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Area selective Deposition enabled ultiMAte extensIon of lithogRaphy

Nanopatterning is the core of today’s and future semiconductor technology as it drives the downscaling of the devices below the 7 nm node, enabling higher speed, density of transistors and computing performance. In addition, nanof... ver más

31/05/2022

IMEC

166K€

Presupuesto del proyecto: 166K€

Líder del proyecto

INTERUNIVERSITAIR MICROELECTRONICA CENTRUM No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2022-05-31

MSCA-IF-2019: Individual Fellowships

I+D

Cerrada hace 5 años

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1 Participantes

IMEC

166.32K€ | Lider

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Duración del proyecto: 25 meses Fecha Inicio: 2020-04-06
Fecha Fin: 2022-05-31

Líder del proyecto

INTERUNIVERSITAIR MICROELECTRONICA CENTRUM No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 166K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto Nanopatterning is the core of today’s and future semiconductor technology as it drives the downscaling of the devices below the 7 nm node, enabling higher speed, density of transistors and computing performance. In addition, nanofabricated three-dimensional patterned structures are used in devices for photonics, biotechnology and other forms of nanotechnology.[1]Beyond the 10nm node, extreme ultraviolet lithography (EUVL) with a light source of 13.5 nm, will be applied.[2],[3] Associated with nano-patterning at these dimensions, there is a long list of challenges: i) EUVL photoresists (PR) and mask infrastructure and control of the created nanoscale patterns; ii) throughput and process cost; iii) environmental footprint as it is based on litho-etch subtractive processes; iv) high complexity thus decreasing fabrication reliability; v) overlay errors and defectivity. Therefore, innovative solutions are required. Area selective deposition (ASD) offers the potential to relax downstream processing steps by enabling self-aligned processes and bottom-up lithography. The main goal of this MSCA proposal Area-selective Deposition-enabled ultiMAte extensIon of lithogRaphy (ADMAIR) is to overcome the potentially show-stopping challenges associated with EUV materials and processes at the sub-10nm scale by an additive bottom-up concept. This will be enabled by interdisciplinary joint development projects involving material suppliers and lithography stakeholders, which is a unique advantage of IMEC and will complement the expertise of the candidate in material science and characterization. Ultimately, valuable professional development opportunities for the MSCA candidate and know-how for the host will be achieved.

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