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Low Cost Germanium Substrates for Next Generation 4 Junction Space Solar Cells U...

Low Cost Germanium Substrates for Next Generation 4 Junction Space Solar Cells Utilising Dilute Nitride Technology Multi-junction solar cell technology, based on III-V semiconductor structures grown onto Germanium substrates, is well established as the primary photovoltaic technology used in satellite power generation. As future satellite powe... ver más

01/02/2017

IQE

4M€

Presupuesto del proyecto: 4M€

Líder del proyecto

IQE plc No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

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Financiación concedida El organismo FP7 notifico la concesión del proyecto el día 2017-02-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

IQE plc No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 4M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto Multi-junction solar cell technology, based on III-V semiconductor structures grown onto Germanium substrates, is well established as the primary photovoltaic technology used in satellite power generation. As future satellite power requirements will significantly increase due to the adoption of technologies such as electrical propulsion, sensing and telecommunications, next generation space solar cells will be required to significantly increase their conversion efficiency to enable higher energy generation with minimal increase in overall system weight and cost. To this end, this proposal will develop multi-junction space solar cells on high quality, low cost, large area (150mm diameter) Germanium substrates, which will have conversion efficiencies >33% (AM0), utilising novel 4-Junction architectures. The process will adopt dilute nitride epitaxial technology that has been developed by Nanyang Technological University (1). To enable this, a powerful consortium has been assembled, which covers the entire skill set required to produce such cells, including substrate manufacture, advanced epitaxy, device design, device fabrication, test and qualification. (1). Molecular beam epitaxy grown GaNAsSb 1 eV photovoltaic cell, K.H. Tan, S. Wicaksono, W.K. Loke, D. Li, S.F. Yoon, E.A. Fitzgerald, S.A. Ringel, J.S. Harris Jr, Journal of Crystal Growth 335, pp66-69, 2011.

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