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Revealing the electronic energy landscape of multi layered opto electronic devi...

Revealing the electronic energy landscape of multi layered opto electronic devices Modern optoelectronic (OE) devices such as light-emitting or photovoltaic diodes offer exciting opportunities for the future. A wide range of materials has been utilized in these devices, including among others: organic materials,... ver más

31/03/2024

TUD

1M€

Presupuesto del proyecto: 1M€

Líder del proyecto

TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 4 Participantes

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2024-03-31

ERC-2016-STG: ERC Starting Grant Scope:Objectives

I+D

Cerrada hace 9 años

0% 100% 100%

Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

4 Participantes

TUD

1.15M€ | Lider

SEINET CONTENT SOLUTIONS

UHEI

181.63K€ | Participante

IFW

167.50K€ | Participante

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Duración del proyecto: 84 meses Fecha Inicio: 2017-03-16
Fecha Fin: 2024-03-31

Líder del proyecto

TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 1M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto Modern optoelectronic (OE) devices such as light-emitting or photovoltaic diodes offer exciting opportunities for the future. A wide range of materials has been utilized in these devices, including among others: organic materials, inorganic quantum dots and hybrid perovskites. While the functionality, performance and device physics vary strongly from material to material and device to device, all OE devices depend on the energy levels of their individual components and the interaction of the electronic states at the various heterointerfaces. Lacking a method to map the energy levels in a device, energy level diagrams reported for most devices consist of a combination of individual energy levels for each material, which neglect interactions between the materials (that may cause interfacial dipoles and/or band bending) and do not represent the true energetic landscape. Despite this, they are routinely used for interpretation of device performance and physics. This project aims to map the energy levels in real functional devices: revealing the true nature of buried interfaces, multilayers and contacts, and to answer fundamental long-standing questions in the field of OE, such as the origin of photovoltage losses and energetics of injection/extraction contacts of devices. We will develop and utilize a Ultra-violet photoemission spectroscopy (UPS) depth profiling technique based on the combination of UPS with Ar gas cluster ion beam (GCIB) etching that induces minimal surface damage, on a wide range of organic, inorganic and hybrid materials and devices. We will reveal the true energy level landscapes of devices and monitor their evolution throughout the device lifetime. Furthermore, we will explore the possibility to expand the use of GCIB etching beyond UPS as a new nanofabrication technique. These studies will open new frontiers in OE research and would allow the development of novel interface engineering approaches, device architectures and material design rules.

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