SIMULACION ELECTROMAGNETICA DE PROBLEMAS MULTIESCALA EN ENTORNOS HPC. APLICACION...
SIMULACION ELECTROMAGNETICA DE PROBLEMAS MULTIESCALA EN ENTORNOS HPC. APLICACIONES NOVEDOSAS EN MICROSCOPIA Y ESPECTROSCOPIA OPTICA Y ELECTRONICA
EL ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO PLASMONICO DE NANOMATERIALES HA DESPERTADO UN GRAN INTERES CIENTIFICO EN LOS ULTIMOS AÑOS, GRAN PARTE DE LOS TRABAJOS SE CENTRAN EN EL CAMPO DE LA BIOMEDICINA, FUNDAMENTALMENTE POR LAS PROPIEDADES DE...
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Descripción del proyecto
EL ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO PLASMONICO DE NANOMATERIALES HA DESPERTADO UN GRAN INTERES CIENTIFICO EN LOS ULTIMOS AÑOS, GRAN PARTE DE LOS TRABAJOS SE CENTRAN EN EL CAMPO DE LA BIOMEDICINA, FUNDAMENTALMENTE POR LAS PROPIEDADES DE LAS NANOPARTICULAS PLASMONICAS, QUE LES PERMITEN FUNCIONAR COMO EFICACES AGENTES INTENSIFICADORES DE IMAGENES BIOMEDICAS,LOS CONTRASTES AVANZADOS SINTETIZADOS A PARTIR DE PEQUEÑAS PARTICULAS DE METALES NOBLES (NANOPARTICULAS) OFRECEN UN GRAN POTENCIAL PARA APLICACIONES BIOMEDICAS DEBIDO A LAS PROPIEDADES QUE SURGEN DE LA INTERACCION DE DICHAS PARTICULAS CON LAS CAMPOS ELECTROMAGNETICOS, ORIGINANDOSE LOS ASI DENOMINADOS PLASMONES SUPERFICIALES LOCALIZADOS, EL COMPORTAMIENTO OPTICO DE LOS METALES ESTA BIEN DESCRITO POR LA ELECTRODINAMICA CLASICA, DE ESTA FORMA, LA INVESTIGACION EN SISTEMAS PLASMONICOS SE PUEDE BENEFICIAR DE TODO EL CONOCIMIENTO PREVIO DESARROLLADO EN OTRAS AREAS EN LAS QUE LA SIMULACION ELECTROMAGNETICA SIEMPRE HA JUGADO UNA PAPEL PRIMORDIAL, RECIENTEMENTE, EL EQUIPO DE INVESTIGADORES QUE SUSCRIBE ESTA PROPUESTA HA APLICADO CON EXITO LOS METODOS RIGUROSOS DE SIMULACION ELECTROMAGNETICA MAS AVANZADOS (METODOS FULL-WAVE CON ACELERACIONES ESPECTRALES) A LA RESOLUCION DE PROBLEMAS PLASMONICOS REALES DE GRANDES DIMENSIONES, ESTOS METODOS SUPONEN UN GRAN AVANCE CON RESPECTO A LOS METODOS HABITUALMENTE UTILIZADOS EN OPTICA, BASADOS EN APROXIMACIONES VOLUMETRICAS, NO OBSTANTE, A PESAR DE LOS AVANCES SIGNIFICATIVOS ALCANZADOS, EL CAMPO DE LA NANOPLASMONICA ESTA TODAVIA LASTRADO POR ALGUNAS LIMITACIONES INTRINSECAS DE LAS HERRAMIENTAS DE SIMULACION DISPONIBLES ACTUALMENTE, LAS SIMULACIONES DE APLICACIONES REALES EN NANOTECNOLOGIA ADOLECEN DE LOS PROBLEMAS MULTI-ESCALA ASOCIADOS AL ELEVADO NIVEL DE DETALLE REQUERIDO EN LA DESCRIPCION DE LAS GEOMETRIAS EN SISTEMAS COMPLEJOS, LO QUE ORIGINA PROBLEMAS EXTREMADAMENTE MAL CONDICIONADOS, QUE HACEN QUE EN OCASIONES SEAN PRACTICAMENTE IRRESOLUBLES, POR OTRO LADO, EL USO DE EXCITACIONES EVANESCENTES POR HAZ DE ELECTRONES PARA LA INDUCCION DE RESONANCIAS PLASMONICAS Y LA EMISION DE LUZ (MEDIANTE MICROSCOPIA Y ESPECTROSCOPIA ELECTRONICA) ESTA GANANDO TERRENO DIA A DIA, PERMITIENDO INCREMENTAR DE FORMA MUY SIGNIFICATIVA LA RESOLUCION ESPACIAL, SI QUEREMOS ESTAR PREPARADOS PARA OFRECER SOLUCIONES PRECISAS Y ROBUSTAS A LAS APLICACIONES ACTUALES Y DE VANGUARDIA EN NANOTECNOLOGIA, PRIMERO DEBEMOS MEJORAR NUESTROS CODIGOS DE SIMULACION EN TRES DIRECCIONES CONVERGENTES: I) IDEAR NUEVAS METODOLOGIAS RAPIDAS, INCLUYENDO LA DESCRIPCION DE LOS FENOMENOS DE EXCITACION EVANESCENTE POR HAZ DE ELECTRONES, II) INCORPORAR ALGORITMOS DE ALTO NIVEL PARA ABORDAR LOS PROBLEMAS DE CONDICIONAMIENTO EXTREMO ASOCIADOS A SU NATURALEZA MULTI-ESCALA, Y III) APLICAR LAS TECNICAS MAS AVANZADAS DE PARALELIZACION PARA EXPLOTAR LAS CAPACIDADES DE LOS RECURSOS DE SUPERCOMPUTACION (HPC) A LOS QUE TENEMOS ACCESO, EN ESTE CONTEXTO, ESTE PROYECTO SE PLANTEA CON UN DOBLE OBJETIVO: (I) IR MAS ALLA EN EL DESARROLLO DE LOS CODIGOS DE SIMULACION QUE PERMITAN EL MODELADO DE PROBLEMAS PLASMONICOS REALES BAJO EXCITACION LASER Y ELECTRONICA, Y (II) APLICAR DICHAS HERRAMIENTAS A LA SIMULACION DE NANOMATERIALES AVANZADOS PARA APLICACIONES DE DETECCION Y GENERACION DE IMAGENES EN BIOMEDICINA, SOMOS CONSCIENTES DE QUE LOS OBJETIVOS QUE ESTAMOS PLANTEANDO SON MUY AMBICIOSOS; SIN EMBARGO, LOS RESULTADOS PREVIOS JUNTO CON LA EXPERIENCIA EN EL CAMPO DEL ELECTROMAGNETISMO COMPUTACIONAL, NOS HACEN SER OPTIMISTAS, NANOPLASMÓNICA\ELECTROMAGNETISMO COMPUTACIONAL (CEM)\COMPUTACIÓN DE ALTAS PRESTACIONES (HPC)\MICROSCROPÍA\ESPECTROSCOPÍA
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