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MAT2017-88377-C2-1-R

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TRANSISTORES DE SPIN BASADOS EN HETEROESTRUCTURAS VAN DER WAALS.

EL SUBPROYECTO 1 "ESTUDIO A ESCALA ATOMICA DE LA ESTRUCTURA ELECTRONICA Y DE ESPIN EN AISLANTES TOPOLOGICOS BIDIMENSIONALES" TIENE COMO OBJETIVO LA IDENTIFICACION Y CARACTERIZACION EXPERIMENTAL DE AISLANTES TOPOLOGICOS BIDIMENSION... ver más

01/01/2017

UPV

109K€

Presupuesto del proyecto: 109K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO/EUSKAL HERRIKO UNI... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 45

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO/EUSKAL HERRIKO UNI... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 45

Presupuesto del proyecto 109K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL SUBPROYECTO 1 "ESTUDIO A ESCALA ATOMICA DE LA ESTRUCTURA ELECTRONICA Y DE ESPIN EN AISLANTES TOPOLOGICOS BIDIMENSIONALES" TIENE COMO OBJETIVO LA IDENTIFICACION Y CARACTERIZACION EXPERIMENTAL DE AISLANTES TOPOLOGICOS BIDIMENSIONALES (2D-TI) CON RELEVANCIA EN APLICACIONES PRACTICAS,LA INVESTIGACION DE NUEVAS ALTERNATIVAS A LAS ACTUALES TECNOLOGIAS DE COMUNICACION CONVENCIONAL, QUE SE ACERCAN A SUS LIMITES EN TERMINOS DE VELOCIDAD, CAPACIDAD Y PRECISION, ES UN PROBLEMA CIENTIFICO Y TECNOLOGICO ACTUAL, EN ESTE SENTIDO, LOS MATERIALES 2D-TI PODRIAN ABRIR LAS PUERTAS A UNA NUEVA ELECTRONICA SIN DISIPACION Y DE ALTO RENDIMIENTO, ASI COMO A APLICACIONES RELACIONADAS EN LA COMPUTACION CUANTICA, SIN EMBARGO, LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS REALES BASADOS EN ESTOS MATERIALES SIGUE SIENDO UN RETO CIENTIFICO-TECNOLOGICO SIN ALCANZAR, EL PRINCIPAL OBSTACULO PARA UNA OPTIMIZACION SISTEMATICA DE ESTOS NUEVOS MATERIALES ES LA FALTA UN ENTENDIMIENTO FUNDAMENTAL DE LOS FENOMENOS Y PROPIEDADES RELACIONADOS CON EL COMPORTAMIENTO DE LOS ELECTRONES Y EL ESPIN EN ESTO MATERIALES,EL SUBPROYECTO 1 PRETENDE GENERAR ESTE CONOCIMIENTO ACCEDIENDO DIRECTAMENTE A LA MORFOLOGIA Y LA ESTRUCTURA ELECTRONICA LOCAL DE LOS MATERIALES 2D-TI CON MAYOR RELEVANCIA, EN PARTICULAR, SE DEMOSTRARA EXPERIMENTALMENTE QUE LAS MONOCAPAS ATOMICAS DE DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION WTE2 Y WSE2 EN SU FASE ESTRUCTURAL 1T', ASI COMO MONOCAPAS INDIVIDUALES DE SE Y TE, SON AISLANTES TOPOLOGICOS 2D, PARA ELLO, EL SUBPROYECTO SE ORGANIZA EN TORNO A DOS ETAPAS PRINCIPALES, EN PRIMER LUGAR, COMBINAREMOS LAS TECNICAS DE DEPOSICION QUIMICA DE VAPOR Y CRECIMIENTO EPITAXIAL POR HACES MOLECULARES PARA EL CRECER MONOCAPAS DE 2D-TIS DE ALTA CALIDAD EN SUSTRATOS CON RELEVANCIA TECNOLOGICA BICAPAS DE GRAPHENO Y NITRURO DE BORO, ESTE ULTIMO TAMBIEN UTILIZADOS COMO BARRERAS TUNEL ENTRE CAPAS DE 2D-TI O COMO MATERIAL DE ENCAPSULACION PARA LA PRESERVACION DE LOS 2D-TIS EN CONDICIONES ATMOSFERICAS-, EN SEGUNDO LUGAR, CORROBORAREMOS LA EXISTENCIA DE ESTADOS DE BORDES ELECTRONICOS HELICOIDALES EN LOS 2D-TIS, CARACTERISTICAS DE LOS ESTADOS DE HALL DE SPIN CUANTICO Y ANALIZAREMOS EN DETALLE SU ESTRUCTURA ELECTRONICA LOCAL MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE EFECTO TUNEL CON RESOLUCION ESPACIAL A ESCALA ATOMICA, CONCRETAMENTE, ESTOS ESTADOS HELICOIDALES 1D SERAN VISUALIZADOS EN EL ESPACIO REAL CON RESOLUCION ATOMICA, Y SUS PROPIEDADES TOPOLOGICAS SERAN EXAMINADAS: TEXTURA DE SPIN, PENETRACION ESPACIAL EN EL VOLUMEN DEL MATERIAL Y RESPUESTA FRENTE A PERTURBACIONES QUE ROMPEN LA INVARIANCIA DE SIMETRIA TEMPORAL (IMPUREZAS MAGNETICAS Y CAMPOS MAGNETICOS),EN RESUMEN, EL PROYECTO BUSCA EXPLORAR NUEVAS ESTRATEGIAS PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS EN NANOELECTRONICA, UTILIZANDO LAS PROPIEDADES EXOTICAS DE LAS NUEVAS FASES FUNDAMENTALES DE LA MATERIA Y SU POTENCIAL PARA LA FABRICACION DE LAS HETEROSTRUCTURAS DE VAN DER WAALS, LOS RESULTADOS ESPERADOS PROPORCIONARAN IDEAS BASICAS PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS (CON RESPUESTA SINTONIZABLE) CON POTENCIALES APLICACIONES BASADAS EN LA DETECCION Y CONTROL DEL ESPIN ELECTRONICO, DESDE EL PUNTO DE VISTA DEL CONOCIMIENTO BASICO, ESTE SUBPROYECTO TAMBIEN PROPORCIONARA UN ENTENDIMIENTO FUNDAMENTAL DE LAS INTERACCIONES CARGA-ESPIN EN LA INTERCARA ENTRE MATERIALES 2D, AISLANTES TOPOLÓGICOS\DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICIÓN\MBE\SPINTRÓNICA\TRANSISTOR DE SPIN\MATERIALES BIDIMENSIONALES\ESTRUCTURAS VAN DER WAALS\MICROSCOPÍAS DE SONDA LOCAL\DEFECTOS\TRANSPORTE ELECTRÓNICO

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