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MAT2014-54425-R

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NUEVOS MATERIALES BASADOS EN OXIDOS DE IRIDIO PARA APLICACIONES EN ESPINTRONICA

DENTRO DE LA BUSQUEDA DE MATERIALES PARA APLICACIONES EN ESPINTRONICA UN AREA PROMETEDORA E INCIPIENTE SON AQUELLOS SISTEMAS QUE PRESENTAN INTERACCIONES ESPIN-ORBITA SIGNIFICATIVAS EN EL ESTADO FUNDAMENTAL, LA PRINCIPAL VENTAJA DE... ver más

01/01/2014

UNIZAR

Presupuesto desconocido

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA. OFICINA DE TRANSFERE... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2014-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA. OFICINA DE TRANSFERE... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto DENTRO DE LA BUSQUEDA DE MATERIALES PARA APLICACIONES EN ESPINTRONICA UN AREA PROMETEDORA E INCIPIENTE SON AQUELLOS SISTEMAS QUE PRESENTAN INTERACCIONES ESPIN-ORBITA SIGNIFICATIVAS EN EL ESTADO FUNDAMENTAL, LA PRINCIPAL VENTAJA DE ESTOS MATERIALES ES QUE POSEEN UN FUERTE ACOPLO ESPIN ORBITA DE CARACTER LOCAL, LO QUE PUEDE RESULTAR MUY UTIL EN EL DISEÑO DE DISPOSITIVOS DESTINADOS AL CONTROL DEL ESPIN, OFRECEN TAMBIEN LA INTERESANTE, E INESPERADA, POSIBILIDAD DE MODIFICAR FACILMENTE SU ESTADO FUNDAMENTAL METALICO/SEMICONDUCTOR, ADEMAS, LOS IRIDIATOS SON CANDIDATOS PARTICULARMENTE INTERESANTES EN EL CAMPO DE LA ESPINTRONICA BASADA EN MATERIALES ANTIFERROMAGNETICOS, LOS RESULTADOS OBTENIDOS HASTA LA FECHA SOBRE IRIDIATOS SON MUY PROMETEDORES, PERO, AL TRATARSE DE UN RECIENTE OBJETO DE ESTUDIO, AUN NO SE CONOCEN PLENAMENTE LOS MECANISMOS QUE SUBYACEN A SUS PROPIEDADES MAGNETICAS Y DE TRANSPORTE, O COMO INFLUYE LA BAJA DIMENSIONALIDAD EN SUS PROPIEDADES, ADEMAS, LOS OXIDOS DE IR PRESENTAN PROPIEDADES MAGNETICAS Y ELECTRICAS QUE TAMBIEN LOS HACEN POTENCIALMENTE RELEVANTES EN OTRAS AREAS COMO LOS NUEVOS IMANES PERMANENTES,PARA TENER EXITO EN EL DESARROLLO DE NUEVOS MATERIALES ES NECESARIO, EN PRIMER LUGAR, UNA CARACTERIZACION DETALLADA A NIVEL ATOMICO Y MICROSCOPICO QUE PERMITA CONOCER LOS MECANISMOS Y PARAMETROS QUE DETERMINAN EL COMPORTAMIENTO DE LOS MATERIALES MASIVOS, EN SEGUNDO LUGAR HAY QUE ABORDAR COMO AFECTA A LAS PROPIEDADES DE ESTOS MATERIALES EL PASO A LA NANOESCALA, YA QUE EL DESARROLLO DE NUEVOS MATERIALES EN FORMA DE LAMINAS DELGADAS ES IMPRESCINDIBLE PARA OBTENER NUEVOS DISPOSITIVOS CON INTERES EN ESPINTRONICA, ADEMAS, LA FABRICACION DE ESTRUCTURAS ARTIFICIALES COMBINANDO LAMINAS DELGADAS CON DIFERENTES PROPIEDADES MAGNETICAS Y/O ELECTRONICAS ES UNA APROXIMACION INNOVADORA PARA OBTENER PROPIEDADES UNICAS Y FACILMENTE MANIPULABLES, POR TODO, ELLO, ES IMPRESCINDIBLE CONTROLAR LA COMPOSICION, (NANO)ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DEL COMPUESTO CUANDO SE CRECE EN FORMA DE LAMINA DELGADA, PARA RESPONDER A TODOS ESTOS TOPICOS EN ESTE PROYECTO SEGUIREMOS PRINCIPALMENTE TRES LINEAS DE TRABAJO: (1) OXIDOS DE IR MASIVOS: UNO DE LOS OBJETIVOS FUNDAMENTALES ES DETERMINAR EL PAPEL QUE DESEMPEÑAN EL ESTADO DE OXIDACION DEL IR Y LAS DISTORSIONES ESTRUCTURALES EN LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS Y MAGNETICAS DE LOS MATERIALES, OTRO OBJETIVO FUNDAMENTAL ES DESENTRAÑAR LAS COMPLEJAS INTERACCIONES MAGNETICAS QUE TIENEN LUGAR EN ESTOS COMPUESTOS, (2) LAMINAS DELGADAS BASADAS EN OXIDOS DE IR: LOS PRINCIPALES OBJETIVOS SON ELUCIDAR LOS MECANISMOS QUE DEFINEN LAS PROPIEDADES MAGNETICAS (FERROMAGNETICO VS ANTIFERROMAGNETICO) Y DE TRANSPORTE (METALICO VS SEMICONDUCTOR) Y DETERMINAR EL PAPEL QUE DESEMPEÑA LA SUPERFICE Y LA INTERCARA EN EL MOMENTO MAGNETICO, LA ANISOTROPIA MAGNETICA Y LA INTERACCION ESPIN-ORBITA DE LA LAMINA DELGADA, EN ESTE ORDEN DE IDEAS SE DESARROLLARAN TAMBIEN METODOS AB-INITIO PARA CALCULAR LOS EXPECTROS XAS DE SISTEMAS NANOSCOPICOS, NUESTRO TRABAJO FACILITARA EL ANALISIS DE ESTAS INFLUENCIAS Y AYUDARA A CLARIFICAR LAS POSIBILIDADES REALES Y LOS LIMITES DE LA TECNICA XAS EN LA NANOESCALA, (III) HETEROESTRUCTURAS BASADAS EN IR PARA NUEVOS IMANES PERMANENTES: NUESTRO OBJETIVO ES CRECER MULTICAPAS NANOESTRURADAS DE OXIDOS DE FE Y DE IR Y ESTUDIAR SUS PROPIEDADES MAGNETICAS, EN ESTE ESTUDIO SE PRESTARA ESPECIAL ATENCION AL PAPEL QUE DESEMPEÑA EL IR EN EL EXCHANGE BIAS Y EL CAMPO COERCITIVO, ÓXIDOS DE IR\LÁMINAS DELGADAS\ACOPLO ESPÍN-ÓRBITA\ESPINTRÓNICA\NUEVOS IMANES PERMANENTES\XAS\XMCD\CÁLCULOS AB-INITIO

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