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MAT2017-87072-C4-2-P

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NUEVOS MATERIALES PARA DISPOSITIVOS ESPINTRONICOS Y MAGNONICOS

ESTE PROYECTO FORMA PARTE DE UN PROYECTO COORDINADO QUE ABORDARA ASPECTOS RELEVANTES DEL CAMPO DE LA ESPINTRONICA, RESPONDIENDO ACUESTIONES FUNDAMENTALES AUN ABIERTAS Y CONTRIBUYENDO AL DISEÑO DE NUEVOS DISPOSITIVOS ESPINTRONICOS... ver más

01/01/2017

UCM

97K€

Presupuesto del proyecto: 97K€

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UCM

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Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Presupuesto del proyecto 97K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto ESTE PROYECTO FORMA PARTE DE UN PROYECTO COORDINADO QUE ABORDARA ASPECTOS RELEVANTES DEL CAMPO DE LA ESPINTRONICA, RESPONDIENDO ACUESTIONES FUNDAMENTALES AUN ABIERTAS Y CONTRIBUYENDO AL DISEÑO DE NUEVOS DISPOSITIVOS ESPINTRONICOS Y MAGNONICOS, PARA ELLO, EN NUESTRO PROYECTO DESARROLLAREMOS Y OPTIMIZAREMOS NUEVOS MATERIALES, DE FORMA QUE TENGAN COMPOSICION, ESTRUCTURA Y PROPIEDADES IDONEAS, A LA VEZ QUE CONTRIBUIREMOS A SU INTEGRACION EN LOS DISPOSITIVOS FINALES,LA ESPINTRONICA ES UNO DE LOS CAMPOS MAS ACTIVOS DE LA FISICA DE MATERIALES EN LOS ULTIMOS AÑOS, TANTO DESDE UN PUNTO DE VISTA FUNDAMENTAL, DE COMPRENSION DE LA FISICA SUBYACENTE EN LOS FENOMENOS DE TRANSPORTE DEPENDIENTE DEL ESPIN, COMO DESDE UN ENFOQUE APLICADO, DADA LA POSIBILIDAD DE FABRICAR DISPOSITIVOS DE BAJO CONSUMO UTILIZANDO EL ESPIN DEL ELECTRON COMO UN GRADO DE LIBERTAD ADICIONAL A LA CARGA, PARA LA GENERACION DE CORRIENTES POLARIZADAS EN ESPIN SE HA PROPUESTO LA UTILIZACION DE MATERIALES QUE PRESENTEN EFECTO SPIN-HALL (SHE) GIGANTE, DE LOS QUE UN BUEN CANDIDATO SON LAS ALEACIONES DILUIDAS (DA)DE ATOMOS DE METALES CON FUERTE ACOPLO ESPIN-ORBITA EN MATRICES DE METALES NOBLES, PARALELAMENTE, OTRA IDEA RECIENTE ES GENERAR Y TRANSMITIR ONDAS DE ESPIN EN ESTRUCTURAS DE ESCALA NANO- Y MICROMETRICA, LO QUE PERMITIRIA TRANSMITIR Y PROCESAR INFORMACION MEDIANTE MAGNONES, EN EL TERRENO DE LA ESPINTRONICA, ENSAYAREMOS DIFERENTES ESTRATEGIAS: 1) ESTUDIAREMOS LA DINAMICA DE PAREDES MAGNETICAS INDUCIDA POR CORRIENTES POLARIZADAS EN ESPIN EN SISTEMAS CON ANISOTROPIA MAGNETICA PERPENDICULAR, EN PARTICULAR, EN TRICAPAS METAL PESADO 1/FERROMAGNETICO/METAL PESADO 2 (HE1/FM/HE2) EN LAS QUE EL ESPESOR DE LA CAPA FM ES CONSTANTE O VARIA DE UN EXTREMO A OTRO DE LA MUESTRA (ESTRUCTURA EN CUÑA), AQUI LA INTERACCION DE DZYALOSHINSKII-MORIYA (DMI) EN LAS INTERCARAS CONTROLA TANTO EL TIPO (BLOCH-NEEL) COMO LA QUIRALIDAD (IZQUIERDA-DERECHA) DE LA PARED, 2) ESTUDIAREMOS LA MODIFICACION DE LAS PROPIEDADES MAGNETICAS DE LAS ESTRUCTURAS DESCRITAS EN 1) MEDIANTE BOMBARDEO CON IONES AR+, ESPERAMOS QUE LA MODIFICACION DE LA CAPA DE METAL PESADO INDUCIDA POR EL BOMBARDEO INFLUYA EN LA DMI Y, POR TANTO, EN LA IMANACION DE LA CAPA FM, 3) MEDIREMOS EL SHE EN ESTRUCTURAS FM/DA (DA = CU:BI O AG:BI), COMPARANDO SU COMPORTAMIENTO CON EL DE CAPAS CU/BI O AG/BI, EN LO QUE RESPECTA AL CAMPO DE LA MAGNONICA, FABRICAREMOS UN CRISTAL MAGNONICO 2D POR ELECTRODEPOSICION, CRECIENDO PUNTOS DE MATERIAL MAGNETOSTRICTIVO SOBRE UN SUSTRATO PIEZOELECTRICO, DEBIDO AL ACOPLO MAGNETOELASTICO, SE ESPERA QUE LAS ONDAS ACUSTICAS GENERADAS POR EL PIEZOELECTRICO AFECTEN A LA IMANACION Y SU DINAMICA EN EL CRISTAL MAGNONICO, ADEMAS DE FABRICAR Y CARACTERIZAR MATERIALES NANOESTRUCTURADOS Y/O DE DIMENSIONALIDAD REDUCIDA, NUESTRO GRUPO CONTRIBUIRA JUNTO A OTROS MIEMBROS DEL CONSORCIO A LA INTEGRACION EN DISPOSITIVOS DE ALGUNO DE LOS MATERIALES DESARROLLADOS,LOS RESULTADOS DE ESTE PROYECTO SUPONDRAN UN AVANCE IMPORTANTE EN LA COMPRENSION DE LAS PROPIEDADES DE MATERIALES DE INTERES TECNOLOGICO, APROVECHAREMOS NUESTRA CAPACIDAD DE FABRICACION DE MATERIALES CON PROPIEDADES AVANZADAS, ASI COMO NUESTRA EXPERIENCIA EN EL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES MAGNETICAS Y ELECTRONICAS DE MATERIALES NANOESTRUCTURADOS, CONSIDERAMOS QUE NUESTRO GRUPO DISPONE DE LAS CAPACIDADES EXPERIMENTALES ASI COMO DEL CONOCIMIENTO PREVIO NECESARIO PARA ENFRENTARSE CON EXITO A LOS OBJETIVOS DESCRITOS, QUE PUEDEN TENER UN IMPACTO RELEVANTE EN EL CAMPO, PROCESOS DE IMANACIÓN\ESPINTRÓNICA\MAGNÓNICA\ACOPLAMIENTO ESPIN-ÓRBITA\ELECTRODEPOSICIÓN\MBE\BOMBARDEO IÓNICO

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