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RTI2018-097876-B-C21

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NUEVAS DINAMICAS DE ELECTRONES Y FONONES PARA NANOTECNOLOGIAS EMERGENTES: APLICA...

NUEVAS DINAMICAS DE ELECTRONES Y FONONES PARA NANOTECNOLOGIAS EMERGENTES: APLICACION A HETEROESTRUCTURAS 2D VAN DER WAALS Y DISPOSITIVOS DE THZ EL SUBPROYECTO 1 SE TITULA: "NUEVAS HERRAMIENTAS DE SIMULACION PARA LAS HETEROESTRUCTURAS 2D VAN DER WAALS, RECTENAS OPTICAS Y DISPOSITIVOS CUANTICOS DE THZ Y TIENE TRES OBJETIVOS PRINCIPALES:A,- DESARROLLO Y DIFUSION DE SOFTWARE... ver más

01/01/2018

UAB

103K€

Presupuesto del proyecto: 103K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT AUTÒNOMA DE BARCELONA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1265

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2018-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Participantes

UAB

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSITAT AUTÒNOMA DE BARCELONA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1265

Presupuesto del proyecto 103K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL SUBPROYECTO 1 SE TITULA: "NUEVAS HERRAMIENTAS DE SIMULACION PARA LAS HETEROESTRUCTURAS 2D VAN DER WAALS, RECTENAS OPTICAS Y DISPOSITIVOS CUANTICOS DE THZ Y TIENE TRES OBJETIVOS PRINCIPALES:A,- DESARROLLO Y DIFUSION DE SOFTWARE Y SIMULADORES NANOELECTRONICOS:LAS FRECUENCIAS THZ EN DISPOSITIVOS A LA NANOESCALA SON LA FRONTERA ACTUAL EN INGENIERIA DE DISPOSITIVOS, PERO LAS HERRAMIENTAS TCAD TRADICIONALES NO ESTAN PREPARADAS PARA ESTE DESAFIO, ESTA FALTA DE MODELADO IMPLICA SEVERAS LIMITACIONES, EN ESTE SUBPROYECTO 1 MEJORAREMOS LAS CORRELACIONES CUANTICAS ENTRE ELECTRONES EN NUESTRAS SIMULACIONES, LA COMPAÑIA MEMCOMPUTING INC, ESTA INTERESADA EN ESTE RESULTADO PARA SIMULADORES CUANTICOS DE PROPOSITO GENERAL, TAMBIEN SE CONTEMPLARAN MODELOS MONTE CARLO E HIDRODINAMICOS DEL SUBPROYECTO 2 PARA MODELOS COMPACTOS DE GRAFENO, MATERIALES 2D Y HETEROESTRUCTURAS VDW, LOS PARAMETROS EFECTIVOS SE INCLUIRAN EN LOS SIMULADORES DE CIRCUITOS Y SE PROBARAN A TRAVES DE LA COLABORACION CON LA EMPRESA KEYSIGHT TECHNOLOGIES,B,- VAN DER WAALS 2D-HETEROESTRUCTURAS Y DISPOSITIVOS BASADOS EN CORRIENTE DE DESPLAZAMIENTO PARA APLICACIONES THZ:SE HA DEMOSTRADO QUE REEMPLAZANDO LA CAPA ACTIVA DE GRAFENO EN UN TRANSISTOR POR UNA HETEROESTRUCTURA VDW, SE MEJORA SIGNIFICATIVAMENTE EL TRANSPORTE DE PORTADORES, ESTO MOTIVA LA EXPLORACION DE LAS PRESTACIONES A THZ DE LOS GFET BASADOS EN ESTAS HETEROESTRUCTURAS, POR OTRO LADO, A FRECUENCIAS DE THZ, LA CORRIENTE DE DESPLAZAMIENTO SE VUELVE MAS IMPORTANTE QUE LA CORRIENTE DE PARTICULAS, POR LO TANTO, EN LA FRONTERA ENTRE LA ELECTRONICA Y EL ELECTROMAGNETISMO BUSCAREMOS NUEVOS DISEÑOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS BASADOS EN LA CORRIENTE DE DESPLAZAMIENTO EN LUGAR DE LA CARGA, TAMBIEN INVESTIGAREMOS LOS MECANISMOS DE DISPERSION A TRAVES DE MODELOS HIDRODINAMICOS PARA 2D HETROESTRUCTURAS DE VDW,C,- DISPOSITIVOS CUANTICOS Y RECTENAS MICRO-NANOMECANICAS PARA DETECCION Y CAPTACION DE ENERGIA EN THZ Y FRECUENCIAS OPTICASA PESAR DE SU INTERES TECNOLOGICO INCUESTIONABLE, EL GAP DE THZ PERMANECE INFRAUTILIZADO POR FALTA DE EMISORES Y DETECTORES ADECUADOS, POR OTRO LADO, LAS HETEROESTRUCTURAS VDW QUE FORMAN UNIONES PN SE CONSIDERAN DETECTORES OPTICOS OPTIMOS PORQUE PODRIAN APORTAR MAS CONTROL SOBRE LOS PARAMETROS DE ARQUITECTURA QUE LOS MODULOS FOTOVOLTAICOS (PV) HABITUALES, LAS RECTENAS OPTICAS, ES DECIR, ANTENAS A ESCALA NANOMETRICA ACOPLADAS A RECTIFICADORES ULTRARRAPIDOS, SE HAN POSTULADO COMO UNA ALTERNATIVA A LAS TECNOLOGIAS FOTOVOLTAICAS CONVENCIONALES PARA RECOLECTAR ENERGIA DEL RANGO VISIBLE E IR, EN ESTE SUBPROYECTO 1 EXPLORAREMOS EL USO DE RTD DE TRIPLE BARRERA COMO UN RECTIFICADOR PARA LA DETECCION DE THZ, LA FABRICACION Y CARACTERIZACION DE RTD Y ANTENAS SE REALIZARA EN EL CENTRO DE TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES Y OPTOELECTRONICA EN LA UNIVERSIDAD DE DUISBURG-ESSEN (ALEMANIA), TAMBIEN SE ANALIZARA EL USO DE DIODOS DE UNION PN DE HETEROESTRUCTURAS VDW COMO DETECTORES OPTICOS, EN COLABORACION CON EL IMB-CNM DE BARCELONA, EXPLORAREMOS Y PROTOTIPAREMOS NUEVAS TECNOLOGIAS DE RECTENAS OPTICAS PARA LA RECOLECCION DE ENERGIA, DETERMINANDO SU EFICIENCIA DE CONVERSION TEORICA Y EXPERIMENTALMENTE,DOS EPOS ("ENTE PROMOTOR OBSERVADOR"): EL CENTRO DE TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES Y OPTOELECTRONICA (ALEMANIA) Y LA EMPRESA MEMCOMPUTING INC, (USA) HAN MOSTRADO UN GRAN INTERES EN LOS RESULTADOS DE NUESTRO SUBPROYECTO 1, NANODISPOSITIVOS\TRANSPORTE\ELECTRONES\FONONES\SIMULACIÓN\MONTE CARLO\DISIPACIÓN\TERMOELÉCTRICOS\PIEZONEMS

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