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NanoStencil

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Nanoscale self assembled epitaxial nucleation controlled by interference lithogr...

Nanoscale self assembled epitaxial nucleation controlled by interference lithography By overcoming all the limitations of conventional top-down nanostructuring, the NanoStencil project seeks to initiate a new process paradigm for the production of dense arrays of identical nanostructures of precise size, shape and... ver más

31/07/2021

USFD

3M€

Presupuesto del proyecto: 3M€

Líder del proyecto

THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 5 Participantes

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2021-07-31

FETOPEN-01-2016-2017: FET-Open research and innovation ac... Specific Challenge:The successful exploration of new foundations for radically new future technologi...

I+D

Cerrada hace 8 años

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Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

5 Participantes

USFD

919.72K€ | Lider

BED

546.88K€ | Participante

CEIT

581.10K€ | Participante

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Duración del proyecto: 47 meses Fecha Inicio: 2017-08-08
Fecha Fin: 2021-07-31

Líder del proyecto

THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 3M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto By overcoming all the limitations of conventional top-down nanostructuring, the NanoStencil project seeks to initiate a new process paradigm for the production of dense arrays of identical nanostructures of precise size, shape and composition. It achieves this by combining the simplicity of structuring with light, with the advantages of molecular self-assembly, to provide a single step, cost effective and state of the art capability for next-generation ordered arrays of nanostructures. New methods to achieve such structures are a vital requirement for the exploitation of devices in the quantum regime. In our approach, laser interference patterning is applied by means of ultrashort pulses to material surfaces at the nanostructure formation phase, where it acts to modify local reaction processes providing energetically favourable sites for the nucleation of self-assembly. The approach is based on some established principles and prior art gained within the consortium, but is yet to be demonstrated at the device scale. To achieve in-situ nanostructuring, precision laser interference optics and state of the art pulsed lasers are integrated within materials reactors producing concentrated light patterns with a pitch of fractions of the laser wavelength which then induce local photothermal or photochemical modifications on the growing surface, creating sites for self-assembly. The science objectives of the project are to develop a comprehensive understanding of the absorption of concentrated pulsed light at the nanoscale to understand how this impacts on a growing or reactive surface. The technological objectives are to demonstrate large scale highly ordered arrays of identical nanostructures within four diverse materials systems (InAs quantum dot arrays, patterned SiO2/metallic nanostructures, ZnO nanowires and functional metal oxide nanospots), each of potentially transformative impact within the themes of semiconductor electronic and photonics, sensing and biomaterials.

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