Hola,
¿eres nuevo aquí?

Regístrate gratis y conecta tu empresa con financiación pública, partners y proyectos.

Tengo cuenta

Regístrate

Ver video

III-V-MOS

Financiado

Cerrado

Technology CAD for III V Semiconductor based MOSFETs

According to ITRS, III-V compound semiconductor n-type MOSFETs will reach production in 2018 as part of a new scaling scenario for high performance at very low voltage. The present lack of dependable TCAD models for the early s... ver más

30/04/2017

IUNET

4M€

Presupuesto del proyecto: 4M€

Líder del proyecto

CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 10 Participantes

Financiación concedida El organismo FP7 notifico la concesión del proyecto el día 2017-04-30 No tenemos la información de la convocatoria

0% 67% 100%

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

10 Participantes

IUNET

0.00€ | Lider

N.D. | Participante

UNIBO

N.D. | Participante

Proyectos interesantes

PERSEUS

Electronics

Applied Physics

200K€ Cerrado

RYC-2017-23312

Electronics

Software

309K€ Cerrado

TEC2009-07597

Electronics

Applied Physics

89K€ Cerrado

ATEMOX

Electronics

Software

4M€ Cerrado

TEC2008-02266

Electronics

Nanotechnology

8K€ Cerrado

DUALLOGIC

Electronics

Applied Physics

9M€ Cerrado

Conecta tu I+D

¿Tienes un proyecto y buscas un partner? Gracias a nuestro motor inteligente podemos recomendarte los mejores socios y ponerte en contacto con ellos. Te lo explicamos en este video

Líder del proyecto

CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 4M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto According to ITRS, III-V compound semiconductor n-type MOSFETs will reach production in 2018 as part of a new scaling scenario for high performance at very low voltage. The present lack of dependable TCAD models for the early stages of industrial development is a hindrance to benefit from the cost saves and time to market reduction that TCAD is recognized to deliver. To bridge this gap, III-V-MOS aims to provide to the European Semiconductor Industry accurate device simulation models and methods, integrated into TCAD tools, for successful introduction in CMOS technology of optimized device designs based on III-V MOSFETs at and beyond the 14nm node. III-V-MOS will develop, validate and transfer to industry a new device simulation methodology enabling the use of accurate quantum drift-diffusion and Monte Carlo TCAD tools. The models, calibrated by comparison with measurements on complete devices and ad-hoc test structures, will provide comprehensive descriptions of Ultra Thin Body Semiconductor on Insulator FETs, FinFETs and nanowire FETs at and beyond the 14nm node including device parasitics. A hierarchical approach will be used, starting from atomistic band structure calculations all the way down to customized TCAD simulation setups ready for direct use in an industrial environment.Systematic application of the new methodology under industrial guidance will provide new insight in nanoscale III-V semiconductor device physics and identify the potential of the technology boosters, thus substantially reducing the options to be explored for the device design and the corresponding costs. Future exploitation and high impact of the project results are guaranteed by the TCAD market leader (Synopsys); by a SME specialized in the growing business of atomistic simulations for technology development (QuantumWise); by a research center (IMEC) and an industry lab (IBM) engaged in CMOS fabrication technology development and by the European foundry GLOBALFOUNDRIES Dresden.

Conecta tu I+D

Entra hoy

¿Olvidé mi contraseña?

Financiación

Empresas

CTIs/Universidades

Proyectos

Investigadores