Descripción del proyecto
EL CRECIMIENTO EXPERIMENTADO EN LOS ULTIMOS AÑOS POR EL TRAFICO DE DATOS EN LOS SISTEMAS DE COMUNICACIONES INALAMBRICAS, Y MUY EN PARTICULAR EN LAS MOVILES, JUNTO A LAS PERSPECTIVAS DE QUE AUMENTE SU RITMO DE FORMA MUY NOTABLE, REQUIEREN NUEVAS SOLUCIONES DISRUPTIVAS PARA GARANTIZAR TANTO LA UBICUIDAD EN EL ACCESO COMO EL INCREMENTO DE LA CAPACIDAD, QUE CONJUGUEN UN USO MAS EFICIENTE DEL ESPECTRO Y DE LOS RECURSOS ENERGETICOS DISPONIBLES, UN APROVECHAMIENTO EFICAZ DE LOS ULTIMOS AVANCES TECNOLOGICOS, JUNTO A DESPLIEGUES DE RED CON MAYOR DENSIDAD DE ELEMENTOS DE ACCESO Y HETEROGENEIDAD, TODO ELLO SUPONE ABORDAR NUMEROSOS RETOS EN LA ARQUITECTURA, TANTO EN CAPAS SUPERIORES COMO A NIVEL FISICO, ES PRECISAMENTE EN EL NUCLEO DE LA CAPA FISICA QUE ESTE SUBPROYECTO COORDINADOR OFRECE SU PRINCIPAL CONTRIBUCION, PROPONIENDO SOLUCIONES CIENTIFICO-TECNOLOGICAS NOVEDOSAS PARA EL HARDWARE DE RF Y POTENCIA, SE DESCRIBEN ASI LOS SIGUIENTES OBJETIVOS ESPECIFICOS:- DESARROLLO DE PROCEDIMIENTOS, ORIENTADOS AL DISEÑO, PARA LA CARACTERIZACION DINAMICA Y MODELADO NO LINEAL DE TRANSISTORES DE POTENCIA EN PROCESOS AVANZADOS,- DESARROLLO DE ESTRUCTURAS PASIVAS DE BANDA ANCHA Y BAJAS PERDIDAS, UTILIZACION EN ADAPTACION/TERMINACION DE IMPEDANCIA Y COMBINACION DE POTENCIA,- DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA MODO CONTINUO DE MUY ALTA EFICIENCIA PARA ESTACIONES BASE Y TERMINALES DE USUARIO, OPTIMIZACION DEL ANCHO DE BANDA Y LOS PERFILES DE MODULACION,- DISEÑO DE CONVERTIDORES DC/DC RESONANTES EN RF PARA LA MANIPULACION DE ENVOLVENTES RAPIDAS Y CON UN VALOR ALTO DE LA RELACION POTENCIA PICO A PROMEDIO,- DISEÑO DE RECTIFICADORES AUTO-SINCRONOS PARA LA RECUPERACION DE LA ENERGIA EN LAS BANDAS DE RADIO, ASI COMO DE CONVERTIDORES DC/AC EN RF PARA EL USO DE LA FOTOVOLTAICA,- IMPLEMENTACION DE ESQUEMAS DE TRANSMISION ET/EER, OUTPHASING E HIBRIDOS, EN EL ESTADO DE LA TECNICA, CAPACES DE MANIPULAR SEÑALES DE COMUNICACION 5G MUY EXIGENTES,EN COMPARACION CON EL PROYECTO PREVIO (TEC2011-29126-C03-01), SE AVANZA EN LA INTRODUCCION DE DISPOSITIVOS EN NUEVAS TECNOLOGIAS, EL CASO DE LOS DISEÑOS CON GAN HEMTS DE HASTA 100 NM O DE ACTIVIDADES INCIPIENTES CON GRAPHENE FETS, SOBRE LA BASE DE ESTRATEGIAS DE MODELADO GLOBAL, SE PLANTEAN DISEÑOS DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA CON EFICIENCIA PICO MUY ELEVADA Y PERFILES APROPIADOS DE LINEALIDAD, A LO LARGO DE ANCHOS DE BANDA SIGNIFICATIVOS, COMBINANDO LOS MODOS CONTINUOS CLASES E Y J, LAS PRESTACIONES DE ESTOS AMPLIFICADORES, QUE EMIGRAN A BANDAS SUPERIORES (S, C Y X), INCLUIDA LA FABRICACION DE MONOLITICOS, CONSTITUIRAN LA BASE SOBRE LA QUE SE PODRAN HACER REALIDAD LOS PUNTOS DE ACCESO 5G O LAS ESTACIONES PARA OTROS SISTEMAS, A TRAVES DE LA IMPLEMENTACION DE ESQUEMAS DE TRANSMISION POR SEGUIMIENTO DE LA ENVOLVENTE Y OUTPHASING (HASTA BANDA W), CAPACES DE CONSEGUIR FIGURAS DE EFICIENCIA PROMEDIO EN EL ESTADO DE LA TECNICA, SE ABORDAN NECESARIAMENTE ACTIVIDADES DE CONVERSION DE POTENCIA A FRECUENCIAS DE CONMUTACION NUNCA ANTES USADAS, ASI COMO LA APROPIADA MANIPULACION DE FUENTES DE ENERGIA ALTERNATIVAS, DERIVANDOSE A SU VEZ MUCHAS OTRAS APLICACIONES, ESTE SUBPROYECTO APORTA UN BUEN NUMERO DE EPOS DE RELEVANCIA, GRACIAS A LAS COLABORACIONES PREVIAS MANTENIDAS CON LAS MISMAS, ASI COMO AL INTERES POR LA TEMATICA ESPECIFICA DE PARTE DE LA COMUNIDAD NO SOLO ACADEMICA, SINO TAMBIEN INDUSTRIAL, SIN SUS CONTRIBUCIONES Y LAS DE INVESTIGADORES DE PRESTIGIO INCORPORADOS AL EQUIPO, EL ALCANCE DEL SUBPROYECTO NO PODRIA SER EL MISMO, AMPLIFICADORES RF DE POTENCIA\CLASE E/J\CONVERTIDORES DC/DC EN ALTA FRECUENCIA\GAN HEMTS\MICROWAVE\MMICS\RECTIFICADORES\TRANSMISORES INALÁMBRICOS\TRANSMISOR OUTPHASING\TRANSMISOR DE SEGUIMIENTO DE ENVOLVENTE.