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TEC2014-59730-R

Financiado

OPTIMIZACION DE LA CELDA DE MEMORIA A2RAM PARA LOS PROXIMOS NODOS TECNOLOGICOS.

EL PROYECTO TEC2011-28660 HA PERMITIDO DEMOSTRAR EXPERIMENTALMENTE LA CELDA DE MEMORIA A2RAM (PATENTES US2012/113730 US2013/148441 Y WO2013/50707) GRACIAS A PROTOTIPOS FABRICADOS EN EL CNM-BARCELONA Y CEA-LETI, LOS ESTUDIOS REALIZ... ver más

01/01/2014

UGR

257K€

Presupuesto del proyecto: 257K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 5507

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2014-01-01

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Participantes

UGR

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA

Total investigadores 5507

Presupuesto del proyecto 257K€

Descripción del proyecto EL PROYECTO TEC2011-28660 HA PERMITIDO DEMOSTRAR EXPERIMENTALMENTE LA CELDA DE MEMORIA A2RAM (PATENTES US2012/113730 US2013/148441 Y WO2013/50707) GRACIAS A PROTOTIPOS FABRICADOS EN EL CNM-BARCELONA Y CEA-LETI, LOS ESTUDIOS REALIZADOS SOBRE ESTOS PROTOTIPOS MUESTRAN UN COMPORTAMIENTO EXCELENTE: AMPLIOS MARGENES DE CORRIENTE ENTRE ESTADOS, TIEMPOS DE RETENCION COMPETITIVOS, VARIABILIDAD RAZONABLE, INMUNIDAD A LAS INTERFERENCIAS ENTRE CELDAS, Y GRAN RESISTENCIA AL ENVEJECIMIENTO, AUNQUE EL FUNCIONAMIENTO DE LA CELDA A2RAM SE HA DEMOSTRADO EN UNA DE LAS TECNOLOGIAS CMOS MAS AVANZADAS (FDSOI22), PARA AFRONTAR SU EXPLOTACION INDUSTRIAL ES NECESARIO MOSTRAR QUE FUNCIONARA TAMBIEN EN LOS DOS PROXIMOS NODOS TECNOLOGICOS, OFRECIENDO VENTAJAS EN CUANTO A INTEGRACION Y CONSUMO DE ENERGIA SOBRE LAS SOLUCIONES COMPETIDORAS, PARA CONSEGUIR ESTE AMBICIOSO OBJETIVO SE PLANTEAN TRES ESCENARIOS DISTINTOS:I) OPTIMIZACION PARA TECNOLOGIAS PLANAS FDSOI14 Y FDSOI14+, UNO DE LOS PROBLEMAS A RESOLVER CUANDO SE REDUCEN LAS DIMENSIONES DE LAS CELDAS MAS ALLA DEL NODO DE 22NM ES LA DEGRADACION DEL TIEMPO RETENCION DEL ESTADO 0 COMO CONSECUENCIA DE LA CORRIENTE TUNEL BANDA-A-BANDA DURANTE EL PERIODO DE RETENCION, SE ESTUDIARA EXPERIMENTALMENTE Y MEDIANTE SIMULACION MULTISUBBANDA MONTE CARLO ESTE EFECTO, PARA MODIFICAR LA ESTRUCTURA A2RAM BLOQUEANDO LA CORRIENTE TUNEL, LOS RESULTADOS SE APLICARAN A DISPOSITIVOS AVANZADOS TFETS DEL CEA-LETI,II) DEMOSTRACION EXPERIMENTAL DE A2RAM EN EL NODO CMOS DE 10NM (SI NANOWIRES Y III-V NANOWIRES), CARACTERIZACION EXPERIMENTAL DE NANOHILOS DE SILICIO Y MATERIALES III-V, SIMULACION 3D MULTISUBBAND MONTE CARLO DE NANOHILOS, III) EXPLORACION EN NODOS BEYOND CMOS: VIABILIDAD DE LA CELDA A2RAM MEDIANTE APILAMIENTO DE MATERIALES BIDIMENSIONALES, CARACTERIZACION EXPERIMENTAL MATERIALES BIDIMENSIONALES, ESTUDIO ATOMISTICO (DFT) DE ESTRUCTURAS SENCILLAS Y SIMULACION MC DE FETS BASADOS EN MATERIALES 2D,LA CONSECUCION DE ESTA META REQUIERE DE UN EQUIPO DE INVESTIGACION MULTIDISCIPLINAR E INTERNACIONAL QUE AFRONTARA TANTO PROBLEMAS PURAMENTE TECNOLOGICOS, COMO CUESTIONES FUNDAMENTALES DEL TRANSPORTE DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES, DESARROLLO DE MODELOS AVANZADOS DE SIMULACION, Y APLICACION DE NUEVAS TECNICAS DE CARACTERIZACION ELECTRICA COMBINADAS CON TECNICAS DE CARACTERIZACION A ESCALA ATOMICA, POR TANTO, AUNQUE EL OBJETIVO FINALISTA DEL PROYECTO ESTE CENTRADO EN LA CELDA A2RAM, SE VAN A DESARROLLAR HERRAMIENTAS DE SIMULACION Y TECNICAS DE CARACTERIZACION DE GRAN INTERES POR SI MISMOS, CONTAMOS PARA ELLO DEL POTENCIAL HUMANO Y TECNICO ADECUADOS, LOS ESTUDIOS EXPERIMENTALES SE REALIZARAN EN EL LABORATORIO DE NANOELECTRONICA DE LA UGR, UNO DE LOS MAS AVANZADOS A NIVEL EUROPEO COMO LO DEMUESTRA NUESTRA PARTICIPACION EN LA PROPUESTA EUROPEA DE INFRAESTRUCTURAS COMUNES PARA NANOELECTRONICA DEL H2020 (NEW ERA OF NANO-ELECTRONICS INFRAIA-654425),FINALMENTE, SE CUENTA CON LA COLABORACION DE VARIAS EMPRESAS Y CENTROS TECNOLOGICOS INTERESADOS EN LOS RESULTADOS DEL PROYECTO, CABE DESTACAR LA COLABORACION CON LA DRA,VINET (CEA-LETI) QUE NOS FACILITARA DISPOSITIVOS FD14 Y FD14+ Y FABRICARA PROTOTIPOS AVANZADOS A2RAM PARA VALIDACION EN EL NODO DE 10NM; LA COLABORACION CON LA DRA,RIEL DE IBM ZURICH, QUE NOS FACILITARA DISPOSITIVOS Y/O RESULTADOS EXPERIMENTALES SOBRE NANOHILOS Y ESTRUCTURAS III-V; Y LA COLABORACION CON LA EMPRESA GSS (DR,ASENOV) QUE NOS PROPORCIONARA LICENCIAS LIBRES DE SU SUITE DE SIMULACION VALORADA EN MAS DE 200000, NANOELECTRONICA\MEMORIA SEMICONDUCTORA\CARACTERIZACIÓN ELÉCTRICA\SIMULACIÓN\NANOHILOS\MATERIALES BIDIMENSIONALES

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