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MAT2016-79776-P

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AJUSTE DE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS DE NANOESTRUCTURAS: SU (TRANS)FORMACI...

AJUSTE DE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS DE NANOESTRUCTURAS: SU (TRANS)FORMACION Y ESTUDIOS AVANVAZADOS SOBRE SU CONFIGURACION ATOMICA Y ESTUCTURAL EN ESTE PROYECTO SE DESARROLLARAN ESTUDIOS EN LA FRONTERA DEL CONOCIMIENTO CON RESPECTO A LA ESTRUCTURA Y CONFIGURACION ATOMICAS, ASI COMO DE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS DE DISTINTAS NANOESTRUCTURAS 1D Y 2D DE MATERIALES HETE... ver más

01/01/2016

UNIZAR

91K€

Presupuesto del proyecto: 91K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA. OFICINA DE TRANSFERE... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2016-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA. OFICINA DE TRANSFERE... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Presupuesto del proyecto 91K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EN ESTE PROYECTO SE DESARROLLARAN ESTUDIOS EN LA FRONTERA DEL CONOCIMIENTO CON RESPECTO A LA ESTRUCTURA Y CONFIGURACION ATOMICAS, ASI COMO DE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS DE DISTINTAS NANOESTRUCTURAS 1D Y 2D DE MATERIALES HETEROATOMICOS BASADOS EN CARBONO, DE OTROS NANOMATERIALES LAMINARES, Y DE NANOMATERIALES HIBRIDOS (COMBINACION DE LOS ANTERIORES CON DE NANO-OBJETOS METALICOS). ESTOS ASPECTOS SE ESTUDIARAN EN PROFUNDIDAD USANDO TECNICAS DE MICROSCOPIA AVANZADAS PARA INVESTIGARLOS A ESCALA LOCAL(ATOMICA).LA PROPUESTA TOP-NS SE FUNDAMENTA EN DISTINTOS OBJETIVOS INTIMAMENTE RELACIONADOS ENTRE SI, QUE PERMITIRAN AVANZAR SIGNIFICATIVAMENTE EN EL CONOCIMIENTO DE LA DICHOS NANOMATERIALES DE VANGUARDIA. ESTOS OBJETIVOS SON LOS SIGUIENTES: 1) TRANSFORMACION O FORMACION (SEGUN EL RESULTADO FINAL OBTENIDO) DE NUEVAS ESTRUCTURAS/FASES DE LOS DISTINTOS NANOMATERIALES SOBRE LOS QUE NOS CENTRAREMOS: DICHO OBJETIVO SE ALCANZARA TRAS SOMETER A DICHAS NANOESTRUCTURAS A DISTINTOS TRATAMIENTOS (IN-SITU/EX-SITU) DE IRRADIACION (ELECTRONICA/IONICA) Y/O TERMICOS. CON ESTOS ESTUDIOS, SE PERSIGUE COMPRENDER TODOS LOS MECANISMOS Y PARAMETROS IMPLICADOS EN TALES TRATAMIENTOS, PARA LLEGAR A PODER CONTROLAR, EN LA MEDIDA DE LO POSIBLE, DICHOS PROCESOS Y LAS PROPIEDADES DE LOS NANOMATERIALES QUE SE OBTENGAN DE ELLOS.2) CONOCIMIENTO PROFUNDO Y DETALLADO DE LA ESTRUCTURA Y CONFIGURACION ATOMICAS DE ESTOS NANOMATERIALES 1D Y 2D (EN SU FORMA PURA/PRISTINA, O UNA VEZ MODIFICADOS): PARA ELLO, SE REALIZARA UNA INVESTIGACION COMPLETA Y SISTEMATICA, QUE VA MUCHO MAS ALLA DEL CONOCIMIENTO ACTUAL, EMPLEANDO DIFERENTES HERRAMIENTAS ANALITICAS MACROSCOPICAS Y LAS POSIBILIDADES UNICAS QUE OFRECE LA NUEVA GENERACION DE MICROSCOPIOS ELECTRONICOS DE TRANSMISION. ESTOS MICROSCOPIOS, EQUIPADOS CON CORRECTORES DE ABERRACIONES Y UNO DE ELLOS CON UN MONOCROMADOR, PROPORCIONAN ALTAS PRESTACIONES EN TERMINOS DE RESOLUCION ESPACIAL Y DE ENERGIA. HAY QUE SEÑALAR QUE UN CONOCIMIENTO COMPLETO DE LA ESTRUCTURA Y COMPOSICION LOCAL/ATOMICA DE TODAS ESTAS NANOESTRUCTURAS ES REQUERIDO Y FUNDAMENTAL, DADA SU CRUCIAL INFLUENCIA EN SUS PROPIEDADES, EN PARTICULAR, OPTOELECTRONICAS. 3) COMPRENSION DE LOS MECANISMOS DE CRECIMIENTO/TRANSFORMACION DE LAS NANOESTRUCTURAS HETEROATOMICAS: LA COMBINACION DE LA INFORMACION OBTENIDA DE ESTOS ANALISIS ESTRUCTURALES Y DE LOS DATOS PROCEDENTES DE LOS TRATAMIENTOS (DE IRRADIACION O TERMICOS) A LOS QUE SOMETEREMOS A ESTOS NANOMATERIALES, NOS PERMITIRA INVESTIGAR SUS MECANISMOS DE (TRANS)FORMACION, CON LO QUE ELLO IMPLICA DE CARA A PODER OPTIMIZAR SUS PROPIEDADES. 4) INVESTIGACION DETALLADA DE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS Y VIBRACIONALES DE ESTAS NANOESTRUCTURAS 1D Y 2D: UNA VEZ CARACTERIZADAS A FONDO (OBJETIVO NUMERO 2), ESTUDIAREMOS DICHAS PROPIEDADES POR EELS-STEM Y ESPECTROSCOPIA RAMAN, RESPECTIVAMENTE. LA ESPECTROSCOPIA EELS RESUELTA ESPACIALMENTE UTILIZANDO UN HAZ ELECTRONICO MONOCROMADO, POSIBILITARA ESTUDIAR LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS (COMO LA MEDIDA DEL GAP Y EL ESTUDIO DE RESPUESTAS PLASMONICAS), A ESCALA SUB-MANOMETRICA, A TRAVES DE LA RESPUESTA DE LOS ELECTRONES DE VALENCIA AL CAMPO ELECTROMAGNETICO GENERADO POR DICHO HAZ. ADEMAS, LA COMBINACION DE LOS ANALISIS DE TEM Y LOS ESTUDIOS ESPECTROSCOPICOS RAMAN PROPORCIONARA INFORMACION MUY VALIOSA, NO SOLO SOBRE SUS PROPIEDADES VIBRACIONALES, SINO TAMBIEN SOBRE SU ESTRUCTURA ELECTRONICA Y QUIMICA (SU CONFIGURACION Y NIVEL DE DOPAJE, EN ALGUNO DE LOS CASOS QUE NOS OCUPAN). D/2D NANOESTRUCTURAS\TRATAMIENTO CARBOTÉRMICO\DOPAJE\IRRADIACIÓN\EELS\TEM AVANZADA\PROPIEDADES OPTOELECTRÓNICAS

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