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MAT2016-78293-C6-4-R

Financiado

TEORIA DE NANOESTRUCTURAS MOLECULARES FUNCIONALES PARA DISPOSITIVOS OPTOELECTRON...

TEORIA DE NANOESTRUCTURAS MOLECULARES FUNCIONALES PARA DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS EL PRINCIPAL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO (FUNMOLDEV) ES EL DESARROLLO DE UNA NUEVA CLASE DE MATERIALES NANOESTRUCTURADOS DE CARBONO PARA APLICACIONES EN OPTOELECTRONICA, ASI COMO AVANZAR HACIA SU INTEGRACION EN DISPOSITIVOS. FUNMOLD... ver más

01/01/2016

CSIC

121K€

Presupuesto del proyecto: 121K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2016-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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CSIC

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 121K€

Descripción del proyecto EL PRINCIPAL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO (FUNMOLDEV) ES EL DESARROLLO DE UNA NUEVA CLASE DE MATERIALES NANOESTRUCTURADOS DE CARBONO PARA APLICACIONES EN OPTOELECTRONICA, ASI COMO AVANZAR HACIA SU INTEGRACION EN DISPOSITIVOS. FUNMOLDEV ES LA CONTINUACION DEL PROYECTO SUPERHYBRID, QUE FUE FINANCIADO POR EL MINECO DENTRO DEL PROGRAMA DE I+D EXCELENCIA (2013-2016). AQUI AVANZAREMOS EN LA SINTESIS, CARACTERIZACION Y FABRICACION DE ESTOS NUEVOS MATERIALES, DEMOSTRANDO SU VIABILIDAD PARA APLICACIONES TECNOLOGICAS. EN CONCRETO, PERSEGUIREMOS:O EL DISEÑO DE PRECURSORES PARA GENERAR NANOESTRUCTURAS MOLECULARES DE CARBONO (CMN) CON PROPIEDADES ESPECIFICASO ESTRATEGIAS JERARQUICAS PARA LA SINTESIS DE CMNS HIBRIDOS FUNCIONALES EN SUPERFICIESO DEFINIR PROTOCOLOS PARA CONSEGUIR REDES DE CMNS INTERCONECTADOS O DEPOSITAR LOS CMNS SOBRE SUPERFICIES AISLANTES PARA PODER APLICAR UN POTENCIAL PUERTA.O CONTROL SOBRE LAS PROPIEDADES OPTOELECTRONICAS POR MEDIO DE POTENCIALES EXTERNOS O EL USO DE SUSTRATOS FERROELECTRICOS.RELACIONAREMOS, POR TANTO, LAS PROPIEDADES EN LA ESCALA ATOMICA DE DICHOS MATERIALES CON LAS CARACTERISTICAS MESOSCOPICAS DE LOS DISPOSITIVOS QUE SE FABRICARAN. ESTE PROGRAMA DE INVESTIGACION REQUIRE DE UN SELECTO EQUIPO DE INVESTIGACION MULTIDISCIPLINAR COMO EL DEL PRESENTE CONSORCIO. ESTE SUBPROYECTO CONTRIBUIRA A DICHOS OBJETIVOS ESTUDIANDO LAS PROPIEDADES DE LOS CMNS MEDIANTE EL USO DE CALCULOS DE PRIMEROS PRINCIPIOS. INICIALMENTE, SE PREDECIRAN LAS PROPIEDADES DE LOS CMNS QUE SE DESEAN SINTETIZAR PARA COMPROBAR QUE REALMENTE RESPONDEN A LAS EXPECTATIVAS. EN CASO NECESARIO SE EXPLORARAN LOS MECANISMO DE REACCION EN SUPERFICIES, AUNQUE NO ES UNO DE LOS PRINCIPALES OBJETIVOS DEL SUBPROYECTO. UNA VEZ SINTETIZADOS LOS CMNS, SUS PROPIEDADES ELECTRONICAS, OPTICAS Y DE TRANSPORTE SERAN ESTUDIADAS USANDO DIVERSAS TECNICAS [DFT, DFT DEPENDIENTE DEL TIEMPO (TDFFT), GW, FUNCIONES DE GREEN FUERA DEL EQUILIBRIO (NEG)] Y CODIGOS DESARROLLADOS POR NUESTRO GRUPO (SIESTA/TRANSIESTA, Y CODIGOS GW Y TDDFT OPERANDO SOBRE SIESTA). ESTOS CODIGOS SERAN OPTIMIZADOS PARA PODER INCLUIR EL SUSTRATO EXPLICITAMENTE EN LOS CALCULOS.SE UTILIZARAN CALCULOS DFT Y GW, JUNTO A FOTOEMISION Y STS, PARA ESTUDIAR LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DE LOS CMNS. SE ESTUDIARAN LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE MEDIANTE SIMULACIONES NEG Y MEDIDAS CON EL STM.LA CAVIDAD PLASMONICA FORMADA POR EL STM, Y LA CORRESPONDIENTE AMPLIFICACION DEL CAMPO ELECTROMAGNETICO, SERAN USADAS PARA ESTUDIAR LA EMISION DE LUZ INDUCIDA POR EL PASO DE CORRIENTE ELECTRICA Y LA SEÑAL RAMAN AUMENTADA (TERS) DE LOS CMNS. ESTOS ESTUDIOS SERAN CONTRASTADOS CON CALCULOS TDDFT DE LA RESPUESTA OPTICA DEL CMN DENTRO DE LA CAVIDAD. LA PUNTA DEL STM SERA SIMULADA POR UN PEQUEÑO CLUSTER EN EL CASO DE CALCULOS TOTALMENTE AB INITIO, O BIEN UTILIZANDO UN MODELO DIELECTRICO EN UN ESQUEMA MIXTO.USAREMOS CALCULOS DFT PARA ESTUDIAR EL EFECTO DE LA POLARIZACION DE SUSTRATOS FERROELECTRICOS SOBRE CMNS DEPOSITADOS.POR ULTIMO, PARA MODELIZAR DISPOSITIVOS BASADOS EN CMNS, DESARROLLAREMOS UN METODO MULTIESCALA PARA INCLUIR LOS EFECTOS DE DOBLADO (BENDING) DE BANDAS EN SUSTRATOS SEMICONDUCTORES DOPADOS Y DEL POTENTIAL PUERTA, ACOPLANDO DICHO ESQUEMA A UN METODO DE PRIMEROS PRINCIPIOS DE TRANSPORTE CUANTICO (TRANSIESTA). PARA ELLO, LA SUPERFICIE SERA REPRESENTADA COMO UN TERMINAL MAS CON UNA AUTOENERGIA QUE INCLUYE LOS EFECTOS DEL DOBLADO DE BANDAS CALCULADOS CON UN MODELO ELECTROESTATICO. ÁLCULOS DE PRIMEROS PRINCIPIOS\OPTOELECTRÓNICA\MATERIALES PLANOS\NANOELECTRÓNICA\NANOCINTAS DE GRAFENO\SÍNTESIS EN SUPERFICIES\TRANSPORTE CUÁNTICO\GW\TDDFT\DFT

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