Innovating Works

MAT2008-06873-C02-02

Financiado
SEMICONDUCTORES MAGNETICOS DE GAP ANCHO (ZNM)O (M:CO,MN,FE) Y SUS FASES DE ALTA...
SEMICONDUCTORES MAGNETICOS DE GAP ANCHO (ZNM)O (M:CO,MN,FE) Y SUS FASES DE ALTA PRESION. DEPOSICION E CAPA DELGADA Y PROPIEDADES ESTRUCTURALES Y MAGNETO-OPTICAS ANTECEDENTS THIN FILMS OF WURTZITE ZN1-XMXO (M: TRANSITION METAL) EXHIBITING FERROMAGNETISM AT ROOM TEMPERATURE (RT) ARE AMONG THE MOST PROMISING WIDE GAP MAGNETIC SEMICONDUCTOR FOR SPINTRONIC AND MAGNETOOPTICAL APPLICATIONS, ALON... ver más
01/01/2008
UV
145K€
Presupuesto del proyecto: 145K€
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Líder del proyecto
UNIVERSITAT DE VALÈNCIA (ESTUDI GENERAL) No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.
Sin perfil tecnológico
Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2008-01-01
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