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TEC2013-41640-R

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NANOELECTRONICA DE GAP ANCHO Y ESTRECHO PARA LA MEJORA DE LA EFICIENCIA EN APLIC...

NANOELECTRONICA DE GAP ANCHO Y ESTRECHO PARA LA MEJORA DE LA EFICIENCIA EN APLICACIONES DE RF Y THZ ESTE PROYECTO SE ENCUADRA EN EL AMBITO DE LA MICRO Y NANOELECTRONICA, UNA DE LAS TECNOLOGIAS FACILITADORAS ESENCIALES QUE SE ENCUENTRA RECOGIDA COMO TEMA DE INVESTIGACION TRANSVERSAL EN LA ESTRATEGIA ESPAÑOLA DE CIENCIA Y TECNOLOG... ver más

01/01/2013

USAL

126K€

Presupuesto del proyecto: 126K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1149

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2013-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1149

Presupuesto del proyecto 126K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto ESTE PROYECTO SE ENCUADRA EN EL AMBITO DE LA MICRO Y NANOELECTRONICA, UNA DE LAS TECNOLOGIAS FACILITADORAS ESENCIALES QUE SE ENCUENTRA RECOGIDA COMO TEMA DE INVESTIGACION TRANSVERSAL EN LA ESTRATEGIA ESPAÑOLA DE CIENCIA Y TECNOLOGIA Y DE INNOVACION 2013-2016, ASI, LOS RESULTADOS DEL PROYECTO PRETENDEN SOLVENTAR DOS DE LAS PRINCIPALES LIMITACIONES QUE EXISTEN EN LA ACTUALIDAD PARA CONSEGUIR UN DESARROLLO SOSTENIBLE EN LA INDUSTRIA DE SEMICONDUCTORES Y DE LAS TIC, ASI COMO DE LOS SECTORES QUE DEPENDEN DIRECTAMENTE DE ELLOS: I) LA DISMINUCION DEL CONSUMO DE ENERGIA DE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS Y II) LA POSIBILIDAD DE EXPLOTACION DE UNA BANDA DE FRECUENCIAS MAS AMPLIA DEL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO, EL DESARROLLO SOSTENIBLE CONSTITUYE UN GRAN DESAFIO DE LA SOCIEDAD ACTUAL, YA QUE EL EXCESIVO CONSUMO DE ENERGIA SE ESTA CONVIRTIENDO EN UNA GRAN PREOCUPACION, DE HECHO, SE PREVE QUE EL GASTO ENERGETICO DE LOS APARATOS ELECTRONICOS, NO SOLO EN MODO ACTIVO, SINO TAMBIEN EN MODO DE ESPERA, TENDRA UN IMPACTO CADA VEZ MAS IMPORTANTE EN LOS PROXIMOS AÑOS, EN ESTE CONTEXTO ES NECESARIA LA REDUCCION DEL CONSUMO DE ENERGIA DE LOS CIRCUITOS TANTO DIGITALES COMO ANALOGICOS POR MEDIO DEL DESARROLLO DE ARQUITECTURAS Y DISPOSITIVOS NO CONVENCIONALES, LA MADUREZ DE LA TECNOLOGIA DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES III-V PERMITE EXPLORAR LA POSIBILIDAD DE UTILIZAR TANTO DISPOSITIVOS CLASICOS (DIODOS SCHOTTKY Y TRANSISTORES DE HETEROUNION, HEMTS), COMO NUEVAS ESTRUCTURAS (DIODO AUTOCONMUTANTE, SSD, Y MOSFET BASADO EN IONIZACION POR IMPACTO, I-MOSFET) PARA LOGRAR EL OBJETIVO GLOBAL DE ESTE PROYECTO: MEJORAR LA EFICIENCIA ENERGETICA DE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS CON ESPECIAL ATENCION PARA APLICACIONES DE MUY BAJA POTENCIA Y/O MUY ALTA FRECUENCIA,EL PROYECTO INCLUYE IMPORTANTES ESFUERZOS EN ACTIVIDADES DE SIMULACION Y DISEÑO, BASADAS EN LA UTILIZACION DE SIMULADORES MC AVANZADOS, CON EL FIN DE OPTIMIZAR LAS CARACTERISTICAS DE LOS DISPOSITIVOS DISCRETOS Y DE LOS CIRCUITOS Y SISTEMAS ELECTRONICOS, A PARTIR DE ELLAS SE PROCEDERA A LA FABRICACION DE SSDS DE GAN E I-MOSFETS EN EL IEMN (LILLE), LA EFICACIA DEL PROCESO DE DISEÑO SE VERA MEJORADA POR LOS TRABAJOS INTENSOS DE CARACTERIZACION FISICA, DC, RF Y EN TERAHERCIOS (THZ) QUE SE REALIZARAN EN LA USAL Y EN LOS LABORATORIOS DEL IEMN Y EL IES (MONTPELLIER), LA REALIMENTACION CONTINUA ENTRE LAS TAREAS DE FABRICACION, CARACTERIZACION Y MODELADO SERA ESENCIAL PARA EL AVANCE RAPIDO DE LA INVESTIGACION PLANTEADA, TAMBIEN HAY QUE RESALTAR EL APOYO QUE SUPONDRA LA PRESENCIA DE LOS INVESTIGADORES EXTRANJEROS QUE PARTICIPAN EN EL PROYECTO, CON LOS QUE YA SE HA TRABAJADO PREVIAMENTE DE MANERA EFICIENTE, LO QUE GARANTIZA UN DIALOGO FLUIDO Y UNA TRANSFERENCIA RAPIDA Y EFICAZ DE INFORMACION,LOS RESULTADOS DEL PROYECTO MOSTRARAN LA VIABILIDAD DE DETECTORES DE THZ Y GENERADORES COMPACTOS DE ONDAS SUBMILIMETRICAS CONTINUAS Y SINTONIZABLES, ASI, SE ESTABLECERAN LAS BASES DE UNA NUEVA GENERACION DE APLICACIONES EN EL RANGO DE THZ QUE AMPLIARA LAS FUNCIONALIDADES DE LOS SISTEMAS ACTUALES, BASADOS EN DISPOSITIVOS FOTONICOS Y ELECTRONICOS, ESTE ENFOQUE, JUNTO CON NUESTRA INVESTIGACION SOBRE LOS I-MOSFETS PARA EL DESARROLLO DE CIRCUITOS DIGITALES DE MUY BAJA POTENCIA, ESTABLECERAN LAS BASES DE LA FABRICACION DE FUTUROS PRODUCTOS ELECTRONICOS DE BAJO CONSUMO DE ENERGIA PARA SISTEMAS MOVILES INTELIGENTES, CON UN GRAN IMPACTO NO SOLO EN TERMINOS DE SOSTENIBILIDAD PROPIAMENTE DICHA, SINO TAMBIEN EN DIFERENTES AMBITOS ECONOMICOS Y SOCIALES, EFICIENCIA ENERGÉTICA\ SEMICONDUCTORES III-V\ GAN\ GAP ESTRECHO\ DIODOS AUTOCONMUTANTES\ TRANSISTORES AVANZADOS\ TERAHERCIOS\ CARACTERIZACIÓN\ SIMULACIÓN MONTE CARLO

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