OPTICA PLANAR CON METAMATERIALES BASADOS EN OXIDOS: CRECIMIENTO CRISTALINO Y CAR...
OPTICA PLANAR CON METAMATERIALES BASADOS EN OXIDOS: CRECIMIENTO CRISTALINO Y CARACTERIZACION ESTRUCTURAL Y MORFOLOGICA.
ESTE SUBPROYECTO SE CENTRA EN EL CRECIMIENTO DE CRISTALES DE PELICULAS DELGADAS, NANOPARTICULAS Y HETEROESTRUCTURAS DE CD (ZN) O Y ZN (MG) O MEDIANTE EL USO DE LA DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR DE PRECURSORES METAL ORGANICOS (MO...
ESTE SUBPROYECTO SE CENTRA EN EL CRECIMIENTO DE CRISTALES DE PELICULAS DELGADAS, NANOPARTICULAS Y HETEROESTRUCTURAS DE CD (ZN) O Y ZN (MG) O MEDIANTE EL USO DE LA DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR DE PRECURSORES METAL ORGANICOS (MOCVD) Y LA ESPRAY PIROLISIS (SP) COMO TECNICAS DE CRECIMIENTO, ASI COMO EL ESTUDIO EN PROFUNDIDAD DE LAS PROPIEDADES MORFOLOGICAS Y ESTRUCTURALES DE ESTOS OXIDOS EN CORRELACION CON SUS CARACTERISTICAS PLASMONICAS Y FONONICAS. LOS ESTUDIOS PREVIOS DEL CONSORCIO HAN DEMOSTRADO LAS POTENCIALIDADES DE ESTOS OXIDOS COMO UN ENFOQUE NUEVO Y DESAFIANTE EN EL CAMPO DE LA PLASMONICA, POR LO QUE EL SUBPROYECTO EN UVEG ABORDARA TRES PRINCIPALES OBJETIVOS:1. COMPRENDER Y CONTROLAR EN PROFUNDIDAD LOS PROCESOS INVOLUCRADOS EN EL CRECIMIENTO POR MOCVD DE ALEACIONES PLASMONICAS DE CD(ZN)O (CAPAS, HETEROESTRUCTURAS DE CD(ZN)O/CDO Y NANOPARTICULAS SOBRE ZAFIRO, SIC Y PBSE. ABRIENDO, ESTOS DOS ULTIMOS SUSTRATOS, NUEVAS VIAS PARA LA PLASMONICA BASADA EN OXIDOS.2. CONOCER Y CONTROLAR LOS PROCESOS INVOLUCRADOS EN LA DEPOSICION DE ZN(MG)O POR ESPRAY PIROLISIS SOBRE LOS MISMOS SUSTRATOS, CON EL OBJETIVO DE MOSTRAR LAS OPORTUNIDADES DE LAS TECNICAS DE BAJO COSTE EN EL CAMPO DE LA PLASMONICA.3. DETERMINAR LAS CARACTERISTICAS ESTRUCTURALES Y MORFOLOGICAS DE LOS OXIDOS MEDIANTE LA DIFRACCION DE RAYOS X DE ALTA RESOLUCION (HRXRD) Y MICROSCOPIA ELECTRONICA (SEM Y TEM), Y ESTUDIAR LA COMPOSICION Y SU CORRELACION CON LAS PROPIEDADES ESTRUCTURALES, Y LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ELECTRICAS DE LOS OXIDOS, DETERMINADAS POR EL GRUPO DE LA UPM, CON EL FIN DE ESTABLECER UNA RETROALIMENTACION SISTEMATICA CON LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO.COMO DERIVADA DE LOS PRINCIPALES OBJETIVOS, PERO SIN LIMITARLOS, SE ABORDARA EL CRECIMIENTO DE SUSTRATOS DE PBSE POR TRANSPORTE FISICO DE VAPOR, THM Y EVAPORACION AL VACIO, CON EL FIN DE CONTAR CON SUSTRATOS COMPLEMENTARIOS A LOS PROPORCIONADOS POR LA EMPRESA INVOLUCRADA EN EL PROYECTO (NIT). LASMONICA\OXIDOS SEMICONDUCTORES.\FOTODETECTORES EN EL IR\SP\MOCVD\FONONICAver más
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