MATERIALES CON ORDENAMIENTO FERROELECTRICO Y ANTIFERROMAGNETICO PARA APLICACIONE...
MATERIALES CON ORDENAMIENTO FERROELECTRICO Y ANTIFERROMAGNETICO PARA APLICACIONES ESPINTRONICAS ULTRARRAPIDAS Y CONTROLABLES ELECTRICAMENTE
LA ESPINTRONICA ESTA TENIENDO UN GRAN IMPACTO EN NUESTRAS TECNOLOGIAS ELECTRONICAS Y DE COMPUTACION CON APLICACIONES EXITOSAS COMO LOS CABEZALES DE LECTURA DE LOS DISCOS DURO Y LAS MEMORIAS MAGNETICAS DE ACCESO ALEATORIO. LA ESPIN...
LA ESPINTRONICA ESTA TENIENDO UN GRAN IMPACTO EN NUESTRAS TECNOLOGIAS ELECTRONICAS Y DE COMPUTACION CON APLICACIONES EXITOSAS COMO LOS CABEZALES DE LECTURA DE LOS DISCOS DURO Y LAS MEMORIAS MAGNETICAS DE ACCESO ALEATORIO. LA ESPINTRONICA SE BASA EN LA EXPLOTACION DEL ESPIN DEL ELECTRON PARA LEER Y MANIPULAR LA MAGNETIZACION EN PELICULAS DELGADAS. ALGUNOS EJEMPLOS SE ENCUENTRAN EN LA REVERSION CONTROLADA Y LECTURA DE UNIONES TUNEL MAGNETICAS, ASI COMO EN EL DESPLAZAMIENTO DE PAREDES DE DOMINIO Y SKYRMIONES MAGNETICOS MEDIANTE CORRIENTES ELECTRICAS. A PESAR DE LOS ENORMES AVANCES QUE SE HAN REALIZADO, LA MAYORIA DE LAS TECNOLOGIAS AUN SE LIMITAN AL USO DE FERROIMANES METALICOS, QUE SUFREN DE GRANDES PERDIDAS Y TIENEN UNA FRECUENCIA LIMITADA. ADEMAS, LA MANIPULACION DE ESPIN EN METALES ES MUY DIFICIL, LO QUE HA OBSTACULIZADO LA REALIZACION DE DISPOSITIVOS LOGICOS DE ESPIN.EN ESTE PROYECTO PROPONEMOS SUPERAR LAS LIMITACIONES DE LAS TECNOLOGIAS ELECTRONICAS ACTUALES MEDIANTE EL EMPLEO DE MATERIALES FERROELECTRICOS, FERRIMAGNETICOS Y ANTIFERROMAGNETICOS EN HETEROESTRUCTURAS FUNCIONALES.GRACIAS A LAS PROPIEDADES UNICAS DE ESTOS MATERIALES, EXPLORAREMOS NUEVAS RUTAS PARA CONTROLAR ELECTRICAMENTE LAS INTERACCIONES MAGNETICAS QUIRALES Y LOS FENOMENOS DE CONVERSION DE CARGA A ESPIN, ASI COMO TAMBIEN REALIZAREMOS NUEVAS APLICACIONES LOGICAS Y DE MEMORIA QUE TIENEN EL POTENCIAL DE SER MAS RAPIDAS, MAS DENSAS Y CONSUMIR MENOS ENERGIA QUE LAS TECNOLOGIAS ACTUALES. ESTO LO LOGRAREMOS MEDIANTE 1) EL CRECIMIENTO DE MATERIALES DE ALTA CALIDAD Y HETEROESTRUCTURAS FUNCIONALES, 2) LA FABRICACION Y CARACTERIZACION AVANZADA DE DISPOSITIVOS MEDIANTE TRANSPORTE HARMONICO, MICROSCOPIA MAGNETO-OPTICA, NANOSCOPIA DE SONDA DE BARRIDO Y ESPECTROSCOPIA E IMAGEN DE RAYOS X DE SINCROTRON EN PRESENCIA DE CAMPOS MAGNETICOS Y CORRIENTES ELECTRICAS, Y 3) SIMULACIONES AB INITIO Y MODELOS DE DIFUSION DE ESPIN PARA LA PREDICCION FISICA E INTERPRETACION DE DATOS.TODO ESTO SERA POSIBLE GRACIAS A LA DILATADA EXPERIENCIA DEL EQUIPO DE LA UAM EN LA INVESTIGACION DE NUEVOS FENOMENOS A LA NANOESCALA PARA SU EXPLOTACION EN CONCEPTOS TECNOLOGICOS INNOVADORES, QUIEN LIDERARA ESTE ESFUERZO DE INVESTIGACION APOYADO POR LA PLATAFORMA UNICA ECLIP-SE. ESTE CONSORCIO PROPORCIONA COMPETENCIAS EXPERIMENTALES Y TEORICAS COMPLEMENTARIAS Y TODA LA INFRAESTRUCTURA NECESARIA PARA ABORDAR LOS OBJETIVOS DE ESTA PROPUESTA. EL EQUIPO DE LA UAM ESTA DIRIGIDO POR SAUL VELEZ CON LA AYUDA DE MIRIAM JAAFAR. 2 ESTUDIANTES DE DOCTORADO JUNTO CON UN ESTUDIANTE DE MAESTRIA SE HAN INCORPORADO RECIENTEMENTE AL GRUPO PARA TRABAJAR EN TAREAS MUY RELACIONADAS CON LAS AQUI PROPUESTAS, QUIENES COMPLETAN LA MANO DE OBRA DEL EQUIPO. SE SOLICITA 1 ESTUDIANTE FPI Y UN PREDOC POR UN PERIODO DE 2 AÑOS, AMBOS CO-SUPERVISADOS POR ALGUN IP DE LOS OTROS EQUIPOS EXPERIMENTALES DE ECLIP-SE (IMDEA, UCM, ALBA), PARA TRABAJAR EN ESFUERZOS CONJUNTOS. LA INVESTIGACION EN LA UAM SE VERA COMPLEMENTADA POR EL PROF. GAMBARDELLA (ETH ZURICH), EL PROF. BERGERET (CFM-CSIC) Y EL PROF. J.J. PALACIOS (UAM), QUIENES BRINDARAN APOYO TEORICO Y MUESTRAS ADICIONALES.COMO RESULTADO DEL PLAN DE INVESTIGACION PROPUESTO, ESPERAMOS ESTABILIZAR SKYRMIONES ULTRAPEQUEÑOS (<30NM) Y MOVERLOS A VELOCIDADES RELATIVISTAS, CONTROLAR ELECTRICAMENTE LA QUIRALIDAD DE TEXTURAS MAGNETICAS TOPOLOGICAS, MODULAR LA EFICIENCIA DEL TRANSPORTE DE ESPIN EN DISPOSITIVOS MAGNONICOS Y REALIZAR LA PRIMERA MEMORIA DE PISTA ANTIFERROMAGNETICA. SPINTRONICA\CONTROL ELECTRICO\HETEROESTRUCTURAS FUNCIONALES\TRANSPORTE MAGNONICO\MICROSCOPIA MAGNETICA\TRANSPORTE HARMONICO\ACOPLAMIENTO ESPIN-ORBITA\MAGNETISMO QUIRAL\ORDENAMIENTO ANTIFERROMAGNETICO\MATERIALES FERROELECTRICOSver más
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