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EQC2018-004529-P

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Laser Infrarrojo de fibra de femtosegundo para caracterización de dispositivos s...

Laser Infrarrojo de fibra de femtosegundo para caracterización de dispositivos semiconductores El objeto de este proyecto es la adquisición de un láser infrarrojo de femtosegundo fabricado en tecnología de fibra óptica, Este tipo de láser es muy versatil para el estudio de la respuesta de sensores semiconductores pues la c... ver más

01/01/2018

CSIC

54K€

Presupuesto del proyecto: 54K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2018-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 54K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto El objeto de este proyecto es la adquisición de un láser infrarrojo de femtosegundo fabricado en tecnología de fibra óptica, Este tipo de láser es muy versatil para el estudio de la respuesta de sensores semiconductores pues la corta duración de sus pulsos permite la creación de portadores de carga por absorción multifotónica sin la excitación de fonones, emulando la interacción de las partículas subatómicas (rayos-x, partículas cargadas o neutrones) con la red cristalina del semiconductor, Se trata además este de un equipamiento singular pues el hecho de que amplificación láser sea basada en fibra óptica y el uso de moduladores electro-ópticos asegura unas muy bajas emisiones electromagnéticas evitándose la generación de ruido electromagnético uno de los aspectos críticos para llevar a cabo una panoplia de actividades de caracterización algunas de las cuales se listan a continuación:· Caracterización de sensores semiconductores para reconstrucción de los vertices secundarios de desintegración con una resistencia extrema a radiación (sensores pixelados 3D) dentro del proyecto del detector de vértices de CMS del colisonador LHC y de la colaboración RD50 del CERN· Caracterización de sensores semiconductores con respuesta ultra-rápida (LGAD) para su uso en los detectores de timing de CMS, · Caracterización de detectores "depleted" CMOS del proyecto RD50 del CERN,· Estudios de microdaño en la red cristalina inducido por la difusión elastica de materia oscura,

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