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MAT2010-18933

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MATERIALES MULTIFUNCIONALES EN PELICULA DELGADA PARA DISPOSITIVOS PIEZOELECTRICO...

MATERIALES MULTIFUNCIONALES EN PELICULA DELGADA PARA DISPOSITIVOS PIEZOELECTRICOS AVANZADOS (RESONADORES ACUSTICOS Y SENSORES MEMS) EL PRESENTE PROYECTO PROPONE EL ESTUDIO SISTEMATICO DE CAPAS FINAS DE MATERIALES CON FUNCIONALIDADES DIVERSAS Y DE TECNOLOGIAS DE MICROFABRICACION PARA SU APLICACION EN DISPOSITIVOS DE ACTUACION PIEZOELECTRICA BASADOS EN NITRURO D... ver más

01/01/2010

UPM

242K€

Presupuesto del proyecto: 242K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3944

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2010-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UPM

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3944

Presupuesto del proyecto 242K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL PRESENTE PROYECTO PROPONE EL ESTUDIO SISTEMATICO DE CAPAS FINAS DE MATERIALES CON FUNCIONALIDADES DIVERSAS Y DE TECNOLOGIAS DE MICROFABRICACION PARA SU APLICACION EN DISPOSITIVOS DE ACTUACION PIEZOELECTRICA BASADOS EN NITRURO DE ALUMINIO (ALN), COMO RESONADORES DE ONDAS ACUSTICAS DE VOLUMEN (BAW) PARA FILTRADO DE SEÑALES DE RADIO DE MUY ALTA FRECUENCIA O SENSORES GRAVIMETRICOS PARA LA DETECCION DE AGENTES BIOLOGICOS EN MEDIO LIQUIDO, ENTRE LOS MATERIALES SE ENCUENTRAN EL PROPIO ALN PIEZOELECTRICO, LOS ELECTRODOS PARA SU EXCITACION (IR, W, MO, ETC,), LOS MATERIALES PARA LA FABRICACION DE REFLECTORES ACUSTICOS PARA AISLAR LOS RESONADORES DEL SUSTRATO (SIO2 POROSO, TIO2, TA2O5, ALN, W, IR, ETC,) Y OTROS MATERIALES CON DIVERSAS FUNCIONALIDADES COMO LOS EMPLEADOS EN LA COMPENSACION DEL COEFICIENTE DE VARIACION DE LA FRECUENCIA CON LA TEMPERATURA, EN EL ENCAPSULADO O LOS REQUERIDOS PARA EL MICROMECANIZADO EN SUPERFICIE DE LOS DISPOSITIVOS MEMS (CAPAS DE SACRIFICIO), SE HARA ESPECIAL HINCAPIE EN EL ESTUDIO DEL PROCESO DE DEPOSITO DEL ALN POR PULVERIZACION NO SOLO PARA OBTENER LAMINAS BIEN ORIENTADAS Y CON PRESTACIONES SIMILARES A LAS MEJORES DEL ESTADO DEL ARTE, SINO TAMBIEN PARA CONTROLAR LA INCLINACION DE SUS MICROCRISTALES Y SU POLARIDAD PIEZOELECTRICA DE FORMA SELECTIVA EN AREAS DETERMINADAS DEL SUSTRATO, PROPONEMOS LLEVAR EL ESTUDIO DE ESTOS MATERIALES HASTA HACERLOS FUNCIONAR EN ESTRUCTURAS DE PRUEBA ESPECIFICAS Y DISPOSITIVOS DE FUNCIONALIDAD COMPLETA, SE PROPONEN DOS TIPOS DE DISPOSITIVOS CON FUNCIONALIDADES DIFERENTES: RESONADORES ACUSTICOS DE VOLUMEN (BAW) CON MODOS LONGITUDINALES PARA EL FILTRADO DE SEÑALES DE ALTA FRECUENCIA EN BANDAS DE TRANSMISION INALAMBRICA ENTRE 2 Y 10 GHZ Y RESONADORES ACUSTICOS O MECANICOS CON MODOS TRANSVERSALES PARA SENSORES EN MEDIO LIQUIDO, ENTRE ESTOS ULTIMOS SE CONTEMPLAN DOS TIPOS DE RESONADORES BAW CON DEFORMACION EN CIZALLADURA, UNO DE ELLOS CON CRISTALES DE ALN INCLINADOS Y EXCITACION LONGITUDINAL Y OTRO CON CAPAS ALN DE PIEZOELECTRICIDAD MODULADA LOCALMENTE Y EXCITACION COPLANAR, Y RESONADORES MECANICOS BASADOS EN ESTRUCTURAS SUSPENDIDAS (MEMS) OPERANDO EN MODOS EXTENSIONALES EN EL PLANO DEL SUSTRATO,

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