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MAT2010-18065

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TRANSPORTE DE ESPINES Y DINAMICA DE LA MAGNETIZACION EN NANOESTRUCTURAS

EL RAPIDO DESARROLLO DE DISPOSITIVOS BASADOS EN EL ESPIN ELECTRONICO, EN VEZ DE LA CARGA, DEBE SER SOSTENIDO POR UN ENTENDIMIENTO PROFUNDO DE LA FISICA QUE DETERMINA SUS FUNCIONALIDADES, CON UN MERCADO SUPERIOR A LOS 20 MIL MILLON... see more

01/01/2010

FUNDACIO INSTITUT...

182K€

Project Budget: 182K€

Project leader

FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NAN... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5 | 25M€

PARTICIPATION DEPralty Sin fecha límite de participación.

Financing granted El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIN notifico la concesión del proyecto The day 2010-01-01 We do not have the information of the call

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TRL 4-5 | 25M€

Project Budget 182K€

participation deadline Sin fecha límite de participación.

Project description EL RAPIDO DESARROLLO DE DISPOSITIVOS BASADOS EN EL ESPIN ELECTRONICO, EN VEZ DE LA CARGA, DEBE SER SOSTENIDO POR UN ENTENDIMIENTO PROFUNDO DE LA FISICA QUE DETERMINA SUS FUNCIONALIDADES, CON UN MERCADO SUPERIOR A LOS 20 MIL MILLONES DE EUROS, ESTOS DISPOSITIVOS SE HAN CONVERTIDO EN UN CAMPO DE INVESTIGACION DE IMPACTO TECNOLOGICO ALTISIMO Y SU IMPORTANCIA HA SIDO RECONOCIDA CON EL PREMIO NOBEL DE FISICA (2007), POR EL DESCUBRIMIENTO DE LA MAGNETORESISTENCIA GIGANTE, EL PRESENTE PROYECTO APROVECHA LA EXTRAORDINARIA SENSIBILIDAD QUE SE PUEDE OBTENER CON METODOS DE DETECCION DE ESPINES TOTALMENTE ELECTRONICOS Y NO LOCALES PARA ESTUDIAR PROBLEMAS FUNDAMENTALES RELACIONADOS CON LA NATURALEZA DE LAS INTERACCIONES DEL ESPIN EN DISPOSITIVOS, TRABAJAREMOS EN DOS CONJUNTOS DE EXPERIMENTOS ALTAMENTE RELACIONADOS, EL PRIMER CONJUNTO TIENE COMO OBJETIVO EL ESTUDIO DE LA INTERACCION ENTRE CORRIENTES POLARIZADAS DE ESPIN Y LA MAGNETIZACION EN IMANES DE DIMENSIONES NANOMETRICAS, ESTOS FENOMENOS SON DE GRAN IMPORTANCIA PARA APLICACIONES QUE INVOLUCREN MEMORIAS Y BATERIAS DE ESPIN, EN PARTICULAR, MEDIREMOS (A) EL GRADO DE ABSORCION DE UNA CORRIENTE DE ESPIN POR UN NANOIMAN Y EL TORQUE QUE GENERA EN ESTE SIMULTANEAMENTE Y (B) LA GENERACION DE CORRIENTE DE ESPIN POR MEDIO DEL FENOMENO DE BOMBEO DE ESPIN, EL CUAL HA SIDO PREDICHO PARA FERROMAGNETOS CUYA MAGNETIZACION PRECEDE, EL SEGUNDO CONJUNTO DE EXPERIMENTOS SE CENTRA EN EL TRANSPORTE DE ESPIN EN MATERIALES Y A TRAVES DE INTERFACES, EN ESTE CASO, ESTUDIAREMOS EL PASO DE CORRIENTES POLARIZADAS COMO FUNCION DEL VOLTAJE EN UNA BARRERA TUNEL CON UN NUEVO METODO QUE DENOMINAMOS ESPECTROSCOPIA TUNEL DE ESPINES, TAMBIEN DESARROLLAREMOS UN NUEVO ESQUEMA DE DETECCION DE ESPINES EN SEMICONDUCTORES, Y MATERIALES DE BAJA CONDUCTIVIDAD EN GENERAL, LA EFICIENCIA DEL METODO SERA ALTAMENTE INMUNE A LAS PROPIEDADES DE LA INTERFAZ ENTRE EL SEMICONDUCTOR Y EL DETECTOR, ESTO ES UN REQUERIMIENTO ESENCIAL PARA LOGRAR UNA TECNICA UNIVERSAL PARA INYECTAR Y DETECTAR ESPINES EN UNA GRAN VARIEDAD DE MATERIALES REALIZANDO SOLAMENTE ADAPTACIONES MINIMAS, INICIALMENTE APLICAREMOS ESTE METODO EN SILICIO, POR ULTIMO, ESTUDIAREMOS EL TRANSPORTE EN GRAFENO LIMPIO SUSPENDIDO, CON EL OBJETIVO DE ELIMINAR EL EFECTO DE LA PRESENCIA DE IMPUREZAS Y DEL SUBSTRATO EN LA RELAJACION ESPINES, DE ESTA FORMA PODREMOS MONITOREAR FENOMENOS INTRINSECOS DE ESPIN EN ESTE MATERIAL,

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