Hola,
¿eres nuevo aquí?

Regístrate gratis y conecta tu empresa con financiación pública, partners y proyectos.

Tengo cuenta

Regístrate

Ver video

OSE-Ferroelectrics

Financiado

Cerrado

Overturning Size Effects in Ferroelectric Thin Films

The rapid increase in power consumption for data collection, storage and processing drives a global interest in finding new energy-efficient device paradigms. Ferroelectric materials can provide energy-efficient solutions for targ... ver más

28/02/2026

INSTITUT ZA FIZIKU

162K€

Presupuesto del proyecto: 162K€

Líder del proyecto

INSTITUT ZA FIZIKU No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo HORIZON EUROPE notifico la concesión del proyecto el día 2023-04-27

HORIZON-MSCA-2022-PF-01-01: MSCA Postdoctoral Fellowships 2022 ExpectedOutcome:

I+D

Cerrada hace 2 años

0% 100%

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

1 Participantes

INSTITUT ZA FIZIKU

161.89K€ | Lider

Proyectos interesantes

FERHAZ

Materials Scien...

Electronics

166K€ Cerrado

DYNAMISM

Electronics

Materials Scien...

3M€ Cerrado

POLARIS

Materials Scien...

Electronics

150K€ Cerrado

LUCIOLE

Materials Scien...

Electronics

2M€ Cerrado

MOBILE-W

Electronics

Applied Physics

2M€ Cerrado

ESTRELLA

Materials Scien...

Electronics

165K€ Cerrado

Conecta tu I+D

¿Tienes un proyecto y buscas un partner? Gracias a nuestro motor inteligente podemos recomendarte los mejores socios y ponerte en contacto con ellos. Te lo explicamos en este video

Duración del proyecto: 34 meses Fecha Inicio: 2023-04-27
Fecha Fin: 2026-02-28

Líder del proyecto

INSTITUT ZA FIZIKU No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 162K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto The rapid increase in power consumption for data collection, storage and processing drives a global interest in finding new energy-efficient device paradigms. Ferroelectric materials can provide energy-efficient solutions for targeted applications such as transistors based on polarization-induced negative capacitance or memory devices based on polarization-controlled resistive switching. The crucial properties of ferroelectric-based heterostructures in electronic applications are remanent polarization, coercive voltage and leakage current because they limit the ON/OFF ratio, energy efficiency and charge transport properties of any device. However, uncompensated bound charge and defects at ferroelectric interfaces result in polarization suppression, increase of coercive voltage and uncontrolled charge carrier formation. The purpose of OSE-Ferroelectrics is to assess the possibility of tackling these size effects in ferroelectric thin films. In OSE-Ferroelectrics, I propose a path to an ambitious goal of overturning ferroelectric size effects by tailoring the heterostructure design and tracking the resulting crystal, electronic and ferroelectric properties. The two cornerstones of the proposal are: (i) adoption of combination of scanning-probe and optical techniques to locally evaluate the crystal, defect, and ferroelectric properties, and (ii) use of independent evaluation of electronic structure, charge carrier concentration and mobility to understand the charge transport properties across ferroelectric interfaces. The research questions and methods addressed in OSE-Ferroelectrics will advance the knowledge of ferroelectric size effects, bring attention to semiconducting properties of ferroelectric layers, and reveal routes for enhancing performance of ferroelectric memory devices. Ultimately, the results of this project would have important implications for the integration of oxide ferroelectrics into the semiconductor industry.

Conecta tu I+D

Entra hoy

¿Olvidé mi contraseña?

Financiación

Empresas

CTIs/Universidades

Proyectos

Investigadores