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RTI2018-099054-J-I00

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VISUALIZACION DEL CAMPO ELECTRICO EN DISPOSITIVOS BASADOS EN MATERIALES BI-DIMEN...

VISUALIZACION DEL CAMPO ELECTRICO EN DISPOSITIVOS BASADOS EN MATERIALES BI-DIMENSIONALES LA INVESTIGACION EN MATERIALES BIDIMENSIONALES (2D) HA DADO LUGAR A UN IMPORTANTE DESARROLLO DE NANODISPOSITIVOS QUE EXPLOTAN PROPIEDADES FISICAS UNICAS, A ESTAS ESCALAS, LA FUNCIONALIDAD DE LOS DISPOSITIVOS SE RIGE POR LAS PROPIE... ver más

01/01/2018

UCM

145K€

Presupuesto del proyecto: 145K€

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3279

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2018-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3279

Presupuesto del proyecto 145K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA INVESTIGACION EN MATERIALES BIDIMENSIONALES (2D) HA DADO LUGAR A UN IMPORTANTE DESARROLLO DE NANODISPOSITIVOS QUE EXPLOTAN PROPIEDADES FISICAS UNICAS, A ESTAS ESCALAS, LA FUNCIONALIDAD DE LOS DISPOSITIVOS SE RIGE POR LAS PROPIEDADES DE PEQUEÑAS REGIONES ACTIVAS, COMO LA INTERFASE DE UNIONES P-N BIDIMENSIONALES, EN LAS QUE SURGEN FUERTES CAMPOS ELECTRICOS CONFINADOS, POR TANTO, PARA EXPLOTAR LAS PROPIEDADES FISICAS DE NANODISPOSITIVOS BASADOS EN MATERIALES 2D ES IMPRESCINDIBLE PODER VISUALIZAR, DE FORMA DIRECTA, ESTE TIPO DE CAMPOS ELECTRICOS ALTAMENTE CONFINADOS, Y LO QUE ES MAS IMPORTANTE, COMO RESPONDEN EN CONDICIONES OPERATIVAS, TECNICAS COMO LA MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION CON BARRIDO SON CAPACES DE MEDIR LA DISTRIBUCION ESPACIAL DE LOS CAMPOS ELECTRICOS EN UN MATERIAL, PARA ELLO SE MIDE LA DEFLEXION CAUSADA EN EL HAZ DE ELECTRONES INCIDENTE POR LA INTERACCION CON LOS CAMPOS ELECTRICOS DEL MATERIAL, RECIENTEMENTE, GRACIAS AL DESARROLLO DE NUEVOS DETECTORES PIXELADOS Y SEGMENTADOS SE HAN LOGRADO MEDIR LOS CAMPOS ELECTRICOS EN MATERIALES CON RESOLUCION ATOMICA, ESTA NUEVA TECNICA TIENE EL POTENCIAL DE REVOLUCIONAR EL ESTUDIO A NIVEL ATOMICO DE LOS MECANISMOS QUE CONTROLAN LAS PROPIEDADES FISICAS DE MATERIALES Y DISPOSITIVOS 2D,EN ESTE CONTEXTO, EL OBJETIVO FUNDAMENTAL DEL PROYECTO CONSISTE EN ESTUDIAR LAS PROPIEDADES FISICAS DE DISPOSITIVOS BASADOS EN MATERIALES BIDIMENSIONALES EN CONDICIONES OPERATIVAS, MEDIANTE TECNICAS AVANZADAS DE MICROSCOPIA ELECTRONICA CAPACES DE VISUALIZAR CAMPOS ELECTRICOS CON RESOLUCION ATOMICA, PARA ELLO UTILIZAREMOS DOS MICROSCOPIOS ELECTRONICOS DE ABERRACION CORREGIDA INSTALADOS RECIENTEMENTE EN LA UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID, PARA CUMPLIR NUESTROS OBJETIVOS DESARROLLAREMOS UNA COMPLETA METODOLOGIA PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS 2D, LA VISUALIZACION DE CAMPOS ELECTRICOS EN CONDICIONES OPERATIVAS Y EL PROCESADO, ANALISIS Y SIMULACION DE LOS DATOS ADQUIRIDOS, ESTA METODOLOGIA SERA APLICADA A UNIONES P-N BIDIMENSIONALES FORMADAS POR HETEROESTRUCTURAS DE DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION, ESTAS UNIONES DE VAN DER WAALS ESTAN FORMADAS POR MONO-CAPAS ATOMICAS DE SEMICONDUCTORES TIPO P Y TIPO N Y SON CLAVE PARA EL DESARROLLO DE NUEVOS NANODISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y OPTOELECTRONICOS, NUESTRO METODO PERMITIRA ESTUDIAR LA RESPUESTA DINAMICA DE CAMPOS ELECTRICOS CONFINADOS EN UNIONES 2D LATERALES EN CONDICIONES OPERATIVAS Y AYUDARA A ENTENDER PROBLEMAS FUNDAMENTALES COMO LA FALTA DE ZONA DE CARGA ESPACIAL EN UNIONES VERTICALES DE MONO CAPAS ATOMICAS, EL EXITO DE ESTE PROYECTO CONTRIBUIRA SUBSTANCIALMENTE AL DESARROLLO DE NUEVAS TECNOLOGIAS BASADAS EN MATERIALES 2D, NUESTROS RESULTADOS TENDRAN POR TANTO UN GRAN IMPACTO TANTO COMUNIDAD CIENTIFICA COMO EN LA CRECIENTE INDUSTRIA ESPAÑOLA DE MATERIALES Y TECNOLOGIAS 2D, MICROSCOPIA ELECTRÓNICA\OPERANDO\CONTRASTE DIFERENCIAL DE FASE\MATERIALES BI-DIMENSIONALES\UNIONES P-N

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