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MAT2016-79776-P

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AJUSTE DE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS DE NANOESTRUCTURAS: SU (TRANS)FORMACI...

AJUSTE DE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS DE NANOESTRUCTURAS: SU (TRANS)FORMACION Y ESTUDIOS AVANVAZADOS SOBRE SU CONFIGURACION ATOMICA Y ESTUCTURAL EN ESTE PROYECTO SE DESARROLLARAN ESTUDIOS EN LA FRONTERA DEL CONOCIMIENTO CON RESPECTO A LA ESTRUCTURA Y CONFIGURACION ATOMICAS, ASI COMO DE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS DE DISTINTAS NANOESTRUCTURAS 1D Y 2D DE MATERIALES HETE... ver más

01/01/2016

UNIZAR

91K€

Presupuesto del proyecto: 91K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA. OFICINA DE TRANSFERE... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2016-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA. OFICINA DE TRANSFERE... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Presupuesto del proyecto 91K€

Descripción del proyecto EN ESTE PROYECTO SE DESARROLLARAN ESTUDIOS EN LA FRONTERA DEL CONOCIMIENTO CON RESPECTO A LA ESTRUCTURA Y CONFIGURACION ATOMICAS, ASI COMO DE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS DE DISTINTAS NANOESTRUCTURAS 1D Y 2D DE MATERIALES HETEROATOMICOS BASADOS EN CARBONO, DE OTROS NANOMATERIALES LAMINARES, Y DE NANOMATERIALES HIBRIDOS (COMBINACION DE LOS ANTERIORES CON DE NANO-OBJETOS METALICOS). ESTOS ASPECTOS SE ESTUDIARAN EN PROFUNDIDAD USANDO TECNICAS DE MICROSCOPIA AVANZADAS PARA INVESTIGARLOS A ESCALA LOCAL(ATOMICA).LA PROPUESTA TOP-NS SE FUNDAMENTA EN DISTINTOS OBJETIVOS INTIMAMENTE RELACIONADOS ENTRE SI, QUE PERMITIRAN AVANZAR SIGNIFICATIVAMENTE EN EL CONOCIMIENTO DE LA DICHOS NANOMATERIALES DE VANGUARDIA. ESTOS OBJETIVOS SON LOS SIGUIENTES: 1) TRANSFORMACION O FORMACION (SEGUN EL RESULTADO FINAL OBTENIDO) DE NUEVAS ESTRUCTURAS/FASES DE LOS DISTINTOS NANOMATERIALES SOBRE LOS QUE NOS CENTRAREMOS: DICHO OBJETIVO SE ALCANZARA TRAS SOMETER A DICHAS NANOESTRUCTURAS A DISTINTOS TRATAMIENTOS (IN-SITU/EX-SITU) DE IRRADIACION (ELECTRONICA/IONICA) Y/O TERMICOS. CON ESTOS ESTUDIOS, SE PERSIGUE COMPRENDER TODOS LOS MECANISMOS Y PARAMETROS IMPLICADOS EN TALES TRATAMIENTOS, PARA LLEGAR A PODER CONTROLAR, EN LA MEDIDA DE LO POSIBLE, DICHOS PROCESOS Y LAS PROPIEDADES DE LOS NANOMATERIALES QUE SE OBTENGAN DE ELLOS.2) CONOCIMIENTO PROFUNDO Y DETALLADO DE LA ESTRUCTURA Y CONFIGURACION ATOMICAS DE ESTOS NANOMATERIALES 1D Y 2D (EN SU FORMA PURA/PRISTINA, O UNA VEZ MODIFICADOS): PARA ELLO, SE REALIZARA UNA INVESTIGACION COMPLETA Y SISTEMATICA, QUE VA MUCHO MAS ALLA DEL CONOCIMIENTO ACTUAL, EMPLEANDO DIFERENTES HERRAMIENTAS ANALITICAS MACROSCOPICAS Y LAS POSIBILIDADES UNICAS QUE OFRECE LA NUEVA GENERACION DE MICROSCOPIOS ELECTRONICOS DE TRANSMISION. ESTOS MICROSCOPIOS, EQUIPADOS CON CORRECTORES DE ABERRACIONES Y UNO DE ELLOS CON UN MONOCROMADOR, PROPORCIONAN ALTAS PRESTACIONES EN TERMINOS DE RESOLUCION ESPACIAL Y DE ENERGIA. HAY QUE SEÑALAR QUE UN CONOCIMIENTO COMPLETO DE LA ESTRUCTURA Y COMPOSICION LOCAL/ATOMICA DE TODAS ESTAS NANOESTRUCTURAS ES REQUERIDO Y FUNDAMENTAL, DADA SU CRUCIAL INFLUENCIA EN SUS PROPIEDADES, EN PARTICULAR, OPTOELECTRONICAS. 3) COMPRENSION DE LOS MECANISMOS DE CRECIMIENTO/TRANSFORMACION DE LAS NANOESTRUCTURAS HETEROATOMICAS: LA COMBINACION DE LA INFORMACION OBTENIDA DE ESTOS ANALISIS ESTRUCTURALES Y DE LOS DATOS PROCEDENTES DE LOS TRATAMIENTOS (DE IRRADIACION O TERMICOS) A LOS QUE SOMETEREMOS A ESTOS NANOMATERIALES, NOS PERMITIRA INVESTIGAR SUS MECANISMOS DE (TRANS)FORMACION, CON LO QUE ELLO IMPLICA DE CARA A PODER OPTIMIZAR SUS PROPIEDADES. 4) INVESTIGACION DETALLADA DE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS Y VIBRACIONALES DE ESTAS NANOESTRUCTURAS 1D Y 2D: UNA VEZ CARACTERIZADAS A FONDO (OBJETIVO NUMERO 2), ESTUDIAREMOS DICHAS PROPIEDADES POR EELS-STEM Y ESPECTROSCOPIA RAMAN, RESPECTIVAMENTE. LA ESPECTROSCOPIA EELS RESUELTA ESPACIALMENTE UTILIZANDO UN HAZ ELECTRONICO MONOCROMADO, POSIBILITARA ESTUDIAR LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS (COMO LA MEDIDA DEL GAP Y EL ESTUDIO DE RESPUESTAS PLASMONICAS), A ESCALA SUB-MANOMETRICA, A TRAVES DE LA RESPUESTA DE LOS ELECTRONES DE VALENCIA AL CAMPO ELECTROMAGNETICO GENERADO POR DICHO HAZ. ADEMAS, LA COMBINACION DE LOS ANALISIS DE TEM Y LOS ESTUDIOS ESPECTROSCOPICOS RAMAN PROPORCIONARA INFORMACION MUY VALIOSA, NO SOLO SOBRE SUS PROPIEDADES VIBRACIONALES, SINO TAMBIEN SOBRE SU ESTRUCTURA ELECTRONICA Y QUIMICA (SU CONFIGURACION Y NIVEL DE DOPAJE, EN ALGUNO DE LOS CASOS QUE NOS OCUPAN). D/2D NANOESTRUCTURAS\TRATAMIENTO CARBOTÉRMICO\DOPAJE\IRRADIACIÓN\EELS\TEM AVANZADA\PROPIEDADES OPTOELECTRÓNICAS

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