OPERACION DE DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA DE ALTA POTENCIA PARA GALILEO LIBRE...
OPERACION DE DISPOSITIVOS DE RADIOFRECUENCIA DE ALTA POTENCIA PARA GALILEO LIBRES DE DESCARGA MULTIPACTION.
GALILEO, EL SISTEMA GLOBAL DE NAVEGACION POR SATELITE EUROPEO (GNSS), REQUIERE UN AUMENTO DE LA POTENCIA DE RADIOFRECUENCIA (RF) (> 100 W A 1-2 GHZ) LO QUE IMPLICA PROBLEMAS DE AVALANCHAS DE ELECTRONES EN RADIOFRECUENCIA (RF) O DE...
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Descripción del proyecto
GALILEO, EL SISTEMA GLOBAL DE NAVEGACION POR SATELITE EUROPEO (GNSS), REQUIERE UN AUMENTO DE LA POTENCIA DE RADIOFRECUENCIA (RF) (> 100 W A 1-2 GHZ) LO QUE IMPLICA PROBLEMAS DE AVALANCHAS DE ELECTRONES EN RADIOFRECUENCIA (RF) O DESCARGA MULTIPACTION QUE ES EL FACTOR LIMITANTE PARA LA POTENCIA MAXIMA DE TRABAJO DE LA INSTRUMENTACION DE RF.TAMBIEN LOS ASPECTOS TERMICOS (EMISIVIDAD TERMICA) EN SISTEMAS DE RF PARA LA DISIPACION DE CALOR DEBEN SER CONSIDERADOS. POR LO TANTO, EL FUNCIONAMIENTO LIBRE DE MULTIPACTION EN DISPOSITIVOS DE RF DE ALTA POTENCIA ES UN RELEVANTE OBJETIVO. EN BASE A ESTO, LA IDENTIFICACION DE UN RECUBRIMIENTO AVANZADO ADECUADO PARA COMPONENTES DE RF DE ALTA POTENCIA CON EXTREMADAMENTE BAJA EMISION SECUNDARIA TAMBIEN PARA ANTENAS Y RADIADORES ES MUY DESEADA Y MAS SI SE TIENE EN CUENTA QUE LA UE PROHIBIRA EL USO DE CROMO HEXAVALENTE, POR EJEMPLO, PARA TRATAMIENTOS SUPERFICIALES COMO ALODINE 1200. LA AVALANCHA DE ELECTRONES SE GENERA POR LA SINCRONIZACION ENTRE LA EMISION DE ELECTRONES SECUNDARIOS Y EL INTENSO CAMPO ELECTRICO DE RF DENTRO DE LOS DISPOSITIVOS DE RF QUE TRABAJAN EN CONDICIONES DE VACIO. LA EMISION DE ELECTRONES DE UNA SUPERFICIE CAUSADA POR EL IMPACTO DE ELECTRONES, IONES Y FOTONES INCIDENTES EN CONDICIONES DE VACIO SE CARACTERIZA POR EL RENDIMIENTO DE EMISION DE ELECTRONES SECUNDARIOS (SEY). LA DESCARGA DE ELECTRONES TAMBIEN ES UN PROBLEMA EN LOS GRANDES ACELERADORES DE PARTICULAS DE ALTA ENERGIA, LOS GENERADORES DE MICROONDAS Y LOS DISPOSITIVOS DE PLASMA TOROIDAL TERMONUCLEAR.ESTE PROYECTO PROPONE UNA INVESTIGACION TECNOLOGICA Y FUNDAMENTAL CENTRADA EN EL DESARROLLO E IMPLEMENTACION DE UN SINGULAR TRATAMIENTO SUPERFICIAL BASADO EN NUESTROS RESULTADOS Y LOGROS PREVIOS, UTILIZANDO UN PROCESO VERDE DE ELECTROLESS PARA DEPOSITAR PLATA, NIQUEL Y ORO SOBRE SUSTRATOS DE ALEACIONES DE ALUMINIO Y PARA PROTECCION DE FERRITAS, CAPACES DE RECUBRIR GEOMETRIAS COMPLEJAS CON BUENA COBERTURA EN ESCALONES Y ARISTAS, ESPESOR> 3 MICRAS UTILIZANDO DISOLUCIONES VERDES O AMIGABLES CON EL MEDIO AMBIENTE. EL OBJETIVO PRINCIPAL ES LOGRAR RECUBRIMIENTOS DE PLATA Y ORO PARA INHIBIR LA DESCARGA MULTIPACTOR EN LOS DISPOSITIVOS DE RF PARA SU APLICACION DIRECTA EN GALILEO Y EN LA INDUSTRIA EUROPEA. ADEMAS LA SUPERFICIE DE LOS DIELECTRICOS SE NANO MICROESTRUCTURARA PARA DISMINUIR SU SEY. LOS LOGROS Y APRENDIZAJES DE LA INVESTIGACION PREVIA DEL EQUIPO SE LLEVARON A CABO EN COLABORACION CON LA ESA Y LAS EMPRESAS ESPACIALES EUROPEAS MAS RELEVANTES, ESTE NUEVO PROYECTO SE EMPRENDE PARA CONTINUAR EL TRABAJO EN UN NUEVO ENFOQUE GENERAL SOBRE TRATAMIENTOS SUPERFICIALES EMERGENTES Y DEGRADACION DE RF: SUPERFICIE AVANZADA TRATAMIENTOS DE SEY EXTREMADAMENTE BAJO: RECUBRIMIENTOS MICRO NANOESTRUCTURADOS DE PLATA, NIQUEL Y ORO CON BUENA ADHERENCIA AL SUSTRATO.EN ESTE PROYECTO SE UTILIZARAN LAS MAS AVANZADAS TECNICAS DE ANALISIS DE SUPERFICIES EN COLABORACION CON PRESTIGIOSOS GRUPOS DE INVESTIGACION INTERNACIONALES RELACIONADOS CON GRANDES INSTALACIONES SINGULARES: ESA, SINCROTRONES, CERN, XFEL SE REALIZARAN MEDICIONES POR METODO PULSADO Y ESPECTROSCOPIAS, SEY Y EDC PARA EMISION SECUNDARIA, XPS, AES, REELS, EDX, XRD, RBS, UPS (SINCROTRON) Y NEXAFS (SINCROTRON) PARA MICROSCOPIA QUIMICA, ESTRUCTURAL Y ELECTRONICA, AFM Y SEM Y PERFILOMETRIA (RUGOSIDAD SUPERFICIAL) PARA OBTENER LA RELACION DE ASPECTO Y TAMBIEN LOS TEST DE ADHESION SERAN FUNDAMENTAL PARA GARANTIZAR LA ADECUACION DEL TRATAMIENTO SUPERFICIAL. SE DISEÑARA Y CONSTRUIRA UN DISPOSITIVO DE R ECONDARY ELECTRON EMISSION\IONIC LIQUIDS\MULTIPACTOR\RF DISCHARGE\GALILEO
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