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PCI2022-132940

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TELLURIUM-FREE THERMOELECTRIC MODULES BY INTERFACE ENGINEERING

THERMOS TIENE COMO OBJETIVO EL DESARROLLO DE MODULOS TERMOELECTRICOS (TE) ALTAMENTE EFICIENTES BASADOS EN MATERIALES DE FASE ZINTL DE NANOGRANO PARA REFRIGERACION DE ESTADO SOLIDO Y CONVERSION DE CALOR A ELECTRICIDAD. LA CADENA DE... ver más

01/01/2022

ASOC CIC NANOGUNE

201K€

Presupuesto del proyecto: 201K€

Líder del proyecto

ASOC CIC NANOGUNE Actividades auxiliares a la educación asociacion

TRL 4-5 | 50K€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2022-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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ASOC CIC NANOGUNE

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Líder del proyecto

ASOC CIC NANOGUNE Actividades auxiliares a la educación asociacion

TRL 4-5 | 50K€

Presupuesto del proyecto 201K€

Descripción del proyecto THERMOS TIENE COMO OBJETIVO EL DESARROLLO DE MODULOS TERMOELECTRICOS (TE) ALTAMENTE EFICIENTES BASADOS EN MATERIALES DE FASE ZINTL DE NANOGRANO PARA REFRIGERACION DE ESTADO SOLIDO Y CONVERSION DE CALOR A ELECTRICIDAD. LA CADENA DE PROCESO COMPLETA EN THERMOS UTILIZA TECNICAS DE PROCESAMIENTO ESCALABLES DESDE LA SINTESIS DE NANOPOLVOS MEDIANTE MOLIENDA DE BOLAS DE ALTA ENERGIA, COMPACTACION, HASTA EL ENSAMBLAJE DE DISPOSITIVOS TE. A DIFERENCIA DE LOS MODULOS COMERCIALES BI2TE3, EL CONSORCIO DEL PROYECTO DESARROLLARA MODULOS SIN EL ELEMENTO ESCASO TELURIO CON MAYOR RENDIMIENTO. SELECCIONAMOS LOS SEMICONDUCTORES MG3(SB,BI)2 TIPO N Y MGAGSB TIPO P QUE CONTIENEN ABUNDANTES ELEMENTOS PARA EL DISPOSITIVO THERMOS. NUESTRO OBJETIVO ES UNA EFICIENCIA DE CONVERSION DE CALOR A ENERGIA (N) MUY MEJORADA DE 8-9 % EN COMPARACION CON BI2TE3 DE 20 A 300 °C, Y UN ENFRIAMIENTO TE (AT) DE ~60 A 70 °C QUE ES COMPETITIVO CON BI2TE3 MODULOS BASADOS EN EL PRECIO MODERADO, LA ABUNDANCIA Y LA NO TOXICIDAD DE LOS ELEMENTOS QUE CONSTITUYEN LOS MATERIALES DE LAS FASES ZINTL A BASE DE MG EN THERMOS LOS CONVIERTEN EN CANDIDATOS IDEALES PARA SUSTITUIR EL ALTAMENTE TOXICO Y ESCASO BI2TE3 E IMPULSAR SU COMERCIALIZACION.

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