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Solution Based Engineering of Nanodimensional Phase Change Materials and Memory...

Solution Based Engineering of Nanodimensional Phase Change Materials and Memory Devices Phase-change memory (PCM) is a recently-commercialized next-generation memory storage technology that provides a sustainable solution to exponentially-growing memory storage demands of modern society. It is based on resistively sw... ver más

31/12/2024

ETH Zürich

2M€

Presupuesto del proyecto: 2M€

Líder del proyecto

EIDGENOESSISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE ZUERICH No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 2 Participantes

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2024-12-31

ERC-2019-STG: ERC Starting Grant Scope:Objectives

I+D

Cerrada hace 6 años

0% 100% 100%

Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

2 Participantes

ETH Zürich

1.60M€ | Lider

GENERAL ELECTRIC RENOVABLES...

1.26M€ | Participante

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Duración del proyecto: 63 meses Fecha Inicio: 2019-09-03
Fecha Fin: 2024-12-31

Líder del proyecto

EIDGENOESSISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE ZUERICH No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Presupuesto del proyecto 2M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto Phase-change memory (PCM) is a recently-commercialized next-generation memory storage technology that provides a sustainable solution to exponentially-growing memory storage demands of modern society. It is based on resistively switched structural changes of memory cell upon local crystallization and melting phase transitions, resulting in amorphous or crystalline atomic structures with distinctly different 0 and 1 resistance states. PCM is faster and more durable than state-of-the-art non-volatile memory devices like silicon-based solid-state drives (SSD), and it can furthermore be scaled in all three dimensions. However, there are open challenges for PCM technology, such as large power consumption and high price of PCM devices, which stem from large dimensions of memory cells, complex fabrication process, and from use of material-inefficient sputtering and etching fabrication steps for the expensive PCM layer. This proposal addresses the open challenges and enables further development of PCM technology by applying solution-based engineering. Our goals are (i) to develop robust synthetic approaches for PCM materials, such as ternary tellurides and antimony-rich compositions, in the form of colloidal nanoparticles and molecular ink precursors; (ii) to thoroughly study how PCM properties change at the nanoscale as a function of size, thickness, and composition; and (iii) to employ these phase-change nanomaterials in solution-processed PCM arrays to build new, ultrasmall PCM configurations as well as multilayer PCM cells and to reduce their price and power consumption.

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