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MAT2008-06761-C03-03

Financiado

OXIDOS MULTIFUNCIONALES PARA LA MANIPULACION DE SPIN Y COMUNICACIONES AGILES

LAS DEMANDAS ACTUALES DE ALMACENAMIENTO DE DATOS Y TECNOLOGIAS DE LA INFORMACION INEVITABLE REQUIERE AUMENTAR LA VELOCIDAD Y REDUCIR EL TAMAÑO Y CONSUMO DE POTENCIA DE LOS DISPOSITIVOS, ESTE PROYECTO PRETENDE ROMPER ALGUNAS LIMITA... ver más

01/01/2008

169K€

Presupuesto del proyecto: 169K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE BARCELONA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 327

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2008-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE BARCELONA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 327

Presupuesto del proyecto 169K€

Descripción del proyecto LAS DEMANDAS ACTUALES DE ALMACENAMIENTO DE DATOS Y TECNOLOGIAS DE LA INFORMACION INEVITABLE REQUIERE AUMENTAR LA VELOCIDAD Y REDUCIR EL TAMAÑO Y CONSUMO DE POTENCIA DE LOS DISPOSITIVOS, ESTE PROYECTO PRETENDE ROMPER ALGUNAS LIMITACIONES ACTUALES USANDO OXIDOS MULTIFUNCIONALES, NUESTROS OBJETIVOS SON: A) DESARROLLO DE UNA NUEVA GENERACIO DE UNIONES TUNEL EN LAS QUE LAS BARRERAS AISLANTE SEAN ACTIVAS EN LA SELECCION DE LA POLARIZACION DE SPIN DE LA CORRIENTE O EN LA CAPACIDAD PARA AJUSTAR SU ALTURA CON UN CAMPO ELECTRICO Y B) DESARROLLO DE COMPONENTES PARA MICROONDAS EN LOS QUE SE PUEDA SINTONIZAR LA VELOCIDAD DE PROPAGACION DE LAS ONDAS DE SPIN CON UN CAMPO ELECTRICO, NUESTRAAPROXIMACION INCLUYE: C) DESARROLLO DE NUEVA ARQUITECTURAS Y MATERIALES QUE PUEDAN PERMITIR OBTENER FUENTES DE SPIN TOTALMENTE POLARIZADAS Y ALCANZAR EL CONTROL ELECTRICO DE LA RESPUESTA MAGNETICA EN MEMORIAS MAGNETICAS Y COMPONENTES PARA MICROONDAS, LAS INTERCARAS ENTRE OXIDOS DISTINTOS ESTAN PRESENTES EN HETEROSTRUCTURAS EPITAXIALES; OFRECEN LA POSIBILIDAD DE DAR LUGAR A PROPIEADES EMERGENTES, POR ELLO, PRETENDEMOS D) COMPRENDER Y EXPLOTAR LAS CONTRIBUCIONES DE TENSION EPITAXIAL Y POLARIDAD EN LA RESDISTRIBUCION DE CARGA Y EN LA MODULACION MAGNETICA EN LAS INTERCARAS MEDIANTE LA NANOINGENIERIA DE EPITAXIAS, FINALMENTE, LA ELECTRONICA DE OXIDOS, AREA EN LA QUE ESTE PROYECTO SE UBICA, ES UN AREA EMERGENTE CON ENORMES EXPECTATIVAS QUE REQUERIRAN SU INTEGRACION CON SILICIO, POR ELLO, ESTE PROYECTO ABORDARA: E) EL CRECIMIENTO DE OXIDOS FUNCIONALES SOBRE SI, spintrónica\microondas\multiferroicos\óxidos\capas finas\heteroestructuras epitaxiales\fenómenos de intercara\telecomunicaciones ágiles\medidas a alta frecuencia\óxidos sobre silicio\filtros de spín

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