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PGC2018-094490-B-C21

Financiado

AVANZANDO EN CAVIDADES OPTOMECANICAS DE SILICO A TEMPERATURA AMBIENTE

EL SUBPROYECTO 1 PRETENDE RESOLVER DOS OBSTACULOS ACTUALES DE LA OPTOMECANICA: 1) LA NECESIDAD DE USAR ESTRUCTURAS SUSPENDIDAS PARA CONFINAR FONONES; Y 2) EL TAMAÑO MINIMO QUE PUEDEN ALCANZAR LAS CAVIDADES OPTOMECANICAS (OM) DIELE... ver más

01/01/2018

UPV

81K€

Presupuesto del proyecto: 81K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE VALÈNCIA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 683

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2018-01-01

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Participantes

UPV

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE VALÈNCIA

Total investigadores 683

Presupuesto del proyecto 81K€

Descripción del proyecto EL SUBPROYECTO 1 PRETENDE RESOLVER DOS OBSTACULOS ACTUALES DE LA OPTOMECANICA: 1) LA NECESIDAD DE USAR ESTRUCTURAS SUSPENDIDAS PARA CONFINAR FONONES; Y 2) EL TAMAÑO MINIMO QUE PUEDEN ALCANZAR LAS CAVIDADES OPTOMECANICAS (OM) DIELECTRICAS ESTABLECE UN LIMITE SUPERIOR A LA FRECUENCIA MECANICA (~10 GHZ),1) OPTOMECANICA DE GUIA DE ONDA Y CAVIDAD NO SUSPENDIDA: HASTA AHORA, TODAS LAS DEMOSTRACIONES DE INTERACCION OM FUERTE EN CHIPS DE SILICIO HAN USADO MEMBRANAS DE SILICIO SUSPENDIDAS O LIBERADAS (EL SUSTRATO DE SILICE SE ELIMINA PARA EVITAR FUGAS MECANICAS), LO QUE RESULTA EN DIVERSOS PROBLEMAS QUE IMPIDEN APLICACIONES PRACTICAS: I) QUITAR EL SUSTRATO HACE QUE LAS ESTRUCTURAS SEAN MUY FRAGILES; II) EL PROCESO PARA LIBERAR LAS MEMBRANAS ES COMPLEJO Y SUCIO, REQUIERE BAÑOS DE HF, QUE PUEDEN DEGRADAR OTROS COMPONENTES EN EL CHIP Y LIMITAR LA COINTEGRACION DE ELEMENTOS ELECTRONICOS, FOTONICOS Y MECANICOS; III) LA LIBERACION DE LA MEMBRANA LIMITA LA CAPACIDAD DEL DISPOSITIVO PARA DISIPAR EL CALOR, COMPLICANDO EXPERIMENTOS CRIOGENICOS Y PRODUCIENDO LA EXCITACION DE MODOS MECANICOS NO DESEADOS; IV) NO SE PUEDEN IMPLEMENTAR ELEMENTOS DE GRAN TAMAÑO NECESARIOS EN PROCESADO AVANZADO (COMO UN LASER BRILLOUIN O SINTETIZADORES DE RF),EN ADAGIO, EL EQUIPO NTC-UPV TRATARA DE SUPERAR ESTA LIMITACION MEDIANTE DOS POSIBLES SOLUCIONES: GUIAS DE ONDA DE SILICIO DE RANURA HORIZONTAL Y SILICIO AMORFO O NANOCRISTALINO SOBRE NITRURO DE SILICIO, RESULTADOS PRELIMINARES MUESTRAN QUE AMBOS ENFOQUES PERMITEN CONFINAR LA LUZ Y EL SONIDO SIN LIBERAR LA MEMBRANA, LAS VENTAJAS DE ESTAS ESTRUCTURAS SON: LAS ONDAS MECANICAS ESTAN CONFINADAS EN EL NUCLEO DE LA GUIA SIN FUGAS EN EL SUSTRATO; LA RANURA DELGADA PRODUCE UNA PEQUEÑA AREA EFECTIVA DE LOS MODOS OPTICOS, AUMENTANDO EL ACOPLAMIENTO OM; LOS DISPOSITIVOS PUEDEN FABRICARSE UTILIZANDO TECNOLOGIA CMOS Y COEXISTIR CON OTROS COMPONENTES ELECTRONICOS/FOTONICOS; GUIAS DE ONDAS Y CAVIDADES PUEDEN SER FACILMENTE UTILIZADOS PARA CONSTRUIR ESTRUCTURAS FOTONICAS DE GRAN TAMAÑO, TALES COMO RESONADORES DE ANILLO O INTERFEROMETROS, EL OBJETIVO ES LA DEMOSTRACION EXPERIMENTAL DE UN ACOPLAMIENTO OM EN CAVIDADES INEDITAS BASADAS EN SILICIO (G0/2PI>1MHZ) Y GUIAS DE ONDA (G>1000 1/WM),2, PLASMOMECANICA (NANO-OPTOMECANICA CON CAVIDADES PLASMONICAS): LAS CAVIDADES DIELECTRICAS DE ALTO Q EN LOS CRISTALES OM NECESITAN SER ACTUADAS MEDIANTE LASERES ULTRA-ESTRECHOS BIEN ESTABILIZADOS, QUE POTENCIALMENTE DIFICULTAN LA APLICACION FUERA DEL LABORATORIO, ADEMAS, DADO QUE EL TAMAÑO DE DICHAS CAVIDADES ESTA LIMITADO POR DIFRACCION, LA FRECUENCIA MECANICA MAXIMA ALCANZABLE ES DE ~ 10 GHZ, LO QUE IMPIDE ALCANZAR FRECUENCIAS MAS ALTAS, DICHOS OBSTACULOS SE PUEDEN SUPERAR MEDIANTE UN ENFOQUE ALTERNATIVO: LAS NANOCAVIDADES METALICAS, TALES NANOCAVIDADES SOPORTAN RESONANCIAS DE PLASMON DE SUPERFICIE LOCALIZADAS CON VOLUMENES MODALES MUY POR DEBAJO DEL LIMITE DE DIFRACCION, ADEMAS, POSEEN RESONANCIAS MECANICAS EN 1-100 GHZ INCLUSO CUANDO CONSTRUYEN SOBRE UN SUSTRATO DIELECTRICO, AL REDUCIR EL TAMAÑO DE LA NANOESTRUCTURA, SE PUEDEN LOGRAR RESONANCIAS MECANICAS MUY POR ENCIMA DE 10 GHZ, LO QUE PODRIA PERMITIR FUENTES DE FONONES COHERENTES, ADEMAS, ESTAS CAVIDADES PODRIAN EMPLEARSE PARA TRANSDUCIR LA VIBRACION (>10GHZ) DE LAS NANOPARTICULAS COLOCADAS CERCA DEL METAL, EL OBJETIVO ES LA DEMOSTRACION EXPERIMENTAL DE ACOPLAMIENTO FUERTE DE OM (G0/2PI>100MHZ) Y GENERACION DE FONONES >10GHZ EN NANOESTRUCTURAS PLASMONICAS INTEGRADAS EN GUIAS DE ONDA DE SILICIO, OPTOMECÁNICA DE CAVIDADES\CRISTALES FOTÓNICOS\FOTÓNICA EN SILICIO\PLASMÓNICA

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