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MAT2015-71035-R

Financiado
MATERIALES AVANZADOS PARA PROCESOS ENERGETICOS ALTAMENTE EFICIENTES: ESTUDIO DE...
MATERIALES AVANZADOS PARA PROCESOS ENERGETICOS ALTAMENTE EFICIENTES: ESTUDIO DE SUS PROPIEDADES OPTICAS EN ESTE PROYECTO SE PROPONE ESTUDIAR PROCESOS OPTICOS EN MATERIALES DE GRAN ACTUALIDAD POR SUS INTERESANTES PROPIEDADES EN APLICACIONES A NUEVAS GENERACIONES DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS, EL ESTUDIO DE LOS PROCESOS OPTICOS PRO... EN ESTE PROYECTO SE PROPONE ESTUDIAR PROCESOS OPTICOS EN MATERIALES DE GRAN ACTUALIDAD POR SUS INTERESANTES PROPIEDADES EN APLICACIONES A NUEVAS GENERACIONES DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS, EL ESTUDIO DE LOS PROCESOS OPTICOS PROPORCIONA INFORMACION RELEVANTE SOBRE LAS CARACTERISTICAS ESPECIFICAS DE LOS NUEVOS MATERIALES FUNCIONALES Y PERMITE UNA CARACTERIZACION DE SUS PROPIEDADES A ESCALA MACROSCOPICA Y SUBMICROMETRICA, LA INVESTIGACION SE CENTRARA EN EL ESTUDIO MEDIANTE ESPECTROSCOPIA RAMAN, FOTOLUMINISCENCIA (PL) Y CATODOLUMINISCENCIA (CL) DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DE TRES GRUPOS DE MATERIALES QUE ESTAN SUSCITANDO UN GRAN INTERES: I) NITRUROS DEL GRUPO III NANOESTRUCTURADOS, CON INTERESANTES APLICACIONES EN TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA Y DE EMISORES DE LUZ EN EL RANGO VISIBLE-ULTRAVIOLETA II) OXIDOS SEMICONDUCTORES CON APLICACIONES FOTOVOLTAICAS, TANTO CAPAS DELGADAS DE OXIDOS TRANSPARENTES CONDUCTORES DEL GRUPO III COMO ALEACIONES DE OXIDOS DEL GRUPO II Y NANOESTRUCTURAS III) CALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION, QUE FORMAN CRISTALES BIDIMENSIONALES Y HAN SURGIDO COMO MATERIALES ALTERNATIVOS AL GRAFENO MOSTRANDO INTERESANTES CARACTERISTICAS ESPECIFICAS, ESTOS ESTUDIOS SE COMPLEMENTARAN CON LA INVESTIGACION DE SUS PROPIEDADES OPTICAS BAJO PRESION HIDROSTATICA,DENTRO DE LOS MATERIALES NANOESTRUCTURADOS DEL GRUPO I) SE ESTUDIARAN LOS MODOS DE VIBRACION DE NANOWIRES DE INGAN Y SU VARIACION CON LA COMPOSICION, EL ESTUDIO DE LOS NWS BAJO PRESION PROPORCIONARA UNA DETERMINACION MAS PRECISA DE LOS COEFICIENTES DE PRESION EN LOS CRISTALES DE INGAN RELAJADOS, LIBRE DE LOS IMPORTANTES EFECTOS DEL STRAIN DEBIDO AL SUBSTRATO QUE AFECTAN A LAS CAPAS EPITAXIALES, SE ESTUDIARA TAMBIEN EL EFECTO DE LA CARGA LIBRE EN MICRO-WIRES DE GAN DOPADO CON SI Y SE DETERMINARA LA DENSIDAD ELECTRONICA MEDIANTE MEDIDAS OPTICAS DE MICRO-RAMAN, DENTRO DEL GRUPO II), SE ABORDARA EL ESTUDIO DEL ALFA-GA2O3 Y SUS ALEACIONES CON IN2O3,Y POSTERIORMENTE CON AL2O3 , LA ESPECTROSCOPIA RAMAN PROPORCIONARA INFORMACION SOBRE LA CALIDAD DE LAS MUESTRAS, QUE SE COMPLEMENTARA CON ESTUDIOS DE CL DE SUS PROPIEDADES DE EMISION Y HOMEGENEIDAD A ESCALA SUBMICROMETRICA, LA ALEACION DE OXIDOS SEMICONDUCTORES TRANSPARENTES CDZNO SERA ESTUDIADA EN SU FUNCION DE VENTANA TRANSPARENTE EN POZOS/PUNTOS CUANTICOS CDZNO/CDTE PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS, ESTAS NANOESTRUCTURAS SE CARACTERIZARAN DE FORMA EXHAUSTIVA MEDIANTE EL ANALISIS DE MEDIDAS RAMAN, PL Y CL, SE ESTUDIARAN TAMBIEN NANOHILOS DE ZNO RECUBIERTOS DE CAPAS NANOMETRICAS ABSORBENTES II-VI DE CDSE O CDTE PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS, DENTRO DE LOS MATERIALES DEL GRUPO III), EL PROYECTO SE CENTRARA EN OBTENER INFORMACION DETALLADA SOBRE LAS CAPAS DE MOS2 USADAS EN LA FABRICACION DE FETS Y SU CORRELACION CON LAS CARACTERISTICAS DE LOS MISMOS, MEDIANTE ANALISIS DE CL SE ESTUDIARA LA HOMOGENEIDAD DE LA CAPA Y LA ALTERACION DE LAS PROPIEDADES OPTICAS EN CAPAS SOMETIDAS A TRATAMIENTOS QUIMICOS PARA EL DOPAJE, SE REALIZARAN MEDIDAS BAJO PRESION HIDROSTATICA PARA CARACTERIZAR LA TRANSICION DEL MOS2 A SU FASE METALICA Y LA POSIBLE INFLUENCIA DE LA PRESENCIA DE DEFECTOS EN LA MISMA, MATERIALES OPTOELECTRÓNICOS\MATERIALES FOTOVOLTAICOS\NITRUROS DEL GRUPO III\NANOWIRES\ÓXIDOS SEMICONDUCTORES\MOS2\MICRO-RAMAN\CL\MICRO-PL\PRESIÓN HIDROSTÁTICA ver más
01/01/2015
CSIC
42K€
Perfil tecnológico estimado

Línea de financiación: concedida

El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2015-01-01
Presupuesto El presupuesto total del proyecto asciende a 42K€
Líder del proyecto
AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.
Perfil tecnológico TRL 2-3 552M