (DEPENDIENTES DEL TIEMPO) DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS QUE LOS CONFORMAN, IGUALMENTE, SE PROPONDRAN NUEVAS TECNICAS DE DISEÑO QUE MEJOREN LA COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA (EMC) DE LOS CI, INCREMENTANDO SU INMUNIDAD Y/O MINIMIZANDO SU NIVEL DE EMISION, PARA ELLO, SE DISEÑARAN ESTRUCTURAS BASADAS EN METAMATERIALES (CRISTALES ELECTROMAGNETICOS Y MEDIOS EFECTIVOS NEGATIVOS), ASI COMO NUEVAS TOPOLOGIAS CIRCUITALES BASADAS EN EL REDISEÑO DE LA PARTE ACTIVA DE LOS CIRCUITOS, PARA DEMOSTRAR LA VIABILIDAD DE ESTAS IDEAS, SE DESARROLLARAN PROTOTIPOS A NIVEL DE OBLEA QUE, MEDIANTE SU CARACTERIZACION, PERMITAN VALIDAR EL GRADO DE EFECTIVIDAD DE LAS IMPLEMENTACIONES PROPUESTAS, ASI COMO LA CORRELACION CON LOS MODELOS SPICE DESARROLLADOS, SE CARACTERIZARAN CIRCUITOS CON Y SIN ENCAPSULADO A FIN DE PREDECIR, NO UNICAMENTE EL COMPORTAMIENTO DE LOS CIRCUITOS, SINO TAMBIEN EL CORRESPONDIENTE AL ENCAPSULADO, DE ESTE MODO, SE PRETENDE DISPONER DE UNA METODOLOGIA COMPLETA DE DISEÑO A NIVEL DE SIMULACION ELECTRICA/ELECTROMAGNETICA QUE PERMITA PREDECIR Y MINIMIZAR LOS EFECTOS DE LA POLUCION ELECTROMAGNETICA, EN PARTICULAR, SE PRETENDE AUMENTAR LOS MARGENES DE SEGURIDAD FRENTE A LAS EMI, MANTENIENDO LAS PRESTACIONES Y ESPECIFICACIONES, DURANTE EL TIEMPO DE VIDA UTIL DE LOS CIRCUITOS, EL PRESENTE PROYECTO ES CONTINUACION DEL TEC2009-09994 Y SE ENMARCA EN EL CONTEXTO DE LAS COLABORACIONES INTERNACIONALES A NIVEL DE INVESTIGACION DE LOS SOLICITANTES,