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InP DHBT MMIC Technology for Millimeter Wave Power Applications

"With the advent of smart phones, tablets and connected cameras, mobile data traffic is growing at a very fast pace. The capacity of mobile backhaul network must be increased to deal with this data explosion. In that respect there... ver más

31/01/2018

TECHNICAL UNIVERSI...

586K€

Presupuesto del proyecto: 586K€

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TRL 4-5

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DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 586K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto "With the advent of smart phones, tablets and connected cameras, mobile data traffic is growing at a very fast pace. The capacity of mobile backhaul network must be increased to deal with this data explosion. In that respect there is at present an increased interest in exploiting the millimeter-wave frequency range (30-300 GHz) for wireless backhauling. The progress in semiconductor device technology, in particular compound semiconductor transistors such as High Electron Mobility Transistor (HEMT) and Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) devices enables the development of wireless communication circuits operating at frequencies well above 100 GHz. The main bottleneck in these mm-wave wireless communication systems today is the power amplifier (PA) which sets the limit on the available transmission range. The overall objective of the ""IN-POWER"" project will be to develop an InP HBT technology optimized for millimeter-wave power applications. The development of the InP DHBT technology will be accompanied by the MMIC (Monolitic Microwave Integrated Circuits) implementation of PA's targeting emerging applications at E-band (71-76 and 81-86 GHz) and higher millimeter-wave frequencies."

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