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TEC2017-86150-P

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MODELADO ATOMISTICO DE MECANISMOS DE CRECIMIENTO EPITAXIAL DE SIGE

LA TECNOLOGIA DE CRECIMIENTO EPITAXIAL SE HA DESARROLLADO EN PARALELO AL AVANCE EN LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS, PARA PODER CONTINUAR CON EN EL ESCALADO DE DISPOSITIVOS MAS ALLA DEL HORIZONTE DEL AÑO 2020 SE PREVE NECESA... ver más

01/01/2017

UVA

54K€

Presupuesto del proyecto: 54K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1001

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Participantes

UVA

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1001

Presupuesto del proyecto 54K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA TECNOLOGIA DE CRECIMIENTO EPITAXIAL SE HA DESARROLLADO EN PARALELO AL AVANCE EN LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS, PARA PODER CONTINUAR CON EN EL ESCALADO DE DISPOSITIVOS MAS ALLA DEL HORIZONTE DEL AÑO 2020 SE PREVE NECESARIO QUE CAPAS DE SIGE CON ALTO CONTENIDO DE GE FORMEN PARTE ACTIVA DE LOS DISPOSITIVOS, EN ESTE CASO, EL DESAJUSTE DE LOS PARAMETROS DE LAS REDES DE SI Y GE HACE QUE LA OBTENCION DE PELICULAS ATOMICAMENTE PLANAS SEA UN RETO, YA QUE APARECEN GRUPOS DE ATOMOS ESPACIADOS (ISLAS) QUE TIENEN UN EFECTO NEGATIVO EN DISPOSITIVOS CONVENCIONALES, NO OBSTANTE, ESTAS ESTRUCTURAS 3D PUEDEN SER UTILIZADAS PARA LA FORMACION DE PUNTOS CUANTICOS EN DISPOSITIVOS FOTONICOS, PIRAMIDES PARA MEJORAR LA ABSORCION OPTICA, SENSORES, ETC, CONFORME LOS TAMAÑOS DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS Y DE OTROS DISPOSITIVOS SE VAN REDUCIENDO, LAS TOLERANCIAS EN EL PROCESO DE FABRICACION SON CADA VEZ MAS ESTRICTAS, EL MODELADO ATOMISTICO PUEDE PROPORCIONAR UNA DESCRIPCION DETALLADA DEL PROCESO, PERO EL CONOCIMIENTO DE LOS FENOMENOS FISICOS INVOLUCRADOS A NIVEL ATOMICO (FORMA EN QUE SE ACOMODA LA TENSION, EVOLUCION MORFOLOGICA E INTERDIFUSION) ES AUN INCOMPLETO, ESTO CONSTITUYE EL MAYOR CUELLO DE BOTELLA PARA PODER MINIMIZAR LA APARICION DE DEFECTOS (DISLOCACIONES, RUGOSIDAD, FORMACION DE ISLAS, ETC) QUE LIMITAN EL DESARROLLO DE ESTA TECNOLOGIA, O BIEN PARA OPTIMIZAR SU FORMACION EN EL DESARROLLO DE NUEVOS DISPOSITIVOS BASADOS EN NANOESTRUCTURAS DE SIGE,ESTE PROYECTO PRETENDE APORTAR UNA VISION ATOMISTICA DETALLADA DE LOS MODOS DE CRECIMIENTO DE SIGE EN SI, Y PROPORCIONAR LAS BASES TEORICAS PARA EL DESARROLLO DE MODELOS ATOMISTICOS PREDICTIVOS DEL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE SIGE MEDIANTE LA IDENTIFICACION DE LOS MECANISMOS ATOMICOS MAS RELEVANTES Y LA CUANTIFICACION DE LOS PARAMETROS QUE LOS GOBIERNAN, PARA AFRONTAR ESTOS OBJETIVOS UTILIZAREMOS TECNICAS DE SIMULACION ATOMISTICA (DINAMICA MOLECULAR Y AB-INITIO), PROPONEMOS REALIZAR DE FORMA SISTEMATICA EL ANALISIS Y LA CARACTERIZACION CUANTITATIVA DE LOS PARAMETROS NECESARIOS PARA PODER DEFINIR LA EVOLUCION DE LA MORFOLOGIA DE LA SUPERFICIE DURANTE EL CRECIMIENTO DE PELICULAS DE SIGE SOBRE SI, ASPECTOS CONCRETOS ABORDADOS EN ESTE PROYECTO INCLUYEN LOS MECANISMOS DE DIFUSION (EN TERRAZAS, ALREDEDOR DE ISLAS, ENTRE ESCALONES Y ENTRE LAS DISTINTAS CAPAS), Y LAS ENERGIAS DE INTERACCION ENTRE ESPECIES EN DISTINTAS MORFOLOGIAS, Y TODO ELLO PRESTANDO ESPECIAL ATENCION AL STRAIN LOCAL, EL SISTEMA DE SIGE SOBRE SI ES MUY RELEVANTE TECNOLOGICAMENTE, PERO TAMBIEN ES UN PARADIGMA SOBRE EL EFECTO DE LA TENSION EN LOS DISTINTOS MODOS DE CRECIMIENTO EPITAXIAL, POR LO QUE SU ESTUDIO TAMBIEN AYUDARA A COMPRENDER OTROS MATERIALES Y ALEACIONES, SIMULACIÓN ATOMÍSTICA\NANOTECNOLOGÍA\SIGE\CRECIMIENTO EPITAXIAL

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