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MAT2010-20798-C05-02

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NANOWIRES, DOTS AND ANTIDOTS ARRAYS MADE BY INTERFERENCE LITHOGRAPHY

A LO LARGO DE LAS ULTIMAS DECADAS, LA CONTINUA EVOLUCION DE LAS TECNICAS TANTO DE FABRICACION COMO DE CARACTERIZACION ESTA PERMITIENDO EL DESARROLLO DE SISTEMAS NANOESTRUCTURADOS. EN CONCRETO, LA PREPARACION Y ESTUDIO DE SISTEMAS... ver más

01/01/2010

UPV

121K€

Presupuesto del proyecto: 121K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO/EUSKAL HERRIKO UNI... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 44

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2010-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Participantes

UPV

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO/EUSKAL HERRIKO UNI... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 44

Presupuesto del proyecto 121K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto A LO LARGO DE LAS ULTIMAS DECADAS, LA CONTINUA EVOLUCION DE LAS TECNICAS TANTO DE FABRICACION COMO DE CARACTERIZACION ESTA PERMITIENDO EL DESARROLLO DE SISTEMAS NANOESTRUCTURADOS. EN CONCRETO, LA PREPARACION Y ESTUDIO DE SISTEMAS MAGNETICOS NANOESTRUCTURADOS HA SUFRIDO UN DESTACABLE AVANCE DEBIDO A LA POSIBILIDAD DE SER UTILIZADOS EN DIFERENTES APLICACIONES TECNOLOGICAS COMO DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO MAGNETICO, SENSORES, ESPINTRONICA, ETC(1). DADO QUE ESTAS ESTRUCTURAS PRESENTAN UNA BAJA DIMENSIONALIDAD, LOS DENOMINADOS MICRO- O NANOIMANES PRESENTAN COMPORTAMIENTOS MAGNETICOS DIFERENTES A LOS OBSERVADOS EN LA ESCALA MACROSCOPICA Y SE MUESTRAN COMO EXCELENTES CANDIDATOS PARA EL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES MAGNETICAS EN UN REGIMEN INTERMEDIO ENTRE LA ESCALA ATOMICA Y LA MACROSCOPICA. POR LO TANTO, Y COMO PASO PREVIO A CUALQUIER POSIBLE APLICACION TECNOLOGICA, UN ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES FISICAS FUNDAMENTALES DE LOS SISTEMAS QUE SE PROPONDRAN A LO LARGO DE LA MEMORIA RESULTA IMPRESCINDIBLE.TENIENDO EN CUENTA QUE DADAS LAS PROPIEDADES INTRINSECAS DE UN MATERIAL, COMO SU ESTRUCTURA CRISTALINA Y COMPOSICION QUIMICA, LAS VARIACIONES DE SUS DIMENSIONES GEOMETRICAS (TAMAÑOS Y ESPESORES), FORMAS Y SEPARACION ENTRE ELEMENTOS (PROPIEDADES EXTRINSECAS) SON CAPACES DE ORIGINAR CAMBIOS EN SUS PROPIEDADES MAGNETICAS(2), EL PRINCIPAL OBJETIVO DE NUESTRO TRABAJO SE CENTRARA EN LA PREPARACION Y ESTUDIO SISTEMATICO DE SISTEMAS NANOESTRUCTURADOS EN FUNCION DE LAS PROPIEDADES TANTO INTRINSECAS COMO EXTRINSECAS DE LOS MATERIALES UTILIZADOS. DICHO TRABAJO NOS PERMITIRA ENTENDER Y CONTROLAR LOS DIFERENTES PROCESOS DE IMANACION EN SISTEMAS PATRONADOS. EN EL AMBITO DE LA FABRICACION SE EMPLEAN DIFERENTES METODOS SIGUIENDO LAS ESTRATEGIAS "BOTTOM-UP" Y "TOP-DOWN" (3). EN EL DESARROLLO DE ESTE TRABAJO, SE EMPLEARAN PRINCIPALMENTE TECNICAS "TOP-DOWN" QUE ESTAN SIENDO LAS MAS UTILIZADAS ACTUALMENTE EN LA INDUSTRIA, Y SE BASAN EN LA MANIPULACION FISICA DE LOS MATERIALES EN VOLUMEN Y SUPERFICIE. EN CONCRETO, LOS DIFERENTES PATRONES MANOMETRICOS SERAN OBTENIDOS MEDIANTE LITOGRAFIA DE INTERFERENCIA (IL) Y EL CRECIMIENTO DE LOS MATERIALES SE REALIZARA MEDIANTE "ION BEAM SPUTTERING" (IBS). LAS PROPIEDADES MAGNETICAS DE LOS SISTEMAS NANOESTRUCTURADOS RESULTAN COMPLICADAS DE ESTUDIAR DADO SUS REDUCIDAS DIMENSIONES Y/O INTENSIDAD DE SUS SEÑALES. SE NECESITARAN TECNICAS QUE NOS PROPORCIONEN INFORMACION LOCAL DE CADA ELEMENTO O EN SU DEFECTO DE UN NUMERO FINITO DE ELLOS. EN ESTE SENTIDO, EL MICROSCOPIO DE FUERZAS MAGNETICAS (MFM) Y EL MAGNETOMETRO BASADO EN EL EFECTO "KERR MAGNETO OPTIC" (NANOMOKE) SE HAN MOSTRADO COMO HERRAMIENTAS ADECUADAS PARA EL ESTUDIO DE ESTRUCTURAS PATRONADAS DADA SU ALTA RESOLUCION ESPACIAL Y SENSIBILIDAD(4). (1) G.A. PRINZ, SCIENCE, 282, 1660 (1998); S.A. WOLF ET AL., SCIENCE, 294, 1488 (2001); D. ATKINSON ET AL. NATURE MATERIALS, 2, 85 (2003)(2) R.P. COWBURN, J. PHYS. D: APPL. PHYS., 33, R1 (2000)(3) J.I. MARTIN ET AL. J. MAGN. MAGN. MATER., 256, 449 (2003)(4) J.J. SAENZ ET AL, J. APPL. PHYS., 62, 4293 (1987); D.A. ALLWOOD ET AL., J. PHYS. D-APPL. PHYS., 36, 2175 (2003) ANOWIRES\INTERFERENCE LITHOGRAPHY\ANTIDOTS\DOTS

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