Hola,
¿eres nuevo aquí?

Regístrate gratis y conecta tu empresa con financiación pública, partners y proyectos.

Tengo cuenta

Regístrate

¿Te ayudamos?

Ejemplos de búsqueda

Vídeos Explicativos

SOTMEM

Financiado

Cerrado

Topological Insulator Based Spin Orbit Torque MEMories

SOTMEM addresses the growing need for scalable ultrafast non-volatile memories (NVM) to improve the reliability of logic circuitry and to reduce the ever increasing power consumption and energy loss in microprocessors. Major techn... ver más

31/05/2022

FUNDACIO INSTITUT...

150K€

Presupuesto del proyecto: 150K€

Líder del proyecto

FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NAN... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5 | 25M€

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 2 Participantes

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2022-05-31

ERC-2019-POC: ERC Proof of Concept Grant Scope:Eligible Countries

I+D

Cerrada hace 6 años

0% 100% 100%

Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

2 Participantes

FUNDACIO INSTITUT CATALA DE...

150.00K€ | Lider

JULIAN MARTIN

555.06K€ | Participante

Conecta tu I+D

¿Tienes un proyecto y buscas un partner? Gracias a nuestro motor inteligente podemos recomendarte los mejores socios y ponerte en contacto con ellos. Te lo explicamos en este video

Duración del proyecto: 27 meses Fecha Inicio: 2020-02-17
Fecha Fin: 2022-05-31

Líder del proyecto

FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NAN... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5 | 25M€

Presupuesto del proyecto 150K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto SOTMEM addresses the growing need for scalable ultrafast non-volatile memories (NVM) to improve the reliability of logic circuitry and to reduce the ever increasing power consumption and energy loss in microprocessors. Major technology actors and end-user companies are developing magnetic RAM (MRAM) as it is recognized as one of the most promising emerging NVMs. However, mainstream MRAM, relying on spin transfer torque, suffers from limited speed, and reliability and degradation issues. These three obstacles, which impede the widespread implementation of MRAM, can be mitigated using a novel device architecture based on spin-orbit torque (SOT). But even SOT-MRAM brings challenges in the form of too large writing current density and power dissipation . SOTMEM will validate SOT switches for SOT-MRAM using topological insulators embedded in a novel material stack that we have recently developed for optimal writing efficiency. Writing at ultralow power is therefore the key technical objective of this ERC Proof of Concept project. A successful outcome would represent a major breakthrough for SOT-MRAM commercialization. Therefore SOTMEM stands to have enormous impact in the transition towards low-power, power-fail protected microprocessors with non-volatile memories. Special efforts will be devoted to market analysis and patentability studies, as well as targeted industry engagement to allow the design of a nuanced business model aiming to deliver SOTMEM technologies and knowhow to potential end users.

Conecta tu I+D

Entra hoy

Forgot your password?

Financiación

Empresas

CTIs/Universidades

Proyectos

Investigadores