Descripción del proyecto
EL OBJETIVO DE MULTIENERGY ES EL DESARROLLO DE NUEVOS MATERIALES INTEGRABLES EN FUTURAS TECNOLOGIAS CAPACES DE REALIZAR OPERACIONES INFORMATICAS DE FORMA MAS EFICIENTE ENERGETICAMENTE, LA PREDICCION DE MOORE SE HA CUMPLIDO DESDE SU FORMULACION EN TERMINOS DE COSTE, DENSIDAD DE DISPOSITIVOS Y VOLTAJE DE ESCRITURA, SIN EMBARGO, LA DENSIDAD DE POTENCIA DE CONSUMO POR OPERACION SE HA DESVIADO DE LA TENDENCIA DE DENNARD, QUE PREDICE QUE ESTA DEBERIA SER LA MISMA INDISTINTAMENTE DEL TAMAÑO DEL DISPOSITIVO, MUY RECIENTEMENTE, SE HAN DESARROLLADO DISPOSITIVOS DE PRUEBA DE CONCEPTO BASADOS EN MATERIALES MAGNETOELECTRICOS MULTIFERROICOS QUE DEMUESTRAN UNA REDUCCION SIGNIFICATIVA DEL CONSUMO DE ENERGIA PARA OPERACIONES INFORMATICAS BASICAS, ACTUALMENTE, LOS MATERIALES MAGNETOELECTRICOS MULTIFERROICOS CONOCIDOS SOLO SE PUEDEN INCORPORAR ANTES O DESPUES DEL PROCESO DE FABRICACION CMOS, ESTO LIMITA SU INTEGRACION EN DISPOSITIVOS CMOS Y POR LO TANTO SUS APLICACIONES, CONSECUENTEMENTE ES ALTAMENTE NECESARIA LA INVESTIGACION EN MATERIALES QUE MUESTREN ACOPLAMIENTO MAGNETOELECTRICO A TEMPERATURA AMBIENTE CAPACES DE SER INTEGRABLES INDUSTRIALMENTE EN PROCESOS CMOS, MULTIENERGY ABORDA EL DESARROLLO DE NUEVOS MATERIALES COMPUESTOS MULTIFERROICOS Y LA COMPRENSION DE LOS MECANISMOS QUE DESENCADENAN EL ACOPLAMIENTO MAGNETOELECTRICO EN LOS MISMOS, EL COMPUESTO MULTIFERROICO QUE SE PREVE DESARROLLAR SE BASARA EN OXIDO DE HAFNIO DOPADO FERROELECTRICO, AUNQUE EL DESCUBRIMIENTO DE LA FERROELECTRICIDAD EN LAS LAMINAS DE OXIDO DE HAFNIO POLICRISTALINO DOPADO ES RECIENTE, HA ATRAIDO UN CRECIENTE INTERES DEBIDO A SU ROBUSTEZ Y COMPATIBILIDAD CON LA TECNOLOGIA CMOS, ESTO HACE DEL OXIDO DE HAFNIO, COMBINADO CON MATERIALES FERROMAGNETICOS APROPIADOS, UN MATERIAL MAGNETOELECTRICO MULTIFERROICO PROMETEDOR Y POTENCIALMENTE COMPATIBLE CON LA TECNOLOGIA CMOS, NUESTRO OBJETIVO ES CRECER EPITAXIALMENTE OXIDO DE HAFNIO DOPADO FERROELECTRICO, EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DEL OXIDO DE HAFNIO ES FUNDAMENTAL PARA I) MEJORAR LA CALIDAD DE LA INTERCARA FERROMAGNETO/FERROELECTRICO, LO QUE RESULTA EN UN ACOPLAMIENTO MAGNETOELECTRICO POTENCIALMENTE MAYOR Y II) PARA CONTROLAR MEJOR LA CANTIDAD DE FASES FERROELECTRICAS, ASI COMO LA ORIENTACION DE LA POLARIZACION, EL CONTROL DE LAS FASES FERROELECTRICAS EN EL OXIDO DE HAFNIO PERMITIRA UNA MEJOR OPTIMIZACION DE LAS PROPIEDADES MAGNETOELECTRICAS DEL DISPOSITIVO FINAL Y SU COMPRENSION, AUNQUE EL CRECIMIENTO EPITAXIAL REQUIERE EL USO DE TECNICAS DE CRECIMIENTO NO COMPATIBLES CON LA TECNOLOGIA CMOS, ES UN PASO ATRAS NECESARIO PARA COMPRENDER EL ACOPLAMIENTO MAGNETOELECTRICO EN ESTE SISTEMA, LOS MATERIALES MAGNETICOS (FEPT, COPT, ,,,) QUE SE CONOCEN SENSIBLES A LA APLICACION DE CAMPO ELECTRICO SERAN LOS SELECCIONADOS PARA SER ESTUDIADOS, DEBIDO A SU CARACTER FERROELECTRICO, EL OXIDO DE HAFNIO ES CAPAZ DE GENERAR UN CAMPO ELECTRICO REMANENTE EN SU SUPERFICIE, POR LO TANTO, EN EL SISTEMA PROPUESTO, EL ACOPLAMIENTO MAGNETOELECTRICO RESULTARA DE LA INTERACCION ENTRE EL CAMPO ELECTRICO CONMUTABLE GENERADO POR EL OXIDO DE HAFNIO Y LAS PROPIEDADES DE MAGNETIZACION DEL FERROMAGNETO, SE ESPERA QUE LOS RESULTADOS OBTENIDOS ABRAN NUEVAS RUTAS PARA EL DESARROLLO DE MATERIALES MAGNETOELECTRICOS MULTIFERROICOS COMPATIBLES CON PROCESOS INDUSTRIALES, MULTIFEROICOS\FERROELECTRICOS\OXIDOS\LAMINAS DELGADAS