EL PROYECTO NOMAS PRETENDE OBTENER DISPOSITIVOS MAGNETOELECTRONICOS EN LOS QUE SE CONSIGA UN CONTROL DE LA ORIENTACION DE LA IMANACION MEDIANTE LA APLICACION DE DEFORMACION Y SE OBTENGAN ESTADOS MAGNETICOS NO VOLATILES, ES DECIR...
ver más
Fecha límite participación
Sin fecha límite de participación.
Financiación
concedida
El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto
el día 2021-01-01
No tenemos la información de la convocatoria
0%
100%
Información adicional privada
No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.
¿Tienes un proyecto y buscas un partner? Gracias a nuestro motor inteligente podemos recomendarte los mejores socios y ponerte en contacto con ellos. Te lo explicamos en este video
Proyectos interesantes
MAT2017-82970-C2-1-R
NANOESTRUCTURAS ESPINTRONICAS PARA TECNOLOGIAS DE LA INFORMA...
182K€
Cerrado
MAT2017-82970-C2-2-R
NANOESTRUCTURAS ESPINTRONICAS PARA TECNOLOGIAS DE LA INFORMA...
182K€
Cerrado
REVOLT
Rashba Effect-induced non-VOLatile ferroelectric control of...
165K€
Cerrado
TED2021-130453B-C22
EFECTOS MAGNETOELECTRICOS Y MAGNETOIONICOS ESTIMULADOS POR L...
164K€
Cerrado
MAT2014-51982-C2-1-R
ELEMENTOS Y DISPOSITIVOS ESPINTRONICOS PARA APLICACIONES CON...
Cerrado
PDC2021-121276-C31
DISPOSITIVO DE MEMORIA MAGNETO-IONICO CON FUNCIONALIDADES NE...
115K€
Cerrado
Fecha límite de participación
Sin fecha límite de participación.
Descripción del proyecto
EL PROYECTO NOMAS PRETENDE OBTENER DISPOSITIVOS MAGNETOELECTRONICOS EN LOS QUE SE CONSIGA UN CONTROL DE LA ORIENTACION DE LA IMANACION MEDIANTE LA APLICACION DE DEFORMACION Y SE OBTENGAN ESTADOS MAGNETICOS NO VOLATILES, ES DECIR QUE SE MANTENGAN EN EL DISPOSITIVO UNA VEZ SE SUPRIME LA DEFORMACION A LA SE SOMETE LA PELICULA MAGNETICA. LA DEFORMACION SE OBTIENE APLICADO UN VOLTAJE EXTERNO SOBRE UN MATERIAL PIEZOELECTRICO Y SE GENERA UN PIEZOSTRAIN SOBRE EL MATERIAL MAGNETICO.LAS APLICACIONES DE ESTE TIPO DE DISPOSITIVOS STRAINTRONICOS NO VOLATILES EN MEMORIAS DE ALMACENAMIENTO DE INFORMACION PERMITIRIAN QUE EL CONSUMO DE ENERGIA POR OPERACION DE ESCRITURA SE REDUJESE AL MENOS UN ORDEN DE MAGNITUD YA QUE NO HAY PERDIDAS POR EFECTO JOULE DEBIDO AL USO DE CORRIENTES ELECTRICAS. ESTE EFECTO IMPLICA A ESTE PROYECTO EN LA TEMATICA DE ESTA CONVOCATORIA ORIENTADA LA TRANSICION ECOLOGICA.LA EFICIENCIA DE UN CEREBRO HUMANO EN COMPLETAR COMPLEJAS OPERACIONES CON POCO CONSUMO DE ENERGIA HA MOTIVADO EL DESARROLLO DE UNA TECNOLOGIA QUE INTENTA IMITAR LA FORMA EN QUE OPERAN LAS NEURONAS. ALGUNOS DE LAS PROPUESTAS DE DISEÑO DE REDES NEURONALES SE BASAN EN DISPOSITIVOS STRAINTRONICOS. POR ELLO, LA INTRODUCCION DE ESTE TIPO DE DISPOSITIVOS EN EL CAMPO DE LA COMPUTACION NEUROMORFICA CONTRIBUIRIA A LA TRANSICION DIGITAL.LAS ESTRUCTURAS DE TRES BLOQUES EPITAXIALES FEGA/MGO/FEGA SE FABRICARAN MEDIANTE EVAPORACION EN VACIO ULTRA ALTO SOBRE SUSTRATOS PIEZOELECTRICOS PMN-PT(100). LAS CAPAS FERROMAGNETICAS TENDRA UN COEFICIENTE DE TENSION MAGNETOELASTICA GRANDE CON SIGNOS OPUESTOS, UNA ANISOTROPIA MAGNETOCRISTALINA PEQUEÑA Y UN COEFICIENTE MAGNETOELECTRICO INVERSO GIGANTE. SE DISEÑARA DISPOSITIVOS FORMADOS UNIONES TUNEL (CON MOTIVOS DE FORMA RECTANGULAR Y/O ELIPTICA) Y ELECTRODOS PARA LA APLICACION DE VOLTAJE MEDIANTE TECNICAS DE CALCULO MICROMAGNETICO Y PROPIEDADES FISICAS (MUMAX3 Y COMSOL). SE PRECEDERA A SU FABRICACION MEDIANTE TECNICAS DE LITOGRAFIA OPTICA Y TALLADO POR HAZ DE IONES Y SE REALIZARAN MEDIDAS DE RESISTIVIDAD PARA OBSERVAR LA PRESENCIA DE ESTADOS NO VOLATILES DE LA CONFIGURACION DE LA IMANACION EN LA ESTRUCTURA TRICAPA.