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PID2020-112548RB-I00

Financiado

CAPAS FINAS EPITAXIALES DE HFO2 CON ALTA POLARIZACION FERROELECTRICA, RESISTENCI...

CAPAS FINAS EPITAXIALES DE HFO2 CON ALTA POLARIZACION FERROELECTRICA, RESISTENCIA AL CICLADO Y RETENCION LAS TECNOLOGIAS DE INFORMACION Y COMUNICACION (TIC) BENEFICIAN A NUESTRA SOCIEDAD, SIN EMBARGO, LA CRECIENTE ACTIVIDAD DE LA INDUSTRIA DE LAS TIC SE PRODUCE A COSTA DE UN ENORME CONSUMO DE ENERGIA Y YA ES UNO DE LOS PRINCIPALES SE... ver más

01/01/2020

CSIC

109K€

Presupuesto del proyecto: 109K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2020-01-01

0% 100%

Participantes

CSIC

Lider

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA...

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 109K€

Descripción del proyecto LAS TECNOLOGIAS DE INFORMACION Y COMUNICACION (TIC) BENEFICIAN A NUESTRA SOCIEDAD, SIN EMBARGO, LA CRECIENTE ACTIVIDAD DE LA INDUSTRIA DE LAS TIC SE PRODUCE A COSTA DE UN ENORME CONSUMO DE ENERGIA Y YA ES UNO DE LOS PRINCIPALES SECTORES RESPONSABLES DE LA DEMANDA ENERGETICA GLOBAL, ES NECESARIO REDUCIR EL CONSUMO, Y PARA ELLO SE DEBEN DESARROLLAR DISPOSITIVOS MUCHO MAS EFICIENTES ENERGETICAMENTE, ESTO IMPLICA QUE LAS MEMORIAS QUE ESTAN ACTUALMENTE EN USO DEBEN SER REEMPLAZADAS,LAS MEMORIAS FERROELECTRICAS SON LAS MAS EFICIENTES CONSIDERANDO SU CONSUMO DE ENERGIA Y TAMBIEN OFRECEN EXCELENTES CARACTERISTICAS DE VELOCIDAD, RESISTENCIA AL CICLADO Y RETENCION, PERO EL USO DE ESTAS MEMORIAS ES ESCASO PORQUE LA COMPLEJIDAD DE LAS PEROVSKITAS FERROELECTRICAS UTILIZADAS, PRINCIPALMENTE PZT, IMPIDE AUMENTAR LA DENSIDAD DE INTEGRACION, SIN EMBARGO, EL ESCENARIO ES AHORA PROMETEDOR TRAS EL DESCUBRIMIENTO DE FERROELECTRICIDAD ROBUSTA A TEMPERATURA AMBIENTE EN HFO2, UN OXIDO MUCHO MAS SIMPLE Y COMPATIBLE CON PROCESOS CMOS EN SU ETAPA BACK-END-OF-LINE, SIN EMBARGO, ES NECESARIO COMPRENDER MEJOR LAS PROPIEDADES FERROELECTRICAS DEL HFO2 Y MEJORAR LA RESISTENCIA AL CICLADO, ACTUALMENTE LIMITADA A E11 CICLOS, EL AUMENTO DE LA RESISTENCIA AL CICLADO PROGRESA LENTAMENTE, EN GRAN MEDIDA POR LA EXISTENCIA DE DILEMAS RESISTENCIA-POLARIZACION Y RESISTENCIA-RETENCION,PARA AVANZAR EN ESTE OBJETIVO, VAMOS A INVESTIGAR CAPAS EPITAXIALES EN LUGAR DE POLICRISTALINAS, NUESTRO GRUPO ES UNO DE LOS PIONEROS EN LA INVESTIGACION DE HFO2 FERROELECTRICO EPITAXIAL, EN EL PROYECTO EPI-HAFNIA, EL OBJETIVO ES CONTROLAR Y MEJORAR LA POLARIZACION, LA RESISTENCIA AL CICLADO Y LA RETENCION DE CAPAS EPITAXIALES DE HFO2 DOPADO, CRECIDAS MEDIANTE DEPOSITO CON LASER PULSADO, EL PROYECTO EPI-HAFNIA SEGUIRA UNA ESTRATEGIA PARALELA ABORDANDO TRES METODOLOGIAS DIFERENTES HACIA EL OBJETIVO FINAL:1) CONTROL DE LAS PROPIEDADES MEDIANTE NUEVAS METODOLOGIAS DE CRECIMIENTO, ESPERAMOS CONTROLAR LOS DEFECTOS, PARTICULARMENTE LAS VACANTES DE OXIGENO Y LA FASE PARAELECTRICA PARASITARIA, USANDO CONDICIONES DE CRECIMIENTO NO CONVENCIONALES, ASI COMO CAPAS SEMILLA PARA REDUCIR LA TEMPERATURA UMBRAL DE CRISTALIZACION,2) CONTROL DE PROPIEDADES POR COMPOSICION QUIMICA, EL DOPAJE CON LA ES LA ESTRATEGIA MAS PROMETEDORA PARA MEJORAR LA RESISTENCIA AL CICLADO DE HFO2 POLICRISTALINO, SE DESCONOCE LA DEPENDENCIA DE LAS PROPIEDADES CON LA CANTIDAD DE LA EN CAPAS EPITAXIALES DE HF1-XZRXO2 (X = 0, 0,5, 1), EPI-HAFNIA LO DETERMINARA,3) CONTROL DE PROPIEDADES MEDIANTE INGENIERIA DE INTERCARAS, SE DESCONOCE EL PAPEL DE LOS ELECTRODOS EN LAS PROPIEDADES FERROELECTRICAS DE HFO2 EPITAXIAL, PREPARAREMOS CONDENSADORES CON DIFERENTES OXIDOS CONDUCTORES COMO ELECTRODO SUPERIOR PARA DETERMINAR SU EFECTO SOBRE LAS PROPIEDADES FERROELECTRICAS, PARTICULARMENTE LA RESISTENCIA AL CICLADO, TAMBIEN PREPARAREMOS NANOLAMINADOS COMBINANDO HZO FERROELECTRICO Y HFO2 PARAELECTRICO, LAS DIFERENTES CONDICIONES DE CONTORNO MECANICAS Y ELECTROSTATICAS PUEDEN PERMITIR MEJORAR LA POLARIZACION Y LA RESISTENCIA AL CICLADO, PARTICULARMENTE EN CAPAS DE GROSOR SUPERIOR A DECENAS DE NANOMETROS,EPI-HAFNIA QUIERE CONTRIBUIR A UNA MAYOR COMPRENSION DE LAS PROPIEDADES FERROELECTRICAS DEL HFO2 Y A MEJORARLAS, EN PARTICULAR LA RESISTENCIA AL CICLADO, LOS RESULTADOS DERIVADOS DEL PROYECTO EPI-HAFNIA, OBTENIDOS CON CAPAS EPITAXIALES, PUEDEN SER UNA GUIA PARA COMPRENDER Y MEJORAR LAS PROPIEDADES FERROELECTRICAS DE HFO2 POLICRISTALINO, OXIDOS FERROELECTRICOS\OXIDOS FUNCIONALES\LAMINAS DELGADAS\EPITAXIA\OXIDOS SOBRE SILICIO\PULSED LASER DEPOSITION\DISPOSITIVOS\MEMORIAS\HFO2

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