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Shape controlled spin Orbit memories Fabrication process and Technology transf...

Shape controlled spin Orbit memories Fabrication process and Technology transfer Non-volatility is the main physical feature that fast memories, such as SRAM, are still lacking. Non-volatile memories could increase computing performance while reducing significantly the power consumption. The only viable option... ver más

31/10/2022

CNRS

150K€

Presupuesto del proyecto: 150K€

Líder del proyecto

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 3 Participantes

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2022-10-31

ERC-2020-POC: Call for proposals for ERC Proof of...

I+D

Cerrada hace 5 años

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3 Participantes

CNRS

120.00K€ | Lider

HISPANAGAR

543.57K€ | Participante

SPINION TECHNOLOGIES

30.00K€ | Participante

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Duración del proyecto: 25 meses Fecha Inicio: 2020-09-11
Fecha Fin: 2022-10-31

Líder del proyecto

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 150K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto Non-volatility is the main physical feature that fast memories, such as SRAM, are still lacking. Non-volatile memories could increase computing performance while reducing significantly the power consumption. The only viable option for sub-ns nonvolatile memory is the Spin Orbit Torque Magnetic Random Access Memory (SOT-MRAM). The main roadblock towards the integration of the SOT-MRAM is that the reproducible bipolar switching requires the application of a static in plane magnetic field. Zero-field SOT switching is still a challenge, which motivates active research on this topic. Within the SMART Design ERC-StG project, we are developing an innovative approach for this problem. We discovered that it is possible to determine the switching polarity by the shape of the magnetic free layer. This approach meets all the physical requirements for the SRAM replacement (scalability, switching time, switching current…), but the nano-fabrication of devices with complex shapes using standard u-v lithography tools is difficult and expensive. Here we propose to develop an innovative fabrication technique, adapted for complex shapes, based on ion irradiation. The technology provider is participating to the project, while the potential end-user of this technology is an external collaborator.

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